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公开(公告)号：CN101370898B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200780002916.9
申请日：2007-02-14
申请人： 卡伯特微电子公司
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： H01L31/1884 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L51/442 , H01L51/5206 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供用于抛光ITO表面的化学机械抛光(CMP)组合物及方法。本发明的组合物包含具有不大于150nm的平均粒度的颗粒氧化锆或胶态二氧化硅研磨剂，该研磨剂悬浮于含水载体中，该含水载体优选具有不大于5的pH值。优选地，该研磨剂具有40至220m2/g的表面积。当用于抛光ITO表面时，本发明的CMP组合物提供可接受的低表面粗糙度，且提供洁净及均匀的表面。
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公开(公告)号：CN101778701B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880102761.0
申请日：2008-08-13
申请人： 卡伯特微电子公司
发明人： 凯利·纽厄尔
IPC分类号： B24B37/26
CPC分类号： B24B37/26 , B24B37/205
摘要： 本发明提供一种抛光垫，其包括：具有抛光表面的抛光层，所述抛光表面包括设置在该抛光层内且距该抛光表面具有可测量深度的多个凹槽及不具有凹槽的阻挡区；以及设置在该阻挡区内并被该阻挡区围绕的透明窗。
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公开(公告)号：CN102189506A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110093293.9
申请日：2003-05-21
申请人： 卡伯特微电子公司
发明人： 阿巴尼什瓦·普拉萨德
CPC分类号： B24B37/24 , B24D3/32 , B29K2105/041
摘要： 本发明涉及微孔抛光垫，更具体地说，本发明提供用于化学-机械抛光的包括多孔发泡体的抛光垫及其制造方法。一个具体实施方式中，该多孔发泡体平均孔径为50微米或以下，其中75％或以上的孔隙具有平均孔径20微米或以下的孔径。在一个具体实施方式中，多孔发泡体的平均孔径20微米或以下。又另一个具体实施方式中，该多孔发泡体具有多-模态孔径分布。该制造方法包括(a)使聚合物树脂与超临界气体结合产生单相溶液，及(b)从该单相溶液形成抛光垫，其中通过使气体经历高温及高压产生超临界气体。
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公开(公告)号：CN1934208B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200580008582.7
申请日：2005-03-14
申请人： 卡伯特微电子公司
发明人： 阿巴尼什沃·普拉萨德
IPC分类号： C09G1/02 , B24B37/04 , H01L21/321
摘要： 本发明提供一种包含具有孔的聚合材料及配置于孔内的成分的抛光垫，以及一种用上述抛光垫抛光工件的方法及一种制造上述抛光垫的方法。
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公开(公告)号：CN102149783A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980130098.X
申请日：2009-07-23
申请人： 卡伯特微电子公司
发明人： 弗朗西斯科.德雷吉塞索罗 , 陈湛
CPC分类号： C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： 本发明提供用于抛光含硅基材的化学机械抛光(CMP)组合物和方法。本发明的方法包括以下步骤：使含硅基材与抛光垫和含水CMP组合物接触，和使该抛光垫与该基材之间发生相对运动，同时保持该CMP组合物的一部分与该基材的该表面接触以磨除该基材的至少一部分。该CMP组合物包含二氧化铈研磨剂、带有具有4～9的pKa的官能团的抛光添加剂、具有亲水部分和亲油部分的非离子型表面活性剂，其中该亲水部分具有500g/mol或更高的数均分子量、和含水载体，其中该组合物的pH为7或更小。该方法减少晶片上的缺陷，尤其是高移除率的局部区域。该方法还可用于以相对于半导体含硅基材的高速率抛光介电含硅基材。
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公开(公告)号：CN102127370A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010578445.X
申请日：2004-04-19
申请人： 卡伯特微电子公司
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/321
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要： 本发明提供了一种抛光基底的方法，该方法包括下列步骤(i)提供一种抛光组合物，(ii)提供一种包括至少一个金属层的基底，和(iii)以该抛光组合物研磨至少一部分金属层，以抛光该基底。该抛光组合物包括研磨剂和液体载体，其中研磨剂包括具有这样表面的金属氧化物颗粒，该表面带有附着在其一部分上的硅烷化合物和附着在该硅烷化合物上的聚合物，且其中该聚合物选自水溶性聚合物和水-可乳化聚合物。本发明还提供一种如上所述的抛光组合物，其中存在于该抛光组合物中的研磨剂颗粒总量不大于抛光组合物的20重量％，且该金属氧化物颗粒不包括氧化锆。
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公开(公告)号：CN101068656B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200580029151.9
申请日：2005-08-31
申请人： 卡伯特微电子公司
发明人： 阿巴尼施瓦·普拉萨德
CPC分类号： B24B37/26
摘要： 本发明提供一种用于化学-机械抛光的抛光垫，其包括聚合材料，该聚合材料包括两个或多个相邻区域，该区域具有相同的聚合物组成且在该区域之间的过渡不包含结构上明显的边界。在第一实施方式中，第一区域及第二相邻区域分别具有第一及第二非零空隙体积，其中该第一空隙体积系小于该第二空隙体积。在第二实施方式中，第一非多孔区域相邻于第二相邻多孔区域，其中该第二区域具有50μm或更小之平均孔径。在第三实施方式中，光学透射区域、第一多孔区域及任选的第二多孔区域中的至少两个为相邻的。本发明进一步提供包括使用该抛光垫的抛光基板的方法和制造该抛光垫的方法。
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公开(公告)号：CN101316683B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200680044281.4
申请日：2006-10-24
申请人： 卡伯特微电子公司
发明人： 阿班尼施沃·普拉塞德
IPC分类号： B24B3/28 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24 , B24D3/32 , B24D11/001
摘要： 一种制造化学机械抛光(CMP)垫的方法，其包括：形成聚合物树脂液体溶液层；在该聚合物溶液层中诱导相分离以产生互穿聚合物网络，该互穿聚合物网络包含散布有连续聚合物贫乏相的连续聚合物富集相，其中该聚合物贫乏相构成各相的合并体积的20％至90％；固化该连续聚合物富集相以形成多孔聚合物片；从该多孔聚合物片移除该聚合物贫乏相的至少一部分；及由此形成CMP垫。该方法提供微孔CMP垫，该微孔CMP垫具有可通过下列方法控制的孔隙率及孔径：选择在该聚合物溶液中的该聚合物树脂的浓度；基于该聚合物在溶剂中的溶解度参数、溶剂的极性来选择溶剂；及选择相分离条件。
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公开(公告)号：CN101322227B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200680044961.6
申请日：2006-09-29
申请人： 卡伯特微电子公司
IPC分类号： H01L21/321
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02
摘要： 本发明涉及一种以包含磨料、聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物、水及抛光垫的化学-机械抛光系统来化学-机械抛光包含多晶硅及选自二氧化硅和氮化硅的材料的基板的方法。
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公开(公告)号：CN1961055B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580017301.4
申请日：2005-05-19
申请人： 卡伯特微电子公司
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/321
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/32125
摘要： 本发明提供一种电化学-机械抛光组合物，其包含(a)化学上惰性的、水溶性盐、(b)腐蚀抑制剂、(c)聚电解质、(d)络合剂、(e)醇及(f)水。本发明还提供一种抛光包含一个或多个导电金属层的基底的方法，该方法包含以下步骤：(a)提供包含一个或多个导电金属层的基底，(b)将该基底的一部分浸入电化学-机械抛光组合物中，该抛光组合物包含：(i)化学上惰性的、水溶性盐、(ii)腐蚀抑制剂、(iii)聚电解质、(iv)络合剂、(v)醇及(vi)水，(c)对该基底施加阳极电位，该阳极电位至少施加于浸入该抛光组合物中该基底的部分，及(d)研磨该基底的浸入部分的至少一部分以抛光该基底。
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