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公开(公告)号：CN101661971A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910092913.X
申请日：2009-09-10
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , C23C14/34 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/06
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备CuInSe 2 (CIS)基薄膜太阳能电池光吸收层的方法。首先在钠玻璃基片溅射上制备CIS基薄膜太阳能电池所需的Mo电极；然后以CuIn 0.7 Ga 0.3 Se 2.2 为靶材，在Mo电极上进行溅射得沉积态CuIn 0.7 Ga 0.3 Se 2.0 (CIGS)薄膜，再对沉积态的CIGS薄膜进行热处理：真空腔体充氩气至100Pa，将沉积态CIGS薄膜以20～40℃/min的升温速率升温至450～550℃，保温15min，随后以20～40℃/min的降温速率降温至350℃，随炉冷却至室温，得到CuInSe 2 基薄膜太阳能电池CIGS光吸收层。
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公开(公告)号：CN119905463A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510092246.4
申请日：2025-01-21
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L23/373 , H10N10/80 , H10N10/01
Abstract: 本发明属于热电发电技术领域，具体涉及一种相变散热器、一种利用相变热管理增强的热电器件及其制备方法。本发明提供的相变散热器，包括导热模块和相变模块，所述导热模块设置在热电器件的热端，所述相变模块设置在热电器件的冷端；所述导热模块的材料为热固性树脂基复合材料，所述相变模块的材料为石蜡基复合材料。本发明提供的相变散热器与热电器件的接触热阻低且具有良好的散热性能，能够保证热电器件冷热端温差进而增强热电器件的输出性能。同时相变散热器密度小、成本低，能够满足多种热电器件的适配需求。
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公开(公告)号：CN119682066A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510021931.8
申请日：2025-01-07
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: B28D7/04
Abstract: 本发明公开了一种超导带材分切导向装置，涉及超导带材分切技术领域，包括：滑动装置和导向结构，滑动装置包括上滑台、下滑台、调节螺杆和两个固定块，上滑台沿第一方向滑动连接在下滑台的上侧，两个固定块分别固定连接在下滑台和上滑台上，其中一个固定块上设置有在第一方向上连通该固定块的两侧的螺纹孔，调节螺杆穿过螺纹孔并螺纹连接在螺孔内，转动调节螺杆能够使上滑台相对与下滑台在第一方向上滑动；导向结构具有一个导向通道，超导带材能够沿导向通道移动并被切刀分切。本发明提供的超导带材分切导向装置通过设置调节螺杆，将调节螺杆沿螺纹的转动转化为上滑台的直线运动，提高了调节的精度。
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公开(公告)号：CN114156014B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202111629228.3
申请日：2021-12-28
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开一种多层YBCO超导带材制备装置及制备方法，涉及超导带材制备领域，本发明提供的多层YBCO超导带材制备装置及制备方法均将两个超导带材缠绕于柱体上，并通过将两个超导带材旋紧于柱体上，实现两个超导带体之间预紧力的施加。如此设置，该多层YBCO超导带材制备装置及制备方法能够制备的带材长度更长，且超导带体长度无需与装置长度一致，灵活性大大提高。
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公开(公告)号：CN119277949A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411345729.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H10N10/852 , H10N10/01 , C01B19/04 , C01B32/198
Abstract: 本发明提供了一种Ag2Se复合薄膜及其制备方法和应用，属于热电薄膜技术领域。本发明提供了一种Ag2Se复合薄膜，包括硒化银以及掺杂在所述硒化银中的氧化石墨烯。本发明利用石墨烯的高迁移率特点对Ag2Se进行微量掺杂，有助于提高Ag2Se中载流子的迁移率，从而进一步提高其电导率和热电性能。本发明提供的制备方法具有普适性。此外，本发明提供的Ag2Se复合热电薄膜具有良好的热电性能，在废热回收利用领域具有广阔应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115747565B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202211263840.8
申请日：2022-10-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种Mg3Sb2基热电材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明通过在MgSbBiTe热电材料中共掺杂Co和Er元素，能够显著提高Mg3Sb2基热电材料的高温稳定性，这是由于阳离子元素Co和Er的加入，不仅可以保证材料的热电性能；还可以通过取代Mg元素，减少Mg元素含量，有效阻止高温Mg损失，且元素Co和Er的熔点显著高于Mg元素，它们的加入可以提高整个化合物的熔点，从而使得材料高温稳定性得以提高，所得Mg3Sb2基热电材料在673K下保持稳定。
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公开(公告)号：CN116834419A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310772674.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种稀土钡铜氧块材及其制备方法，属于超导材料制备技术领域。本发明先将REBCO带材中的金属保护层去除，使REBCO带材中的银层裸露在外，然后将银层与银带重叠后进行热压，可以使银层与银带扩散连接到一起，提高其力学性能，然后将银带/REBCO带材中的金属合金基带和缓冲层剥离，在这个过程中银层与银带可以起到支撑的作用，从而避免了REBCO超导层的受损，使REBCO超导层完整地与缓冲层分离，最后通过刻蚀的方式将银带/银层/REBCO超导层中的银带和银层去除，得到了完整的REBCO超导层。
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公开(公告)号：CN116288202A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310183408.6
申请日：2023-03-01
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种Mg3Sb2热电薄膜的制备方法，涉及热电材料技术领域。本发明采用直流和射频的共溅射在衬底上实现了高纯Mg3Sb2热电薄膜的制备。本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制备出了性能优异的Mg3Sb2薄膜，制得的薄膜结晶性很高，界面散射效应明显，相比块体Mg3Sb2材料，制备的Mg3Sb2热电薄膜的功率因数大幅提高。
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公开(公告)号：CN115915889A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211416896.2
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种Mg3Sb2基热电器件及其制备方法，属于热电材料技术领域。本发明将所述Mg3Sb2基热电材料制成粉末，采用3D打印的方式制备Mg3Sb2基热电器件，热电臂材料结构致密，导电性好；本发明采用3D打印的方式，热电器件图形可根据应用场景灵活设计，适用范围广，且容易制备高集成度、高功率密度的热电器件；本发明采用3D打印的方式，热电器件制备过程简单高效，有利于推动柔性微型热电器件的批量化生产技术的发展。本发明采用3D打印的方式连接电极材料，电极材料与热电材料之间接触电阻较小，有利于提高热电器件的输出性能。
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公开(公告)号：CN113593767B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010365158.4
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明提供了一种第二代高温超导线的连接方法及一种连接超导线，属于超导电工技术领域。本发明通过高温热处理连接第二代高温超导线的银层，以此完整地将超导层从缓冲层上剥离。剥离后裸露的超导层一面可用于超导层的直接连接形成超导接头，而与其另一面相连的银层即可作为快速的氧扩散通道。其次，对于剥离后获得的超导线连接体，可利用金属基带、缓冲层或较厚的银带为银层和超导层提供支撑或隔离，保证了接头的机械性能。最后，对于采用银带剥离超导层可使得制备的接头表面为银，氧可直接透过银层表面进入超导层，极大地缩短接头的氧化退火时间，提高超导接头的制备效率。
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