用于功率驱动器电路应用的电流斜率控制方法和装置

    公开(公告)号:CN106027014A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610580393.7

    申请日:2012-05-11

    Inventor: 王蒙 黄涛涛

    Abstract: 本发明的一些实施例提供了用于功率驱动器电路应用的电流斜率控制方法和装置。一种低侧驱动器,包括在低侧电压节点处与第二晶体管串联耦合的第一晶体管。电容被配置成存储电压,而电压缓冲器电路具有耦合成接收由所述电容存储的电压的输入以及耦合成利用存储的电压驱动第二晶体管的控制节点的输出。电流源通过开关向电容以及电压缓冲器电路的输入供应电流。开关被配置成由使能信号激励,以从第一电流源向所述电容发源电流,并且促使存储的电压的步进增加。所存储的电压由缓冲器电路施加给第二晶体管的控制节点。

    用于操作半导体功率开关的方法和驱动电路

    公开(公告)号:CN102422536A

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN201080020565.6

    申请日:2010-05-11

    Abstract: 为了响应于第一和第二切换命令来操作具有控制电极(4)和参考电极(5)的半导体功率开关(7),在第一和第二电极(9/10)之间提供控制电压(18)。基于每个第一切换命令,将控制电极耦合到第一电极,并且将参考电极耦合到第二电极,以及基于每个第二切换命令,将控制电极耦合到第二电极,并且将参考电极耦合到第一电极。将控制电极和参考电极中的一个耦合到第一电极和第二电极中的一个包括在第一转变时间段期间使控制电极和参考电极中的一个的电势连续地转变,以及将控制电极和参考电极中的另一个耦合到第一电极和第二电极中的另一个包括在第二转变时间段期间使控制电极和参考电极中的另一个的电势连续地转变,所述第一转变时间段在所述第二转变时间段之前开始,且在所述第二转变时间段之后结束。

    具有连接到高电势的降压晶体管的电路装置

    公开(公告)号:CN101351963A

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200680049655.1

    申请日:2006-11-22

    CPC classification number: H05B33/0818 H03K17/0822 H03K17/6877 Y02B20/346

    Abstract: 本发明要提供一种用于LED背光照明(BLU)的成本低廉的驱动电路。对此,设计了一种具有连接到高电势的晶体管(T1)的降压电路。降压晶体管(1)通过两个另外的晶体管(Q1,Q2)驱动。第一晶体管(Q1)用其参考电极连接到直流电压源的正极,用其工作电极连接到降压晶体管(T1)的控制电极,以及用其控制电极通过电容器(C3)连接到可外部驱动的信号接触端。第二晶体管(Q2)用其参考电极连接到地,用其工作电极连接到降压晶体管(T1)的控制电极,以及用其控制电极连接到可外部驱动的信号接触端(K5)。用于驱动发光二极管(D5至D10)的降压晶体管(T1)可以通过在端子(K5)上的相应栅极信号来接通。有利的是,用于在100V以下的工作电压的成本低廉的标准晶体管(Q1,Q2)能够用于开关调节器。

    发射极开关结构的驱动电路

    公开(公告)号:CN101326717A

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:CN200580052292.2

    申请日:2005-12-13

    CPC classification number: H03K17/567 H03K17/0412

    Abstract: 本发明涉及一种用于晶体管(BJT,MOS)的发射极开关结构(21)的驱动电路(30),该发射极开关结构(21)具有与驱动电路(30)连接的至少一个第一控制端子和一个第二控制端子(X1,X2)以形成接着具有相应的集电极、源极和栅极端子(C,S,G)的受控发射极开关器件(35)。所述驱动电路(30)包括至少一个插入在所述集电极端子(C)和电容器(C1)的第一端之间的IGBT器件(22),该电容器(C1)的第二端与所述第一控制端子(X1)相连,该IGBT器件(22)接着具有通过第一电阻性元件(R1)与所述栅极端子(G)连接的第三控制端子(X3),和插入在该栅极端子(G)和该第二控制端子(X2)之间的第二电阻性元件(R2)。该驱动电路(30)还包括附加电源(Va),该附加电源插入在电容器(C1)的第一端和第二端之间以保证其正确偏置。

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