公开(公告)号：CN104572891B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201410817775.8

申请日：2014-12-24

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  李大刚

Inventor： 李大刚 ,  周颖 ,  林信南

IPC: G06F17/30 ,  G06F21/10 ,  G06F21/62 ,  H04L29/06 ,  H04L29/08

Abstract: 本发明提供一种用于网络信息分离存储的文件更新方法，包括以下步骤：拆分保存步骤，拆分文件后将云端分离数据块上传至云端；上传判断步骤，判断云端分离数据块是否成功上传至云端，若是则跳转至本地保存步骤，若否则跳转至判断修改记录文件步骤；本地保存步骤，存储本地数据块并删除已有的修改记录文件；判断修改记录文件步骤，判断是否存在修改记录文件，若是则更新修改记录文件，若否则生成修改记录文件，然后跳转至修改记录文件步骤；修改记录文件步骤，对修改记录进行加密并保存。本发明在生成或更新修改记录文件时，加密变换操作所需密钥等信息从原来的云端分离数据块中提取，在无网络更新时也能完整维持对文件内容的分离存储保护。

公开(公告)号：CN106446405A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610846024.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  张志远

IPC: G06F17/50 ,  G06N3/08

CPC classification number: G06F17/5036 ,  G06N3/08

Abstract: 本申请公开了一种集成电路器件神经网络建模样本选择方法及装置，对于平均影响值最大的输入变量，通过将该输入变量的区间不断地均等划分，直到所有划分出的区间的相对误差都小于或等于预设的误差精度时才停止均等划分动作，并输出划分出的长度最小的区间的长度为该输出变量的步长，再根据该输入变量的步长分别计算其他各输入变量步长，最后对于每一个输入变量，根据其变化区间及步长进行取点，以得到每一个输入变量的样本点集合，从而可以实现在给定精度的情况下实现低样本数据量的选择，并且低样本数据量还节约了器件建模所需的测试开销，提高了神经网络的训练速度。

公开(公告)号：CN104239438A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410437750.5

申请日：2014-08-29

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李大刚 ,  汪洋 ,  林信南 ,  朱晓阳

IPC: G06F17/30

CPC classification number: G06F17/30073 ,  G06F3/0608 ,  G06F17/30082 ,  G06F17/30091 ,  G06F17/3012 ,  G06F17/30132 ,  G06F17/30138 ,  G06F17/30147

Abstract: 本发明提供一种基于分离存储的文件信息存储方法和文件信息存储方法，所述文件信息存储方法包括以下步骤：检测记录步骤，检测文件中是否存在元数据存放地址的记录，否则跳至新建记录步骤，是则在记录有效时访问并读回元数据和抽取数据；更新元数据判断步骤，判断元数据文件中的内容是否发生改变，是则更新元数据文件后跳转至回填文件步骤，否则跳至回填文件步骤；回填文件步骤，回填抽取数据至文件中以恢复原文件内容；以及，新建记录步骤，新建一个分离存储的元数据存放地址的记录，在原文件中分出一段空间以存放该元数据存放地址，并将抽取数据与元数据一同分离存放至元数据文件。本发明将元数据分离存储，由文件维护自己的元数据存放记录。

公开(公告)号：CN104051622A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410188538.X

申请日：2014-05-06

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 胡晓程 ,  魏益群 ,  楼海君 ,  林信南

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种多值相变存储器单元，包括相变材料层、加热电极、顶电极、底电极和隔热材料层，相变材料层包括第一相变材料层和第二相变材料层，加热电极包括第一加热电极和第二加热电极；顶电极位于第一加热电极的顶部，第一加热电极的底部接第一相变材料层的顶部，第一相变材料层的底部接第二相变材料层的顶部，第二相变材料层的底部接第二加热电极，底电极位于第二加热电极的底部，隔热材料层包裹相变材料层和加热电极。本发明提出新型多值相变存储器单元，其通过堆垛结构及两个加热电极，使得在电流脉冲作用下，第一相变材料层和第二相变材料层依次发生相变，产生晶态\晶态、晶态\非晶态、非晶态\非晶态等相态，为实现多值存储提供可能。

公开(公告)号：CN102185301A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110132583.X

申请日：2011-05-20

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 黄宇聪 ,  林信南 ,  何进 ,  王伟

IPC: H02H9/00

Abstract: 本发明公开了一种静电放电ESD保护电路，包括具有一个或多个MOS管的静电放电支路，还包括栅极触发信号产生电路，用于产生栅极触发信号，所述栅极触发信号连接到至少一个MOS管的栅极；衬底触发信号产生电路，用于产生衬底触发信号，所述衬底触发信号连接到所述至少一个MOS管的衬底；其中，所述衬底触发信号的反应时间不小于所述静电放电电压的上升时间或者不小于20ns。提高了静电放电保护电路的保护能力，降低误触发引起漏电流的可能性。