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公开(公告)号：CN105676378A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610184651.X
申请日：2016-03-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4296 , G02B6/4206 , G02B6/4213 , G02B6/4214
Abstract: 本发明提供一种光纤耦合系统，包括至少三个发光元件、光偏移装置、光合束元件、光聚焦元件和光耦合元件，至少三个发光元件包括第一、第二和第三组发光元件，第一组发光元件与光偏移装置、光聚焦元件和光耦合元件对应，第二和第三组发光元件与光偏移装置、光合束元件、光聚焦元件和光耦合元件对应，以使三组发光元件发出的光线在水平方向和/或竖直方向上偏转预设角度，最终经光聚焦元件后在光耦合元件上形成在光耦合元件的径向上错开且三组光斑的任意两组光斑的中心线不在同一条直线上的三组光斑。通过将三组发光元件发出的光线在水平和/或竖直方向上调整角度，使在耦合镜上形成二维排列的光斑，有效的利用了光耦合元件通光孔径的有效空间。
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公开(公告)号：CN103866320B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410126288.7
申请日：2014-03-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种改善镍基碳化钨激光熔覆涂层的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，向镍基碳化钨涂层粉末中加入稀土氧化镧粉末，其组分的质量百分比为：氧化镧0.8%，碳化钨40%，镍基为59.2%，将上述原料粉末置于密封容器中，放入混料机中混合1-3h；步骤2，激光熔覆以普通A3钢为基材，用400目砂纸将基体打磨光洁，并用丙酮溶液擦拭除表面油污；激光功率为1500-1800w，所选用的光斑宽为5-10mm，扫描速度为1-2m/min，保护气为氮气，气流量为15l/min，送粉率为3-10g/min。
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公开(公告)号：CN105068313A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510478612.6
申请日：2015-08-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00
CPC classification number: G02F1/133606 , G02B6/0025 , G02F1/1336 , G02F2001/133614
Abstract: 本发明公开了一种蓝光LD背光模组，包括：蓝光LD激光源、光散射机构、导光板和反射板；所述蓝光LD激光源设置在所述光散射机构一端，向光散射机构照射激光；所述光散射机构设置在所述导光板的侧面，所述光散射机构散射所述激光源发出的激光至导光板；所述导光板包括入射面、反射面和出射面，所述反射板设置在所述导光板的背面。本发明结构简单、体积小，重量轻，结构紧凑的蓝光LD背板照明模组结构，具有设备投资少，生产工艺简单，产品成品率高的优点。
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公开(公告)号：CN104991570A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510284869.8
申请日：2015-05-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: G05D3/12
Abstract: 基于一维PSD的太阳跟踪传感器，一维PSD安装在传感器外壳底部中心位置；自限温电热保温器设置在一维PSD的正下方；传感器外壳内壁设有螺纹，从下至上依次安装有透镜搁架a、图形光阑搁架、透镜搁架b；透镜安装在透镜搁架a或透镜搁架b上，且透镜(4)的焦距大于透明保护顶盖与一维PSD之间的距离；图形光阑放置于图形光阑搁架上，定位划线垂直于一维PSD的探测方向，V形透光孔的V型开口指向一维PSD的探测正方向；四只光敏器件安装于透镜搁架a顶部并以周向对称方式布置；该太阳跟踪传感器可以判断当前太阳位置并实现太阳位置偏差的补偿式跟踪，且成本低廉。
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公开(公告)号：CN104898285A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510260084.7
申请日：2015-05-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B27/09
CPC classification number: G02B27/0911 , G02B26/085 , G02B27/0944
Abstract: 本发明公开了一种获取光场均匀化激光的装置，该装置包括：用于对激光进行相位调制的全息散光片和MEMS变形镜；所述全息散光片位于所述MEMS变形镜的上方，且与所述MEMS变形镜间隔预设距离；其中，激光光束照射全息散光片的第一面，穿透所述全息散光片之后进入所述MEMS变形镜，经由所述MEMS变形镜反射后再次从全息散光片的第二面进入所述全息散光片，从所述全息散光片的第一面出射消除激光光束中干涉现象的光场均匀化激光；所述全息散光片的第一面远离所述MEMS变形镜。本发明公开的装置，有效的实现了激光光场的均匀化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104821313A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510107060.8
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L25/16 , H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L29/737 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 一种GaAs基HBT和长波长谐振腔单片集成光探测器，该探测器由GaAs基HBT和RCE两部分组成，所述GaAs基HBT和所述RCE被腐蚀截止层InGaP隔开；所述GaAs基HBT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层GaAs、集电区GaAs、非掺杂间隔层GaAs、P+型掺杂基区GaAs、非掺杂间隔层GaAs、发射区In0.49Ga0.51P、盖帽层GaAs构成；所述腐蚀截止层InGaP在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延生长而成；所述RCE由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的25对λ0/4光学厚度的GaAs/AlAs DBR反射底镜、p接触层GaAs、扩散阻挡层InAlGaAs、部分耗尽吸收层InGaAs、吸收层In0.5Ga0.5As、漂移增强层InAlGaAs、异变缓冲层/n接触层InAlGaAs和8对GaAs/AlAs DBR反射顶镜构成。
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公开(公告)号：CN104701154A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510107056.1
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42356 , H01L21/28008 , H01L29/1066
Abstract: 一种使用化学收缩方法实现亚半微米T型栅的制备方法，在GaAs衬底外延层均匀涂上第一层光刻正胶；使用步进投影光刻机进行曝光、显影，在厚度0.35μm的正胶膜上形成第一层胶窗口，即栅光刻的底部窗口；对第一层正胶进行处理，使用Relacs涂布材料涂在底层胶表面使Relacs涂布材料与正胶表面形成一定厚度的稳定的薄膜，使用显影液对形成的薄膜进行显影，保证砷化镓表面残留的Relacs涂布材料能够完全去除干净，这时正胶表面和栅条的侧壁将留下一定厚度的薄膜；涂上负lift-out图形工艺胶；使用步进投影光刻机进行曝光；用电子束蒸发台，淀积Ti/Pt/Au栅金属；使用剥离液剥离所有胶体，形成T型栅。
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公开(公告)号：CN104465901A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410759265.X
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01S3/0941
Abstract: 本发明提供一种蓝光激光器腔面制备方法，其包括：在蓝宝石衬底上方低温生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上通过金属有机化合物化学气相沉积法外延生长蓝光LED/LD外延层；并在蓝宝石衬底下方选区，选区部分利用光化学辅助湿法刻蚀法刻蚀出周期性的刻蚀槽；在蓝光LED/LD外延层上通过蒸镀工艺进行生长电极，且电极在外延层结构的表面上呈周期性排列，相邻电极间形成的绝缘沟道与刻蚀槽的位置相对应；在绝缘沟道与刻蚀槽相对应的位置进行解理，腔面制备。本发明提高了以蓝宝石为衬底的芯片刻蚀效率，有利于蓝宝石衬底上生长的GaN解理端面的形成。
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公开(公告)号：CN104409966A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410759284.2
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明的双波长镓氮基半导体激光芯片结构，属于激光技术应用领域，其与传统的只能发射单一波长激光的芯片结构相比，能够同时发射两种波长激光。本发明的双波长镓氮基半导体激光芯片结构采用重复生长外延层的方法，在蓝宝石基底材料上生长一层外延层后，再累积生长一层同结构不同组分的外延层，然后通过光刻、腐蚀等方法，使一个芯片同时具有两个不同组分的有源区，成为可以同时发射出两种不同波长光的激光器，并且两种波长光的电极相互独立，可单独调节电流大小。本发明使以蓝宝石为基底的激光器的应用范围更宽、更广、更灵活。
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公开(公告)号：CN104377547A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410665286.5
申请日：2014-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构，该结构由GaN基HEMT和LD两部分组成，所述GaN基HEMT和所述LD被隔离层隔开；所述LD由在GaN衬底上依次外延生长的AlGaN下包层、GaN下波导层、InGaN注入层、MQW有源层、AlGaN电子阻挡层、GaN上波导层、AlGaN上包层构成；所述隔离层在所述AlGaN上包层上外延生长而成；所述GaN基HEMT由在隔离层上依次外延生长的AlGaN非掺杂层、GaN非掺杂的通道层、AlN空间隔离层、AlGaN非掺杂势垒层构成。本发明将GaN基HEMT和LD集成在同一块衬底上，实现单片集成GaN基HEMT和LD直接调制半导体激光器。
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