公开(公告)号：CN102760844A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210132278.5

申请日：2012-04-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 远藤太郎 ,  佐藤信彦 ,  高谷格 ,  广木知之 ,  石毛刚一 ,  盐原悟 ,  镰谷淳 ,  西出洋祐

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H05B37/00 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/0018

Abstract: 本发明提供包括有机电致发光元件的有机电致发光显示装置的制造方法，其具有与以真空原位法形成的有机电致发光元件的那些相当的元件特性，同时利用基于光刻法的图案化方法。有机电致发光显示装置的制造方法包括：至少在第一电极上形成有机化合物层的有机化合物层形成步骤；在该有机化合物层上形成剥离层的剥离层形成步骤；加工该剥离层的剥离层加工步骤；和将没有被在该剥离层加工步骤中已被加工的剥离层覆盖的区域中的有机化合物层除去的有机化合物层加工步骤，并且该剥离层中的至少最下层是由在极性溶剂中可溶的材料形成的沉积膜。

公开(公告)号：CN102760698A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210130431.0

申请日：2012-04-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 和泉望 ,  大久保显治 ,  广木知之 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/77 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3211

Abstract: 本申请公开了有机EL显示装置的制造方法，其中，在形成用于将有机化合物层图案化的层之后通过气相沉积形成该有机化合物层，使得有机化合物层在不受用于图案化的层的侧部的表面张力影响的状态下形成。

公开(公告)号：CN102142450A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110042341.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成濑裕章 ,  冈川崇 ,  三岛隆一 ,  佐藤信彦 ,  让原浩

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种光电转换装置的制造方法。该光电转换装置包括：半导体基板；光电转换元件和MOS晶体管，布置在基板中；多层配线结构，包括多个配线层的叠层和使配线层隔离的层间绝缘膜。该制造方法包括：形成MOS晶体管的栅极和有源区；在基板上形成第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜中形成第一孔；在第一孔中形成金属膜以形成第一插头，以在有源区之间、栅极之间或者有源区和栅极之间相互连接；在第一层间绝缘膜中形成第二孔；在第二孔中形成金属膜，以形成第二插头，以电连接至任一有源区；形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜；根据双镶嵌工艺在第二层间绝缘膜上形成双镶嵌结构。通过此结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。

公开(公告)号：CN102084719A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126095.9

申请日：2009-07-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森山孝志 ,  三村敏彦 ,  佐藤信彦 ,  永山耕平 ,  井关正己 ,  和泉望 ,  玉木顺也

IPC: H05B33/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22 ,  H05B33/24 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/3209

Abstract: 防止在发光器件层叠的结构中从与接触孔重叠的区域发光。一种层叠的有机电致发光显示装置包括将第一电极或第二电极电连接到驱动电路的接触孔。在该接触孔中设置第一或第二电极以及第二有机化合物层，并且存在于该接触孔中的第二有机化合物层不发光。

公开(公告)号：CN101252138B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200810080875.1

申请日：2008-02-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 成濑裕章 ,  冈川崇 ,  三岛隆一 ,  佐藤信彦 ,  让原浩

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统。该光电转换装置包括：第一层间绝缘膜，置于半导体基板上；第一插头，置于第一层间绝缘膜中的第一孔中，用于电连接在置于半导体基板中的多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间、或者有源区和MOS晶体管的栅极之间，但不是通过配线层的配线来连接的；和第二插头，置于第一层间绝缘膜中的第二孔中，第二插头电连接至有源区，其中，被布置在第二插头上方的最靠近第二插头的配线电连接至第二插头，电连接至第二插头的配线形成双镶嵌结构的一部分。通过这样的结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。

公开(公告)号：CN1155065C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99111074.9

申请日：1999-06-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76243

Abstract: 制备其表面层在含氢气的还原气氛中已热处理的单晶硅衬底；通过注入氧离子形成离子注入层；随后，利用离子注入层通过热处理形成埋入的氧化膜(BOX)层。由此得到具有在BOX层上形成且如COP等的缺陷数量显著减少的单晶硅层(SOI层)的SOI衬底。

公开(公告)号：CN1132223C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN96121054.0

申请日：1996-10-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦 ,  米原隆夫 ,  坂口清文

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

Abstract: 生产平整、质量好SOI衬底的方法，同时包括多孔形成步骤，在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层；及大孔隙率层形成步骤，在多孔硅层中形成大孔隙率层。把离子注入多孔硅层并伸入到给定区域，或者在多孔形成步骤中改变阳极氧化的电流密度，进行大孔隙率层形成步骤。在多孔硅层上面外延生长非多孔单晶硅层。把多孔硅层表面和支撑衬底连接在一起，在具有大孔隙率的多孔硅层处进行分离。接着进行选择刻蚀，以便除掉多孔硅层。通过重复利用衬底能节省资源和降低成本。

公开(公告)号：CN1272682A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN00108219.1

申请日：2000-04-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近江和明 ,  中川克己 ,  佐藤信彦 ,  坂口清文 ,  柳田一隆 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76259 ,  Y10S438/96

Abstract: 为了在分离层中的固定位置处引起裂纹,一种分离合成件的方法包括步骤:在合成件内部形成一个分离层;在分离层内部形成一个其中平面应力已经集中产生到不会由平面应力引起分离的程度的应力上升层;及增大平面应力以在应力上升层中引起裂纹,由此分离合成件。

公开(公告)号：CN1058354C

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN96111711.7

申请日：1996-07-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山方宪二 ,  米原隆夫 ,  佐藤信彦 ,  坂口清文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76243

Abstract: 半导体部件的制造方法，包括以下步骤，提供硅制成的第1衬底，对衬底硅多孔化，使第1衬底上有多孔硅层，在多孔硅层上外延生长无孔单晶硅层，将第1衬底层叠在第2衬底上，使第1和第2衬底的至少一层叠面有氧化硅层，并使无孔单晶硅层位于层叠的衬底之间，腐蚀除去多孔硅层，其中用腐蚀无孔单晶硅层和氧化硅层各自的腐蚀速率不大于10A/分钟的腐蚀液腐蚀多孔硅层。

公开(公告)号：CN1249531A

公开(公告)日：2000-04-05

申请号：CN99122021.8

申请日：1999-09-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/3063

Abstract: 一种半导体衬底的制造工艺,包括封闭多孔硅层的表面微孔,然后在多孔硅层上通过外延生长形成单晶层,在封闭之后外延生长之前,在高于封闭时的温度下进行中间热处理。这种工艺改善了具有通过外延生长形成的单晶层的半导体衬底的结晶质量,并且提高了用于键合晶片时的键合界面的平滑度,能够通过激光散射方法检测表面上的较小颗粒。