公开(公告)号：CN1198954C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN02151295.7

申请日：2002-12-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴根柱 ,  齐鸣 ,  李爱珍 ,  张永刚

IPC: C23C14/50 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具，其特征在于采用了非接触固定方式，避免产生机械损伤。该夹具由一个不锈钢板上开有宽度为0.15-0.25mm，间距为2-3mm的多条狭缝而制成。使用时只要把解理条放进狭缝里即可固定。由于狭缝宽度大于解理条厚度而小于解理条宽度，同时采用一种不锈钢板下设有网格的方法，保证解理条从狭缝里掉不下来，所以解理条装在狭缝里始终位于竖立状态，并且端面保持水平朝下方向。由于一个夹具上有多条狭缝，所以由一个夹具一次可以装配好多解理条，并且解理条装卸过程非常容易。另外也很方便实施两个腔面蒸镀，本发明提供的非接触式固定的夹具结构简单、操作简便、安全可靠、加工成本低、使用寿命长、非常适合于批量生产。

公开(公告)号：CN1587438A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410053351.5

申请日：2004-07-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 于广辉 ,  雷本亮 ,  叶好华 ,  齐鸣 ,  李爱珍

IPC: C23C16/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。低温AlN插入层的引入，释放了低温AlN层上继续生长的GaN膜中的应力，从而提高了GaN层的质量。这种方法简单易行，且对于低温AlN层的结晶质量要求不高，适合于科学实验和批量生产时采用，AlN层可以采用化学气相沉积、分子束外延或溅射等方法制备的。