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公开(公告)号：CN115016018A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210633597.8
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于金刚石色心量子传感技术技术领域，提供了荧光收集方法及装置，该荧光收集方法包括：获取抛物面透镜和预设尺寸的金刚石NV，加工抛物面透镜上表面中部，得到与预设尺寸的金刚石NV大小相同的抛物面透镜凹槽；将预设尺寸的金刚石NV放入抛物面透镜凹槽，并向预设尺寸的金刚石NV和抛物面透镜的上表面蒸镀二向色滤光镀层；基于抛物面透镜及预设尺寸的金刚石NV收集荧光。本申请提高了金刚石NV的荧光收集效率。
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公开(公告)号：CN114540952A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210051168.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，属于异质外延金刚石制备技术领域，包括以下步骤：以MgO衬底为基础衬底，通过光刻和刻蚀制备金字塔形状的MgO衬底，并通过高温溅射将金属Ir结合，形成Ir/MgO复合衬底，通过在Ir/MgO复合衬底上完成异质外延金刚石的生长，最后，Ir/MgO复合衬底连同外延金刚石一并从高温状态快速降温，利用Ir/MgO复合衬底和外延金刚石热膨胀系数的不同，使二者脱离，以完成异质外延金刚石的制备，并达到Ir/MgO复合衬底可重复利用的目的。本发明提供的一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，有助于制备人为可控厚度，表面均匀平坦，可重复利用衬底异质外延金刚石材料。
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公开(公告)号：CN110429030B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910696974.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种纳米栅的制备方法，包括：根据第一介质层表面沉积的第一光刻胶上的光刻胶图形，对第一介质层表面光刻胶图形以外的区域进行第一次刻蚀，去除第一次刻蚀后的第一介质层表面沉积的第一光刻胶，获得衬底和第一次刻蚀后的第一介质层构成的台阶结构；在台阶结构的水平表面和垂直侧壁上沉积金属层，并在金属层的表面生长第二介质层；对金属层和第二介质层进行第二次刻蚀；在第二次刻蚀后的台阶结构上生长第三介质层，并对第三介质层表面进行抛光，使第三介质层上表面齐平并露出金属层对应的金属，获得纳米栅。本发明利用台阶垂直侧壁的金属层作为纳米栅，可以精确控制纳米栅的尺寸，降低纳米栅的制作难度。
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公开(公告)号：CN113871464A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110994144.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种硅终端金刚石场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管器件技术领域，制备方法包括在金刚石衬底的上表面形成氢终端；在氢终端的上表面形成源极和漏极；在源极的上表面、漏极的上表面、源极和漏极之间的氢终端的上表面形成钝化介质层；去除源极和漏极之间的部分钝化介质层，使得对应部分的氢终端的上表面裸露；在其余钝化介质层的上表面、氢终端裸露的上表面形成SiO2介质层，得到对应氢终端裸露部分的硅终端；在SiO2介质层对应硅终端的上表面形成栅极。如此设置，可以得到硅终端金刚石，可以实现常关型金刚石场效应晶体管，实现较低的界面态密度和较高的介质质量，具有良好的直流和射频性能。
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公开(公告)号：CN112760613B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911001796.1
申请日：2019-10-21
Applicant: 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳掺杂的二硫化钼纳米材料的制备方法，所述制备方法包括：(1)将含C的MoO3源材料和S源材料放置在化学气相沉积设备的不同位置；(2)对化学气相沉积设备进行加热，并分别控制含C的MoO3源材料和S源材料位置的温度，反应得到碳掺杂的二硫化钼纳米材料。本发明提供的制备方法简单，通过控制MoO3源材料中C的含量以及反应温度，可以简单地得到不同碳掺杂的二硫化钼纳米材料、制备的材料具有不同的能带结构，制备成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109119474B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810935833.5
申请日：2018-08-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种常关型场效应晶体管，属于半导体器件领域，包括衬底、设于所述衬底上侧的至少两个相互间隔设置的二维材料层、设于所述二维材料层上侧的源电极、设于所述二维材料层上侧且与所述源电极间隔设置的漏电极、设于所述二维材料层上侧且位于所述源电极和所述漏电极之间的阻挡层及设于所述阻挡层上侧的至少一个栅电极；相邻两个所述二维材料层之间形成二维材料断层区，所述二维材料断层区的至少一侧边缘向外凸出于所述栅电极在所述二维材料层所在平面上的投影区域的侧边缘。本发明提供的常关型场效应晶体管在保证晶体管能够夹断，实现常关的同时，还不牺牲器件本身的迁移率和电子饱和速度，器件性能没有损失。
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公开(公告)号：CN112760613A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911001796.1
申请日：2019-10-21
Applicant: 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳掺杂的二硫化钼纳米材料的制备方法，所述制备方法包括：(1)将含C的MoO3源材料和S源材料放置在化学气相沉积设备的不同位置；(2)对化学气相沉积设备进行加热，并分别控制含C的MoO3源材料和S源材料位置的温度，反应得到碳掺杂的二硫化钼纳米材料。本发明提供的制备方法简单，通过控制MoO3源材料中C的含量以及反应温度，可以简单地得到不同碳掺杂的二硫化钼纳米材料、制备的材料具有不同的能带结构，制备成本低。
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公开(公告)号：CN112331724A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011134697.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种金刚石NV色心光电传感器、阵列及其制备方法，所述光电传感器包括金刚石衬底、外延生长在金刚石衬底表面的掺氮外延层、设置在掺氮外延层上表面的滤光膜和生长在滤光膜表面的光电传感器。所述制备方法为在金刚石衬底上首先制作产生NV色心的金刚石柱，然后进行平面填充后，制作滤光膜和光电传感器，最后将平面填充的的材料去除，得到金刚石NV色心光电传感器阵列。本发明制备的金刚石NV色心光电传感器实现了微小尺寸的集成和批量化生产。
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公开(公告)号：CN109786233B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910044410.9
申请日：2019-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/44 , H01L21/34 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件技术领域，包括以下步骤：淀积金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；涂覆两层光刻胶层；光刻栅腐蚀窗口图形和场板金属窗口图形，并腐蚀对应部位的金属掩膜层，淀积栅金属层和场板金属层，其中，栅金属层的两侧与对应侧未腐蚀的金属掩膜层间距不等，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件。本发明提供的非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件，能够兼顾饱和电流，有效提高击穿电压和工作电压，提高器件的功率密度。
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公开(公告)号：CN111599747A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010386841.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法，该方法包括：在蓝宝石衬底的正面制备刻蚀阻止层，采用预设波长的激光在所述蓝宝石衬底的背面的预设位置将所述蓝宝石衬底打通，制备通孔；在制备通孔后的蓝宝石衬底的刻蚀阻止层上完成正面工艺，得到MMIC芯片，将所述MMIC芯片上所述通孔对应的刻蚀阻止层去除，制备完成通孔，这样制备通孔的方法对正面工艺制备的介质层或者器件等不会造成破坏，且制备工艺简单。
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