公开(公告)号：CN105039933A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510315495.1

申请日：2015-06-10

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 闫发旺 ,  张峰 ,  王文宇

IPC: C23C16/458 ,  C30B25/12

Abstract: 本发明提供了一种用于外延生长的托盘，所述托盘的第一表面包括多个用于平置外延衬底的卡槽，所述卡槽底部设置有多个支撑部件，所述支撑部件用于支撑所述外延衬底使其脱离卡槽底部，所述托盘的与第一表面相对应的第二表面内具有弧形凹陷，所述凹陷的位置与第一表面的所述卡槽的位置相对应。本发明的优点在于，通过采用支撑部件使外延衬底悬空，并在背面设置了弧形凹陷以均衡热应力，提高外延质量。

公开(公告)号：CN102201358B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201110123914.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张峰 ,  曹共柏 ,  魏星 ,  王文宇 ,  王曦

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/00 ,  H01L21/306

Abstract: 一种表征衬底表面性质的装置，用于夹持衬底以对其表面进行选择性遮挡，以便对衬底表面进行选择性腐蚀，包括：多个压盘，所述压盘各自具有一朝向被夹持的衬底的被腐蚀表面的平面；一背板，所述背板与压盘相对设置，用于同压盘的平面相配合以夹持衬底；第一夹具，所述第一夹具与压盘以及背板连接，用于在压盘和背板上施加对向的压力，从而将衬底夹持在压盘与背板之间；连接件，所述连接件用于连接压盘与压盘，以及压盘与夹具。

公开(公告)号：CN103247568A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310175298.5

申请日：2013-05-14

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 叶斐 ,  张峰

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种带有图形化绝缘埋层的衬底的制作方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底；在支撑衬底用于键合的表面内形成凹槽；采用绝缘材料填充凹槽，从而形成图形化绝缘埋层；将器件衬底和支撑衬底键合在一起；减薄器件衬底至预定厚度。本发明的优点在于，图形化的绝缘埋层是采用沉积或者热氧化工艺形成的，故绝缘性能良好，而且器件衬底并未受到注入影响，缺陷密度低，尤其是在与图形边界的对应处不会形成缺陷。

公开(公告)号：CN102842488A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210303906.1

申请日：2012-08-24

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张峰 ,  曹共柏 ,  郑健 ,  杨云龙 ,  魏星 ,  王文宇 ,  马乾志 ,  张苗

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种在衬底的双面制造器件的方法以及衬底。所述方法包括如下步骤：提供器件衬底，所述器件衬底具有相对的第一表面和第二表面，且第一表面具有多个器件；提供第一支撑衬底，所述第一支撑衬底表面具有第一绝缘层；以第一绝缘层为中间层，将器件衬底的第一表面同第一支撑衬底键合；减薄器件衬底的第二表面；在器件衬底的暴露出的第二表面上制作器件。本发明的优点在于，在第二表面制作器件的工艺步骤不会对第一表面造成影响，并且由于键合了第一支撑衬底作为支撑结构而不必担心碎裂问题。

公开(公告)号：CN102768983A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210240144.5

申请日：2012-07-12

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 魏星 ,  曹共柏 ,  张峰 ,  王曦

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种带有绝缘埋层的混合晶向衬底的制备方法，包括如下步骤：a）提供支撑衬底和剥离衬底，所述剥离衬底包括第一器件层和第一器件层表面的第二器件层，所述支撑衬底表面具有第一区域和第二区域；b）在支撑衬底和/或第二器件层表面形成绝缘层；c）采用注入起泡离子的方式，在第一器件层中形成剥离层；d）通过绝缘层将支撑衬底和剥离衬底键合在一起；e）对剥离层实施退火以对剥离衬底实施剥离，保留支撑衬底表面的第一和第二器件层；f）将支撑衬底第二区域中的第一器件层再结晶，并且在第一区域和第二区域的界面处形成分隔第一器件层的侧墙。

公开(公告)号：CN102623362A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110449518.X

申请日：2011-12-29

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 魏星 ,  曹共柏 ,  林成鲁 ,  张峰 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/522 ,  H01L23/482 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了涉及一种三维封装方法以及封装体，所述方法包括如下步骤：提供半导体衬底和支撑衬底，所述半导体衬底依次包括支撑层、支撑层表面的重掺杂层以及重掺杂层表面的器件层，所述器件层中包含至少一半导体器件；在半导体衬底和/或支撑衬底的表面形成绝缘层；以所述绝缘层为中间层，将所述半导体衬底和支撑衬底贴合在一起；采用自停止腐蚀工艺去除所述半导体衬底中的支撑层和重掺杂层；在器件层中形成多个贯孔，所述贯孔的位置与半导体器件的焊盘的位置对应，并暴露出半导体器件的焊盘；采用导电填充物填平所述贯孔。本发明的优点在于在降低被减薄的衬底的厚度的同时保证衬底表面的平整度。

公开(公告)号：CN102315096A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110238030.2

申请日：2011-08-19

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张峰 ,  叶斐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 本发明提供了一种多层半导体衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底；将第一半导体衬底和第二半导体衬底中的至少一个浸入氧化性溶液或者氧化性气体中，以在表面形成氧化的键合媒介层；以键合媒介层为中间层，将第一半导体衬底和第二半导体衬底键合在一起。

公开(公告)号：CN101550590B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910048613.1

申请日：2009-03-31

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张斌 ,  陈浩 ,  张峰

IPC: C30B25/14

Abstract: 一种多层外延层的生长设备，包括反应室、掺杂元素进口，还包括多个进气通路以及切换阀。本发明还提供了一种采用上述的设备进行多层外延层的生长方法。本发明的优点在于，采用多个气体通路，克服了稀释气体流量不可调节的问题，只需要操作切换阀既可以获得具有不同的掺杂元素浓度的气体，而不需要更换掺杂源，因此简化了工艺过程，降低对衬底和外延层的污染，并且实现了生长过程中的在位切换，易于控制每一次外延生长的厚度以及掺杂浓度的分布状态。

公开(公告)号：CN102201362A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110123907.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张峰 ,  曹共柏 ,  魏星 ,  王文宇 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/304

Abstract: 一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法，采用了研磨的方法将器件衬底和支撑衬底研磨减薄到接近目标厚度，再采用抛光工艺做精细加工，且在研磨减薄工艺中特别为器件衬底预留了更多的余量，以保证器件衬底能够得到更为精细的抛光。以上方法通过将常规的研磨和抛光等工艺巧妙结合，并根据目标厚度来控制每一步实施完毕后所保留的衬底厚度，从而做到了能够在支撑衬底的机械强度允许的范围内将支撑衬底减薄到任意厚度。

公开(公告)号：CN106876250B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201710122952.4

申请日：2017-03-03

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 闫发旺 ,  张峰 ,  赵倍吉 ,  刘春雪 ,  李晨

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种氮化镓薄膜材料外延生长的方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层上形成氮化镓子层；刻蚀部分所述氮化镓子层；多次重复所述形成所述氮化镓子层以及刻蚀部分所述氮化镓子层的步骤，在所述缓冲层表面形成氮化镓层。上述方法可以形成低位错密度、高晶体质量的氮化镓层。