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公开(公告)号:CN107852800A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680039559.2
申请日:2016-06-28
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H05B37/02 , H02M1/08 , H02M1/088 , H03K17/0412 , H03K17/687
Abstract: 提供一种调光装置,其与更多种类的照明负载兼容。信号源(910)生成与调光水平相对应的驱动信号(Sd1)。放电部(920)包括具有齐纳二极管(ZD1)和整流元件(D9)的串联电路。整流元件(D9)使齐纳二极管(ZD1)的反向电流通过。在放电部(920)中,该串联电路电气连接在控制端子(20)和信号源(910)之间,使得齐纳二极管(ZD1)的反向电流从控制端子(20)流向信号源(910)。
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公开(公告)号:CN104025454B
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:CN201280062352.9
申请日:2012-12-04
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 赤羽正志
IPC: H03K17/0412 , H03K17/0812 , H03K17/26 , H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018521 , H02M7/538 , H02M2001/0054 , H03K3/012 , H03K3/013 , H03K17/04123 , H03K17/08122 , H03K17/26 , H03K19/018528 , H03K2217/0063 , H03K2217/0081 , Y02B70/1491
Abstract: 为了降低用于防止因构成半桥的高电位侧开关元件(XD1)的dV/dt噪声而导致误动作的电路中的信号传送的延迟,在输出用于驱动高电位侧开关元件的置位信号、复位信号的脉冲产生单元(40)中,在作为用于使高电位侧开关元件为导通状态或非导通状态的主脉冲信号的置位信号或复位信号中的任一方接通的期间,从该主脉冲信号的上升起经过一定时间后使另一方的信号接通,生成使置位信号及复位信号双方均接通的状态。
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公开(公告)号:CN106027014A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610580393.7
申请日:2012-05-11
Applicant: 意法半导体研发(深圳)有限公司
IPC: H03K17/687 , H03K17/0412 , H02M3/158
Abstract: 本发明的一些实施例提供了用于功率驱动器电路应用的电流斜率控制方法和装置。一种低侧驱动器,包括在低侧电压节点处与第二晶体管串联耦合的第一晶体管。电容被配置成存储电压,而电压缓冲器电路具有耦合成接收由所述电容存储的电压的输入以及耦合成利用存储的电压驱动第二晶体管的控制节点的输出。电流源通过开关向电容以及电压缓冲器电路的输入供应电流。开关被配置成由使能信号激励,以从第一电流源向所述电容发源电流,并且促使存储的电压的步进增加。所存储的电压由缓冲器电路施加给第二晶体管的控制节点。
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公开(公告)号:CN105556843A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201480051420.0
申请日:2014-09-05
Applicant: 欧司朗有限公司
Inventor: 贝恩德·鲁道夫
IPC: H03K17/0424 , H03K17/0412 , H03K17/61 , H03K17/06 , H03K17/30
CPC classification number: H02M7/217 , H02M7/06 , H03K17/04126 , H03K17/0424 , H03K17/61 , H03K2017/066 , H03K2017/307
Abstract: 本发明涉及一种同步整流器,具有至少一个整流器单元(Gi),其通过在同步整流器的输入接口(E1,E2)之间布置的变压器(Tr1)的次级绕组(L4i)供电。整流器单元(Gi)包括在反转运行中驱动的双极主开关(T1),其中,在双极主开关(T1)的基础电线中设置有能量存储器(C2),其在与辅助开关(T2)的连接中用于使得主开关(T1)在反转阶段结束之前断开,其中该辅助开关通过用于双极主开关(T1)的涉及的次级绕组(L4i)一同控制。
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公开(公告)号:CN104620504A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201380022790.7
申请日:2013-04-23
Applicant: 大陆泰密克微电子有限责任公司
Inventor: M·里德
IPC: H03K17/691 , H03K17/0412 , H03K17/06
CPC classification number: H03K17/0406 , H02M7/217 , H03K17/04123 , H03K17/04163 , H03K17/063 , H03K17/691 , H03K2017/066
Abstract: 公开了一种用于操控具有第一电极(3)、第二电极(4)和控制电极(5)的半导体开关元件(2、2’)的电路装置(1),其中电路装置(1)包括:-脉冲发生器,其用于产生控制电压输入信号(7、7’),-偏压电容器(8),-第一电阻(9),其中该第一电阻(9)和偏压电容器(8)在脉冲发生器的第一连接端子(10)与该脉冲发生器的第二连接端子(11)之间电串联,控制电极(5)与偏压电容器(8)和第一电阻(9)电连接,并且第一电极(3)与脉冲发生器和第一电阻(9)电连接,以及-另外的电容器(17),其与脉冲发生器、第一电阻(9)和偏压电容器(8)串联。
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公开(公告)号:CN103907277A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201280049074.3
申请日:2012-10-04
Applicant: 法雷奥热系统公司
Inventor: K.考温
IPC: H02M3/07 , H03K17/06 , H03K17/0412
CPC classification number: H03K17/063 , H02M1/08 , H02M3/07 , H02M7/537 , H03K17/6877 , H03K2217/0081
Abstract: 用于控制电压升压电路(2)的电路,包括:第一PNP晶体管(4),其射极(E1)连接至输入电压(Vin);第二NPN晶体管(6),其集极(C2)连接到第一晶体管(4)的集极(C1),第二晶体管(6)的射极(E2)连接至地,其特征在于,所述第二晶体管(6)的射极(E2)经由第一电阻器(12)连接到地,其基极(B2)通过至少一个二极管(14,16,18)连接至地。
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公开(公告)号:CN102422536A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201080020565.6
申请日:2010-05-11
Applicant: 艾思玛太阳能技术股份公司
IPC: H03K17/16 , H02M1/08 , H03K17/04 , H03K17/0412
CPC classification number: H03K17/162 , H02M1/08 , H03K17/0406 , H03K17/04123 , H03K17/168
Abstract: 为了响应于第一和第二切换命令来操作具有控制电极(4)和参考电极(5)的半导体功率开关(7),在第一和第二电极(9/10)之间提供控制电压(18)。基于每个第一切换命令,将控制电极耦合到第一电极,并且将参考电极耦合到第二电极,以及基于每个第二切换命令,将控制电极耦合到第二电极,并且将参考电极耦合到第一电极。将控制电极和参考电极中的一个耦合到第一电极和第二电极中的一个包括在第一转变时间段期间使控制电极和参考电极中的一个的电势连续地转变,以及将控制电极和参考电极中的另一个耦合到第一电极和第二电极中的另一个包括在第二转变时间段期间使控制电极和参考电极中的另一个的电势连续地转变,所述第一转变时间段在所述第二转变时间段之前开始,且在所述第二转变时间段之后结束。
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公开(公告)号:CN101351963A
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200680049655.1
申请日:2006-11-22
Applicant: 奥斯兰姆有限公司
IPC: H03K17/0412
CPC classification number: H05B33/0818 , H03K17/0822 , H03K17/6877 , Y02B20/346
Abstract: 本发明要提供一种用于LED背光照明(BLU)的成本低廉的驱动电路。对此,设计了一种具有连接到高电势的晶体管(T1)的降压电路。降压晶体管(1)通过两个另外的晶体管(Q1,Q2)驱动。第一晶体管(Q1)用其参考电极连接到直流电压源的正极,用其工作电极连接到降压晶体管(T1)的控制电极,以及用其控制电极通过电容器(C3)连接到可外部驱动的信号接触端。第二晶体管(Q2)用其参考电极连接到地,用其工作电极连接到降压晶体管(T1)的控制电极,以及用其控制电极连接到可外部驱动的信号接触端(K5)。用于驱动发光二极管(D5至D10)的降压晶体管(T1)可以通过在端子(K5)上的相应栅极信号来接通。有利的是,用于在100V以下的工作电压的成本低廉的标准晶体管(Q1,Q2)能够用于开关调节器。
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公开(公告)号:CN101326717A
公开(公告)日:2008-12-17
申请号:CN200580052292.2
申请日:2005-12-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03K17/0412 , H03K17/567
CPC classification number: H03K17/567 , H03K17/0412
Abstract: 本发明涉及一种用于晶体管(BJT,MOS)的发射极开关结构(21)的驱动电路(30),该发射极开关结构(21)具有与驱动电路(30)连接的至少一个第一控制端子和一个第二控制端子(X1,X2)以形成接着具有相应的集电极、源极和栅极端子(C,S,G)的受控发射极开关器件(35)。所述驱动电路(30)包括至少一个插入在所述集电极端子(C)和电容器(C1)的第一端之间的IGBT器件(22),该电容器(C1)的第二端与所述第一控制端子(X1)相连,该IGBT器件(22)接着具有通过第一电阻性元件(R1)与所述栅极端子(G)连接的第三控制端子(X3),和插入在该栅极端子(G)和该第二控制端子(X2)之间的第二电阻性元件(R2)。该驱动电路(30)还包括附加电源(Va),该附加电源插入在电容器(C1)的第一端和第二端之间以保证其正确偏置。
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公开(公告)号:CN1849748A
公开(公告)日:2006-10-18
申请号:CN200480025681.1
申请日:2004-08-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H03K17/0412
CPC classification number: H03K17/04163 , H03K17/04123 , H03K2217/0036
Abstract: 谐振栅驱动电路提供了例如MOSFET的有效开关。然而,谐振栅驱动电路的操作常常不允许其中需要高的开关频率的应用。根据本发明,执行谐振栅驱动电路的电感的预充电。这允许高度有效的和快速的MOSFET的操作。
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