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公开(公告)号：CN107614761A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680028722.5
申请日：2016-06-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的金刚石包含氮原子。该氮原子的浓度沿着金刚石单晶的晶体取向周期性地变化。沿着晶体取向的一个周期的距离的算术平均值Aave、最大值Amax和最小值Amin满足由下式(I)表示的关系：(Amax)/1.25≤(Aave)≤(Amin)/0.75…(I)。
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公开(公告)号：CN107108230A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004553.1
申请日：2016-10-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B23B27/20 , B23B2226/27 , B23B2226/315 , B23B2240/08 , B24D18/0009 , C04B35/52 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B2235/422 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/656 , C04B2235/72 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96
Abstract: 一种复合多晶体,包含：由相互直接结合的金刚石粒子形成的多晶金刚石，以及分散在所述多晶金刚石中的非金刚石碳，该复合多晶体中所含的氢的浓度大于1000ppm且小于等于20000ppm。
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公开(公告)号：CN107108229A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004607.4
申请日：2016-10-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C04B35/52 , B26D1/0006 , C04B35/645 , C04B2235/422 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/608 , C04B2235/72 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/80 , C04B2235/85
Abstract: 复合多晶体包含：由相互直接结合的金刚石粒子形成的多晶金刚石，以及分散在所述多晶金刚石中的非金刚石碳，该复合多晶体中所含的氢的浓度为1000ppm以下。
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公开(公告)号：CN106661759A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580043048.3
申请日：2015-08-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种能缩短分离衬底和金刚石层的分离时间的金刚石复合体、衬底和制造金刚石的方法、以及从所述金刚石复合体获得的金刚石和包括所述金刚石的工具。所述金刚石复合体包括：包括金刚石籽晶并在主表面中具有沟槽的衬底，形成在所述衬底的主表面上的金刚石层，以及在距所述衬底和所述金刚石层之间的界面恒定深度处形成在衬底侧上的非金刚石层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106661758A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042702.9
申请日：2015-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C01B31/06 , C01B32/25 , C23C14/48 , C23C16/01 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B31/22 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。一种通过气相合成法制造金刚石的方法，其包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过对所述基板实施离子注入而在自所述基板的主表面起算的预定深度处形成透光性比所述基板低的光吸收层；通过所述气相合成法在所述基板的所述主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。
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公开(公告)号：CN103732535B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280037414.0
申请日：2012-07-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/06
CPC classification number: C01B32/25 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0655
Abstract: 本发明涉及一种纳米多晶金刚石(1)，其包括碳和多种非碳杂质。每一种所述杂质的浓度均等于或小于0.01质量%，并且该纳米多晶金刚石(1)的晶粒尺寸（最大长度）至多为500nm。该纳米多晶金刚石(1)可以由以下方法制造：制备杂质浓度至多为0.01质量%的石墨，然后使该石墨经受高温和极高的压力，从而将所述石墨转化为金刚石。
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公开(公告)号：CN102712478A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005940.4
申请日：2011-08-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , B01J2203/0685 , B23B2226/315 , B23C2226/315 , B24B53/12 , B24D3/00 , C01B32/25 , Y10T83/0215 , Y10T83/0333 , Y10T83/0385 , Y10T83/929 , Y10T83/9372 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种多晶金刚石，其包含：立方金刚石；以及六方金刚石，所述六方金刚石的(100)面的X射线衍射峰强度与所述立方金刚石的(111)面的X射线衍射峰强度的比值不低于0.01%。此外，本发明制造多晶金刚石的方法包括以下步骤：制备石墨化度小于或等于0.58的非金刚石碳材料；以及在不添加任何烧结剂和结合剂的情况下，在金刚石呈热力学稳定的压力和温度条件下将所述非金刚石碳材料直接转化为立方金刚石和六方金刚石，并进行烧结。
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公开(公告)号：CN1717814A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104378.6
申请日：2003-11-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种结晶平均粒径处于50纳米以下、相对密度处于85％以上的热电材料，以及包括微细粉末的制备工序和在1.0GPa以上且10GPa以下的压力下将微细粉末烧结或使其固化的工序的热电材料的制造方法。
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公开(公告)号：CN1708834A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380100646.7
申请日：2003-12-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/04
Abstract: 本发明制备n－型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用Li和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n－型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。
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