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公开(公告)号：CN1849748B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200480025681.1
申请日：2004-08-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H03K17/0412
CPC classification number: H03K17/04163 , H03K17/04123 , H03K2217/0036
Abstract: 谐振栅驱动电路提供了例如MOSFET的有效开关。然而，谐振栅驱动电路的操作常常不允许其中需要高的开关频率的应用。根据本发明，执行谐振栅驱动电路的电感的预充电。这允许高度有效的和快速的MOSFET的操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102792776A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013586.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H05B37/02 , H02M1/4258 , H02M3/3376 , H02M2001/0058 , H05B33/0815 , Y02B70/126 , Y02B70/1433 , Y02B70/1491
Abstract: 从整流的电源直接操作并联谐振转换器。单级供电应对当前调光器(比如前沿调光器和尾沿调光器)并且满足EMC标准。操作方案允许避免激发100/120Hz闪烁而未使用电解电容器。这在全操作和调光操作二者期间是可能的。下至少于5％的深度调光是可能的并且无需额外的功率部件。
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公开(公告)号：CN1849748A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480025681.1
申请日：2004-08-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H03K17/0412
CPC classification number: H03K17/04163 , H03K17/04123 , H03K2217/0036
Abstract: 谐振栅驱动电路提供了例如MOSFET的有效开关。然而，谐振栅驱动电路的操作常常不允许其中需要高的开关频率的应用。根据本发明，执行谐振栅驱动电路的电感的预充电。这允许高度有效的和快速的MOSFET的操作。
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公开(公告)号：CN103190200A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180053038.X
申请日：2011-10-31
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H05B33/0815
Abstract: 本发明涉及用于驱动负载(22)(尤其是LED单元)的驱动器设备(50a-50e)和相应的驱动方法，所述驱动器设备包括功率输入单元(52)、功率转换单元(54)、电荷电容器(56)以及控制单元(58)，功率输入单元从外部电源接收输入电压(V20)并且提供经整流的电源电压(V52)，功率转换单元将电源电压(V52)转换成为负载(22)供电的负载电流(I54)，电荷电容器用于存储电荷并且当在给定时间从外部电源(20)提取的能量不足以为负载(22)和/或功率转换单元(54)供电时为负载(22)供电，控制单元控制电源电压(V52)将电荷电容器(56)充电到明显高于电源电压的峰值电压(V52)的电容器电压(V56)以及为负载(22)供电。
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公开(公告)号：CN101454979B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200780019978.0
申请日：2007-05-14
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Abstract: 一种开关电路布置(100)，包括场效应晶体管(40)和用于偏置场效应晶体管(40)的栅极电压，具体是使场效应晶体管(40)的栅极电压在特定门限以下，具体是在特定正门限电平以下的电路(50，52，54，60，62)。在实施方式中，同时减轻反向恢复以及栅极回跳。在一个实施方式中，偏置电路包括串联到场效应晶体管(40)的栅极(G)以偏置场效应晶体管(40)的栅极电压的偏置二极管(52)，以及连接在场效应晶体管(40)的栅极(G)以及场效应晶体管(40)的源极(S)之间使场效应晶体管(40)的栅极电压在特定门限以下，具体是特定正门限电平以下的箝位场效应晶体管单元(62)。
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公开(公告)号：CN101454979A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019978.0
申请日：2007-05-14
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Abstract: 一种开关电路布置(100)，包括场效应晶体管(40)和用于偏置场效应晶体管(40)的栅极电压，具体是使场效应晶体管(40)的栅极电压在特定门限以下，具体是在特定正门限电平以下的电路(50，52，54，60，62)。在实施方式中，同时减轻反向恢复以及栅极回跳。在一个实施方式中，偏置电路包括串联到场效应晶体管(40)的栅极(G)以偏置场效应晶体管(40)的栅极电压的偏置二极管(52)，以及连接在场效应晶体管(40)的栅极(G)以及场效应晶体管(40)的源极(S)之间使场效应晶体管(40)的栅极电压在特定门限以下，具体是特定正门限电平以下的箝位场效应晶体管单元(62)。
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