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公开(公告)号：CN102543250A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110408371.X
申请日：2007-03-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: H01B1/08 , H01B5/14 , H01B13/00 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34 , C23C14/32
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/664 , C04B2235/80
Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜，提供输入高直流电功率也不会产生电弧和裂缝、作为可发生溅射的靶电极而有用的、实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，和快速形成氧化物透明导电膜的制造方法以及耐化学试剂性优良的氧化物透明导电膜。提供一种氧化物烧结体，是实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，锡以Sn/(Zn+Sn)的原子数比计含有0.23～0.50，并且，主要由氧化锌晶体相和锡酸锌化合物晶体相构成，或者由锡酸锌化合物晶体相构成，实质上不含氧化锡晶体相或固溶锌的氧化锡晶体相。
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公开(公告)号：CN102482155A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080034732.2
申请日：2010-07-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供能够实现适合于蓝色LED及太阳能电池的透明导电膜的高速成膜和无结节成膜的溅射用靶、用于得到它的最佳氧化物烧结体及其制造方法。该氧化物烧结体是含有铟和铈作为氧化物，而且以氧化物的形式含有一种以上金属元素(M元素)，该金属元素从由钛、锆、铪、钼及钨组成的金属元素群组中选出，并且铈的含量以Ce/(In+Ce+M)原子数比计为0.3～9原子％、M元素的含量以M/(In+Ce+M)原子数比计为1原子％以下、铈和M元素的总含量以(Ce+M)/(In+Ce+M)原子数比计为9原子％以下，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO2相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒进行细微地分散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101960625A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107932.3
申请日：2009-03-05
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供能够有效地输出蓝色光或紫外光的半导体发光元件以及使用该半导体发光元件的灯。在制造具有至少含p型半导体层的化合物半导体层和在该p型半导体层上设置的透明电极的半导体发光元件时，通过在上述p型半导体层上形成非晶质状态的由铟和镓构成的氧化物膜、或者形成非晶质状态的由铟、镓和锡构成的氧化物膜，从而形成透明导电膜，然后，在200～480℃的温度下对上述透明导电膜进行退火处理的工序，制造出半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN1938791B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200580010515.9
申请日：2005-09-13
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/08 , C03C17/36 , C03C17/3647 , C23C14/086 , Y10T428/249921
Abstract: 本发明提供新的透明导电性薄膜叠层膜，其不仅在可见光区的透射率高、且具有低的表面电阻(6～500Ω/□)，而且在波长380～400nm的可见光短波长区或更短波长的300～380nm的近紫外区也兼具高的光透射率。金属薄膜11的表面被透明氧化物薄膜10、12覆盖的叠层结构的透明导电膜。透明氧化物薄膜10、12是主要由镓、铟和氧构成的非晶质氧化物薄膜、或者是主要由镓和氧构成的非晶质氧化物薄膜，透明氧化物薄膜10、12中所含的镓的比例相对于全部金属原子为35原子％以上100原子％以下。
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公开(公告)号：CN100582822C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200510108571.8
申请日：2005-10-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: G02B5/22
Abstract: 本发明涉及一种将使透射光衰减的吸收型多层膜设置在薄膜基板上的吸收型多层膜ND滤光片，其特征在于，吸收型多层膜(13、16)是通过交替层叠由SiO2、Al2O3或者这些等的混合物构成的电介质层(14、17)和由Ni单体或者Ni类合金构成的金属膜层(15、18)而形成的多层膜构成的，吸收型多层膜在基板的两面上分别形成，从而成为以基板为中心而相互对称的膜结构，并且，基板的弯曲的曲率半径被调整为大于等于500mm。
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公开(公告)号：CN101038796A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710079456.1
申请日：2007-03-12
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/664 , C04B2235/80
Abstract: 本发明提供输入高直流电功率也不会产生电弧和裂缝、作为可发生溅射的靶电极而有用的氧化物烧结体，和快速形成氧化物透明导电膜的制造方法以及耐化学试剂性优良的氧化物透明导电膜。提供一种氧化物烧结体，是实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体，锡以Sn/(Zn+Sn)的原子数比计含有0.23～0.50，并且，主要由氧化锌相和锡酸锌化合物相构成；并提供一种氧化物烧结体的制造方法，向含有锡酸锌化合物粉末或者氧化锡粉末与氧化锌粉末的混合粉末的原料粉末中混入水系溶剂，将所得的浆液混合15小时以上后，进行固液分离、干燥、制粒，接着，将该制粒物加入到模板中成形，然后，将所得成形物在焙烧氛围气体中于1300～1500℃下烧结15小时以上。
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公开(公告)号：CN101024874A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610167476.X
申请日：2006-12-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: H01B1/12 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80
Abstract: 本发明的透明导电膜制造用烧结体靶主要由Ga、In和O形成，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，主要由β－GaInO3相和In2O3相构成，In2O3相(400)/β－GaInO3相(111)X射线衍射峰强度比为45％以下，并且密度在5.8g/cm3以上。使用溅射法得到的透明导电膜为主要由Ga、In和O形成的非晶质氧化物膜透明导电膜，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，功函数在5.1eV以上，波长633nm下的折射率在1.65以上1.85以下。
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