公开(公告)号：CN104885030A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380064336.8

申请日：2013-12-09

申请人： GTAT公司

发明人： K·施密德

IPC分类号： G06F1/16

摘要： 本发明所揭示的是包含覆盖板件的电子装置。覆盖板件包含一或多个玻璃层以及一或多个蓝宝石层，其中，所述层的折射率匹配。并且本发明也揭示了一种用于制备电子装置的方法。

公开(公告)号：CN104054155A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201280067098.1

申请日：2012-11-13

申请人： GTAT公司

发明人： T.斯米克 ,  G.赖丁 ,  H.格拉维施 ,  T.萨卡斯 ,  W.帕克 ,  P.艾德 ,  D.阿诺德 ,  R.霍纳 ,  J.吉莱斯皮

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L31/18

CPC分类号： C23C14/48 ,  H01J37/1475 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/1523 ,  H01J2237/20214

摘要： 一种使用鼓式扫瞄轮的离子注入设备以小于60°的总锥角保持晶片。例如H+的离子的准直扫描射束沿着与扫描轮的旋转轴至少为45°角度的最后射束路径定向。离子选自一源并且在扫描或质量分析之前沿着直线加速路径加速到高注入能量(超过500千电子伏)。质量分析器可位于旋转轴附近且不想要的离子被定向到可安装在扫描轮上的环形射束收集器。

公开(公告)号：CN102906313A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180023513.9

申请日：2011-03-11

申请人： GTAT公司

发明人： 吴真明 ,  D·斯凯尔顿 ,  B·福拉诺

IPC分类号： C30B11/00

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1092

摘要： 本发明提供一种晶体生长装置，包括：坩埚，其配置在支撑机构上的坩埚，且至少两个平板形成于该支撑机构下并能以协同方式移动而形成以该坩埚中所形成的锭为中心的对称孔；以及驱动机构，其用以驱动具有一个自由度的该平板。该平板于多个不连续的位置展开以形成对应所形成的锭而中心装载的孔，以便提升所形成的该锭的定向固化，并因而达到该锭的所需的凸面外形。

公开(公告)号：CN210048876U

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201822169555.5

申请日：2018-12-21

申请人： GTAT公司

发明人： K·R·瓦扬古 ,  R·马伦 ,  S·J·图尔凯蒂

IPC分类号： C30B15/02 ,  C30B29/06

摘要： 一种柴可拉斯基生长装置转换配件，本实用新型是关于一种生长装置转换配件以及用于改进并转换柴可拉斯基生长装置的方法，特别是将批量柴可拉斯基生长装置转换成连续柴可拉斯基生长装置。尤其，分离阀设置在上料斗与下料斗之间，以便在上料斗正在被重新填充时维持下料斗内的条件。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利