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公开(公告)号：CN114678289A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011555153.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种清洗液供给装置及半导体清洗设备，该清洗液供给装置包括储液腔、补液管。在储液腔内设置有换热管。且换热管至少部分浸泡储液腔内的清洗液中。通过在储液腔内设置与补液管连通的换热管，且换热管至少部分浸泡在储液腔内的清洗液中，在通过补液管向储液腔补充清洗液时，补液管中的清洗液从换热管中流到储液腔内。且清洗液在换热管中流动时，换热管中的清洗液与储液腔中的清洗液在存在温差时，相互之间会进行热交换，从而使从换热管中流入到储液腔中的清洗液的温度可以在较短的时间内和原来储液腔中的温度达成一致，以保证补充到储液腔中的清洗液的温度为恒温。只需一个储液腔即可，简化结构，减少浪费。
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公开(公告)号：CN114653651A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011555813.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B08B3/02 , B08B3/08 , B08B13/00 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种晶圆清洗装置及清洗方法，其中晶圆清洗装置包括：至少一个输液管；所述至少一个输液管沿长度方向上设置有多个喷嘴；所述至少一个输液管开设有多个进液口，其中，所述多个进液口中的两个进液口分别位于所述输液管的两端。本发明能够保证同一输液管上的所有喷嘴对晶圆的清洗效果，提高晶圆清洗装置内不同晶圆间的腐蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN114613711A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011409721.X
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种晶圆调节装置、调节方法及半导体制造设备，涉及半导体加工技术领域，用于使晶圆相对晶圆承载台处在正确位置。该晶圆调节装置包括：用于调节晶圆相对晶圆承载台的位置。该晶圆调节装置包括：用于检测晶圆相对晶圆承载台的倾斜角度及偏移量的传感器组件。用于调节倾斜角度和/或偏移量的多个调节组件及控制器。控制器与传感器组件及多个调节组件通信连接，用于根据传感器组件检测的倾斜角度和偏移量，控制至少一个调节组件对所述晶圆的位置进行调节，以使晶圆相对晶圆承载台处在正确位置。上述半导体制造设备包括上述晶圆调节装置。上述晶圆调节方法用于上述晶圆调节装置，以使晶圆处在正确位置。
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公开(公告)号：CN114551273A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011341241.4
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种尾气排除系统、排除方法及半导体设备，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中通过更换末端执行臂来防止副产物飞散到晶圆上的方式造成生产效率低下的问题。尾气排除系统包括设于末端执行臂表面的多个微孔、多支路混合腔体、控制阀和排放管线，排放管线包括位于末端执行臂内部的第一排放管线和位于末端执行臂外部的第二排放管线，多支路混合腔体上设有出气孔和多个进气孔，进气孔的数量与微孔的数量相同，微孔和进气孔之间通过第一排放管线连接，多个微孔的气体汇集于多支路混合腔体，出气孔和控制阀通过第二排放管线连接。本发明实现了从根本上防止副产物的产生。
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公开(公告)号：CN114521035A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011293519.5
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中晶圆间接诱导加热方式加热速度慢、加热深度不可控的问题。上述晶圆的直接诱导加热装置，包括交变磁束发生组件，利用交变磁束发生组件的交流电产生交变磁束，晶圆置于交变磁束发生组件产生的交变磁束内，置于交变磁束内的晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。上述晶圆的直接诱导加热方法，包括如下步骤：利用交流电产生交变磁束，将晶圆置于交变磁束内，晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。本发明的晶圆的直接诱导加热装置和加热方法可用于晶圆的直接诱导加热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114520162A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011301161.6
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种扩散设备及其加热控制方法，该扩散设备包括：扩散炉体，用于放置待扩散加工的晶圆，扩散炉体内自上而下划分成多个加热区域；多个加热装置，用于给扩散炉体加热，依照扩散炉体的高度方向设置在扩散炉体的侧壁上，且加热装置与加热区域一一对应设置；多个监测装置，与多个加热装置一一对应设置，用于监测加热装置中加热电阻的阻值，并将加热电阻的阻值发送给报警装置；报警装置，用于将加热电阻的阻值与预设阻值进行比较，若比较结果符合预设条件则报警。本公开的扩散设备，通过对加热电阻的阻值进行监测，在品质事故发生前可以感知风险，从而将工艺不良风险在事前予以排除，避免损失。
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公开(公告)号：CN114446888A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011219639.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种电容器孔制造方法及DRAM制造方法，属于半导体技术领域，解决沟槽侧壁弯曲和顶部掩模腐蚀造成的顶部关键尺寸增加的问题。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上方顺序形成刻蚀停止层和待刻蚀层；刻蚀第三支撑层并过刻蚀第二模制层，以形成第一沟槽；通过沉积工艺在第一沟槽上方形成侧墙材料层；对第一沟槽的底面处的侧墙材料进行开口刻蚀，其中，通过剩余的侧墙材料限定电容器孔的尺寸；以顶部覆盖的侧墙材料层为掩模，对第一沟槽的底部的第二支撑层、第一模制层和第一支撑层进行刻蚀，直到刻蚀停止层停止。通过侧墙材料防止侧壁弯曲和顶部掩模腐蚀，从而避免顶部关键尺寸增加。
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公开(公告)号：CN114199193A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010987012.3
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G01C9/00 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及一种倾斜检测装置、方法和机械臂系统，属于测量技术领域，解决了现有在晶圆持续性的移动时，发现承载结构问题的时机点通常都是在晶圆损坏以及刮伤或工艺不良(边缘低良率)发生后的问题。倾斜检测装置包括：待测对象，放置在机械臂承载结构上；激光光纤传感器，包括第一激光光纤传感器和第二激光光纤传感器，以中心对称的方式分别设置在机械臂承载结构和机械臂臂部之间的阻挡件的两端处，其中，用于在待测对象移动过程中，以平行方式朝向待测对象分别发射激光束并相应地接收从待测对象反射的反射光，以根据反射光判断待测对象是否倾斜。能够检测倾斜，以避免由于倾斜造成的晶圆刮伤和损坏，提升了良率。
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公开(公告)号：CN113948438A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010695883.8
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法，其中，静电卡盘，包括：卡盘本体和限位环；限位环用于承托晶片；限位环的表面设置有连接部，连接部用于通过与移动件连接带动限位环和晶片移动，以将晶片安装在卡盘本体上；在晶片安装在卡盘本体上的情况下，限位环套接在卡盘本体的外围周侧。本发明能够延长静电卡盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113948359A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010695475.2
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，所述静电吸盘包括：一电介质层，该电介质层中设置有正电极和负电极，所述静电吸盘还包括供电系统，该供电系统包括基本电压源、基本电压控制器以及自偏压传感器，其中，基本电压源连接于正电极和负电极之间，用于供应正电极和负电极各自需要的电荷；自偏压传感器用于对自偏压进行检测，自偏压为静电吸盘所吸附的晶圆的表面在等离子体环境下形成的负的电压；基本电压控制器用于根据自偏压的值对基本电压源的输出电压进行控制，以使自偏压与静电吸盘的正电极电压之间的电压差无法形成电弧。本发明能够防止静电吸盘出现拉弧。
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