公开(公告)号：CN115429902B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202110624663.0

申请日：2021-06-04

Applicant: 中南大学

Inventor： 黄智 ,  于博 ,  陈永红 ,  黄菊芳 ,  陈彦 ,  李佐军

IPC: A61K49/12 ,  A61K49/18 ,  C08F8/34 ,  C08F120/06

Abstract: 本发明属于检测材料领域，具体涉及一种磁性氧化铁细胞标记材料，其特征在于，包括磁性氧化铁颗粒，以及包覆所述磁性氧化铁颗粒的聚合物包覆层，聚合物具有聚丙烯酸类聚合链，其链端修饰有多巯基化合物，链上的部分羧基修饰有氨基葡萄糖；所述的多巯基化合物为含有两个及以上的巯基的化合物。本发明还提供了所述的材料的制备方法和应用。本发明研究发现，得益于所述聚合物链以及链端修饰的多巯基化合物以及链段上修饰的氨基葡萄糖的协同，能够意外地显著改善材料的细胞摄取效果，能够有效改善其细胞MRI标记示踪性能。

公开(公告)号：CN113658941A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110724557.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 中南大学

Inventor： 张斗 ,  陈永红 ,  汤林 ,  陈海燕

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/11507 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种HZO/AO/HZO纳米叠层薄膜及其制备方法和应用，所述薄膜由HZO顶层、AO中层、HZO底层构成，其中HZO顶层由HfO2膜层与ZrO2膜层交替层叠组成，AO中层为Al2O3膜层，HZO底层由HfO2膜层与ZrO2膜层交替层叠组成。本发明的技术方案使用HfO2层及ZrO2层交替沉积，通过纳米叠层结构引入界面以调控界面能来稳定物相，并有效阻碍“电树”的生长，避免击穿的发生。此外，界面还能减小电子注入深度并抑制局部相分解，从而最终提高疲劳性能。另一方面，引入介质层Al2O3促进180°畴的形成以降低内建电场，削弱电畴的固定取向程度，减小漏电流密度。本发明能够解决具有良好铁电性能的HZO/AO/HZO纳米叠层层薄膜的制备技术难题，可简单、可控地生产高质量的铁电薄膜。

公开(公告)号：CN111312898B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010134132.9

申请日：2020-03-02

Applicant: 中南大学

Inventor： 张斗 ,  陈海燕 ,  陈永红

IPC: H10N97/00 ,  H10B53/30 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明公开了一种HfO2基铁电薄膜材料及其制备方法和应用，所述HfO2基铁电薄膜材料：从下至上，依次由薄膜衬底、TiN底电极、Al2O3薄膜、Hf0.5Zr0.5O2薄膜，TiN顶电极、Au电极组成；其制备方法为：于薄膜衬底之上采用磁控溅射沉积TiN底电极，然后于TiN底电极之上通过原子层沉积Al2O3薄膜，再于Al2O3薄膜之上通过原子层沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜，然后再于Hf0.5Zr0.5O2薄膜之上通过磁控溅射依次沉积TiN顶电极、Au电极，沉积完成后，退火即获得HfO2基铁电薄膜材料；本发明通过在TiN底电极以及HZO铁电薄膜之间引入Al2O3薄膜，通过界面极化，来提高薄膜的铁电性能；并降低薄膜内部的漏电流，提高可靠性。

公开(公告)号：CN115429902A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202110624663.0

申请日：2021-06-04

Applicant: 中南大学

Inventor： 黄智 ,  于博 ,  陈永红 ,  黄菊芳 ,  陈彦 ,  李佐军

IPC: A61K49/12 ,  A61K49/18 ,  C08F8/34 ,  C08F120/06

Abstract: 本发明属于检测材料领域，具体涉及一种磁性氧化铁细胞标记材料，其特征在于，包括磁性氧化铁颗粒，以及包覆所述磁性氧化铁颗粒的聚合物包覆层，聚合物具有聚丙烯酸类聚合链，其链端修饰有多巯基化合物，链上的部分羧基修饰有氨基葡萄糖；所述的多巯基化合物为含有两个及以上的巯基的化合物。本发明还提供了所述的材料的制备方法和应用。本发明研究发现，得益于所述聚合物链以及链端修饰的多巯基化合物以及链段上修饰的氨基葡萄糖的协同，能够意外地显著改善材料的细胞摄取效果，能够有效改善其细胞MRI标记示踪性能。

公开(公告)号：CN111312898A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010134132.9

申请日：2020-03-02

Applicant: 中南大学

Inventor： 张斗 ,  陈海燕 ,  陈永红

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/11507 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明公开了一种HfO2基铁电薄膜材料及其制备方法和应用，所述HfO2基铁电薄膜材料：从下至上，依次由薄膜衬底、TiN底电极、Al2O3薄膜、Hf0.5Zr0.5O2薄膜，TiN顶电极、Au电极组成；其制备方法为：于薄膜衬底之上采用磁控溅射沉积TiN底电极，然后于TiN底电极之上通过原子层沉积Al2O3薄膜，再于Al2O3薄膜之上通过原子层沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜，然后再于Hf0.5Zr0.5O2薄膜之上通过磁控溅射依次沉积TiN顶电极、Au电极，沉积完成后，退火即获得HfO2基铁电薄膜材料；本发明通过在TiN底电极以及HZO铁电薄膜之间引入Al2O3薄膜，通过界面极化，来提高薄膜的铁电性能；并降低薄膜内部的漏电流，提高可靠性。