公开(公告)号：CN103650186A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033162.4

申请日：2012-06-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林润平 ,  古田达雄 ,  清水康志 ,  松田坚义 ,  斋藤宏 ,  久保田纯

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01L41/1871 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79

Abstract: 本发明提供无铅压电材料，其在宽运行温度范围内具有稳定、优异的压电常数和机械品质因数。该压电材料包括由(Ba1-xCax)a(Ti1-yZry)O3(其中1.00≤a≤1.01，0.155≤x≤0.300，0.041≤y≤0.069)表示的钙钛矿型金属氧化物作为主要成分，和在该钙钛矿型金属氧化物中引入的锰。相对于100重量份的该钙钛矿型金属氧化物，锰含量为0.12重量份-0.40重量份，基于金属。

公开(公告)号：CN102934247A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027712.7

申请日：2011-06-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田坚义 ,  渡边隆之 ,  林润平

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  B08B7/02 ,  B41J2/14 ,  C04B35/495

CPC classification number: H01L41/1871 ,  B08B7/026 ,  B41J2/14233 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/76 ,  H01L41/43 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

Abstract: 提供包含具有高取向度的基于铌酸钡铋钙的钨青铜结构金属氧化物的压电材料。还提供包括压电材料的压电元件、液体排放头、超声波电机、以及灰尘清洁设备。压电材料包括：钨青铜结构金属氧化物，包括金属元素钡、铋、钙和铌；以及钨。金属元素以摩尔计量满足以下条件：当Ba/Nb＝a时，0.37≤a≤0.40，当Bi/Nb＝b时，0.020≤b≤0.065，以及当Ca/Nb＝c时，0.007≤c≤0.10。以金属计量的钨含量相对于钨青铜结构金属氧化物的100重量份是0.4至2.0重量份。钨青铜结构金属氧化物具有c轴取向。

公开(公告)号：CN102549790A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043224.0

申请日：2010-09-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 林润平 ,  渡边隆之 ,  松田坚义 ,  三浦薰 ,  久保田纯

IPC: H01L41/18 ,  C04B35/495

CPC classification number: H01L41/187 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787

Abstract: 本发明提供压电材料，其包括具有高居里温度和压电性优异的氧化铋钡铌基钨青铜结构的金属氧化物。该压电材料包括由下述通式(1)表示的具有钨青铜结构金属氧化物，其中该具有钨青铜结构的金属氧化物包括Li，并且Li的含量为0.015重量％-0.600重量％，以金属计，相对于100重量份的该金属氧化物：AXB10O30(1)其中A表示Ba和Bi，或者Ba和Bi和选自Na、Sr和Ca中的至少一种元素；B表示Nb，或者Nb和Ta；并且x表示4.5＜x＜5.5的数值。

公开(公告)号：CN101641806B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880009802.1

申请日：2008-03-05

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 林润平 ,  松田坚义 ,  福井哲朗 ,  舟洼浩

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/24

CPC classification number: H01L41/0973 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/319

Abstract: 本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO2层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA2O3-(1-x)BO2 (2)，其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。