一种高Mg含量中强高延变形铝锂合金及其热处理方法

    公开(公告)号:CN108823519A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201810705306.5

    申请日:2018-07-02

    CPC classification number: C22F1/057 C22C21/12

    Abstract: 本发明公开了一种高Mg含量中强高延变形铝锂合金及其热处理方法,所述铝锂合金由如下重量百分比含量的各组分组成:Mg1-2%、Cu3-4.5%、Li1-2%、Zr0.1-0.5%、Mn0.1-0.3%,杂质元素总含量小于0.25%,以及余量的Al。本发明通过添加Mn,使得合金时效过程中析出了Al20Mn3Cu2粒子,所述合金含有更高含量的Mg,高含量的Mg保证合金时效时能析出更多的S′相,通过熔炼铸造、挤压变形制备出Mg含量较高的变形铝锂合金,对合金室温进行预变形,随炉缓慢升温至一定温度保温时效后合金中析出了细小弥散均匀分布的S′(Al2CuMg)、T1(Al2CuLi)相和少量的Al20Mn3Cu2粒子,所述合金具有中等的屈服抗拉强度和较高的延伸率,同时成本低廉,在自行车和智能机器人等民用领域具有广阔的应用前景。

    含镁铸造铝锂合金的热处理方法

    公开(公告)号:CN107190219A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710225042.9

    申请日:2017-04-07

    Abstract: 本发明提供了一种含镁铸造铝锂合金的热处理方法,其包括依次进行的三级固溶处理的步骤和慢升温时效处理的步骤。本发明通过合理优化时效处理工艺,通过缓慢加热到时效温度这一方法,控制合金主要强化相(Al3Li,Al2CuLi和Al2Cu)的体积分数、尺寸和分布,较传统的时效处理工艺,可以促进Al3Li的均匀长大和Al2Cu(θ′)相的析出,促进、S(Al2CuMg)和T1(Al2CuLi)相的异质形核和长大;此慢升温时效工艺在提高铸造铝锂合金强度的同时,大幅提升了含镁铸造铝锂合金的塑性。

    轻质高强铸造铝锂合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN104451272B

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201410674805.4

    申请日:2014-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种轻质高强铸造铝锂合金及其制备方法,所述合金由特定重量百分比含量的Li、Cu、Mg、Zn、Zr、Ti、Mn、Ce、杂质元素以及余量的Al组成。制备时,以Al‑Li、Al‑Cu、Al‑Zr、Al‑Ti‑B、Al‑Mn、Al‑Ce中间合金、纯铝、纯Zn和纯Mg熔炼后得到铝合金,再经400~450℃/8~10h+510~540℃/20~28h双级固溶热处理,淬水处理后,进行120~190℃×30~48h单级时效处理,得到所述轻质高强铸造铝锂合金。本发明制得的铝合金具有比传统商业铝合金优越的室温强度、硬度、刚度,断裂韧性等机械性能,同时成本低廉。

    Mg-Zn-RE系镁合金氢化热处理方法

    公开(公告)号:CN103774068B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201410018239.1

    申请日:2014-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种Mg-Zn-RE系镁合金氢化热处理方法,包括对Mg-Zn-RE系镁合金氢化固溶处理,辅之以时效强化处理。采用本发明的方案能够将原本粗大网状分布的Mg-Zn-RE高温稳定化合物分解为弥散分布的稀土氢化物,并使该化合物中的Zn原子有效溶解入α-Mg基体,继而有效地增加后续时效处理过程中析出强化相的含量,从而大幅提高Mg-Zn-RE系镁合金的力学性能;同时,本发明也解决了大型薄壁航空、航天铸件中复杂油、气管路“清砂难”的实际生产问题。

    一种用于长期在轨贮存低温液体的装置及其冷却方法

    公开(公告)号:CN105674038A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610105353.7

    申请日:2016-02-25

    Abstract: 本发明公开了一种用于长期在轨贮存低温液体的装置及其冷却方法,该装置包括:贮存箱、箱外主动热防护装置及箱内主动冷却装置,贮存箱用于贮存低温液体;箱外主动热防护装置设置于贮存箱的外部,用于利用循环介质对贮存箱的外壁进行循环冷却;箱内主动冷却装置设置于贮存箱的内部,用于对贮存箱内的低温流体进行循环冷却和控制箱内压力。该方法包括:利用循环介质在设置在贮存箱外的箱外主动热防护装置中循环,对贮存箱的外侧进行冷却;贮存箱中贮存的低温液体在设置在贮存箱内的箱内主动冷却装置中循环,对贮存箱内的低温气体和液体进行冷却,降低箱内压力。本发明通过内外双重主动的方式对贮存箱进行冷却,实现了低温液体长期在轨的零蒸发贮存。

    基于硅基自耦合光波导的高速高阶光微分器

    公开(公告)号:CN103941519A

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201410204227.8

    申请日:2014-05-15

    Abstract: 一种光纤通信技术领域的基于硅基自耦合光波导的高速高阶光微分器,包括:依次连接的待处理信号发生器、硅基自耦合光波导微分器。所述的硅基自耦合光波导微分器通过多级级联的自耦合光波导实现高阶光时域微分,每级SCOW的谐振腔内,两种模式的光以相反的方向传播,从而引起透射谱发生谐振模式分裂。本发明的二、四阶光微分计算的处理速率可达40Gb/s,发明结构简单、易于集成,能够用于集成的全光信息处理系统中。

    一种信号损伤补偿方法、装置和光接收机

    公开(公告)号:CN102088319B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN200910252728.2

    申请日:2009-12-02

    Abstract: 本发明实施例提供一种信号损伤补偿方法、装置和光接收机,上述方法包括:在训练模式下,将训练序列信号输入神经网络,利用所述训练序列信号对所述神经网络进行训练,获得所述神经网络在补偿模式下所需的权值;在补偿模式下,根据训练模式下获得的所述权值,利用所述神经网络对传输的有效数据信号进行补偿。本发明实施例能够在不改变网络结构的同时,对信号进行损伤补偿,且方案结构简单,还具有自适应能力。

    基于硅基微环谐振腔的频移键控光调制信号产生装置

    公开(公告)号:CN101834669B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201010137770.2

    申请日:2010-04-02

    Abstract: 一种光纤通信技术领域的基于硅基微环谐振腔的频移键控光调制信号产生装置,包括:可调激光器、射频信号发生器、马赫曾德调制器、数据源和硅基微环谐振腔系统,其中:可调激光器与马赫曾德调制器输入端相连传输光载波信号,射频信号发生器和马赫曾德调制器射频接口相连传输高频电信号,马赫曾德调制器的输出端和硅基微环谐振腔系统相连传输载波抑制光信号,数据源和硅基微环谐振腔系统相连传输幅度可调的电信号。本发明使用的硅基微环谐振腔结构简单,体积小,微环半径只有几微米到几十微米,易于集成,调制简单,易于控制,且调制速率高,可以达到几个Gbit/s。

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