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公开(公告)号：CN201364820Y
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200920002634.5
申请日：2009-02-19
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 神庭胜
Abstract: 本实用新型提供一种通过捆扎带和固定板捆绑固定电容器素子，避免由于电容器素子的错动而导致对地绝缘特性低下的电容器装置。分别在固定板3，4一边的侧端边缘3A，4A处加工形成了第1切口部位11，13。在另一边的侧端边缘的3B，4B处，与第1切口部位的高度不同的位置加工形成了第2切口部位12，14。接着，在固定板3，4的上下端边缘3C，4C处各自加工形成了第3切口部位15，16。第1，第2，第3捆扎带5，6，7中，第1捆扎带穿过了第1切口部位，第2捆扎带穿过了第2切口部位，并且，第3捆扎带穿过了第3切口部位，分别缠绕卷紧。即使电容器素子会偏离移动，也会被电容器素子一边的侧端面的第1捆扎带，或者另一边的侧端面的第2捆扎带，又或者上下侧端面的第3捆扎带所阻。因此，电容器素子的错动将不会超越捆扎带的范围。
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公开(公告)号：CN119318209A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044923.4
申请日：2023-05-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种即便在设置有内侧罩的情况下亦可确认天线及其周围状态的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括：壳体(2)，设置有第一开口部(2b)；真空罩(4)，以能够拆装的方式安装于第一开口部(2b)，闭塞该第一开口部(2b)；天线罩(5)，支撑于第一开口部(2b)的内部，且具有介电性；天线(8)，配设于至少由真空罩(4)及天线罩(5)包围而形成的天线收容空间(AK)中，用于产生电感耦合性的等离子体；视端口(4b)，设置于真空罩(4)且具有透光性；以及光学传感器(14)，接收透过了视端口(4b)的天线收容空间(AK)内的光。
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公开(公告)号：CN118235526A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074366.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 安东靖典
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 一种等离子体处理装置，使高频电流流经设置于真空容器的外部的天线而在所述真空容器内产生等离子体，所述等离子体处理装置包括：狭缝板，堵塞形成于所述真空容器的面向所述天线的位置的开口；介电板，自所述真空容器的外侧堵塞形成于所述狭缝板的狭缝；以及掩模板，自所述真空容器的内侧隔开间隙地覆盖所述狭缝。
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公开(公告)号：CN114127956B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202080051447.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。
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公开(公告)号：CN117651874A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202280050481.X
申请日：2022-10-26
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 日新电机株式会社
Abstract: 本发明高灵敏度地测定多个物理场之间的相位差。相位差测定装置(10)包括：电磁波照射部(2)，将用来对因与由交流信号产生的第一物理场或第二物理场的相互作用而发生变化的量子传感器元件(1)的电子自旋状态进行操作的电磁波重复照射至量子传感器元件(1)；及相位差测定部(3)，获取与第一物理场或第二物理场进行相互作用后的多个电子自旋状态，并基于所获取的多个电子自旋状态，对多个物理场之间的相位差进行测定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117501454A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202380010645.0
申请日：2023-03-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/425 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 一种固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘膜内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。
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公开(公告)号：CN117044405A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280022235.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的课题在于使电介质板的处理变得容易并且降低电介质板因电介质板的热膨胀而破损的可能性。等离子体处理装置(1)包括真空容器(2)、天线(6)以及磁场导入窗(3)，磁场导入窗(3)具有形成有多个狭缝(41)且具有桥接部(42)的金属板(4)、以及覆盖多个狭缝(41)的多个长方形形状的电介质板(5)，以相邻的电介质板(5)各自的相互相向地邻接的边位于桥接部(42)上的方式配置多个电介质板(5)。
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公开(公告)号：CN116998226A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022236.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的课题在于在真空容器的内部生成抑制了静电耦合性成分的等离子体。等离子体处理装置(1)包括：真空容器(2)；天线(7)，产生高频磁场；以及磁场导入窗(3)，将高频磁场导入至真空容器(2)的内部，磁场导入窗(3)具有：金属板(4)，形成有多个狭缝(41)；以及电介质板(5)，以覆盖多个狭缝(41)的方式与金属板(4)重叠并且形成有金属层(6)，金属层(6)被维持于规定的电位。
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