公开(公告)号：CN112218015B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202011078457.6

申请日：2016-09-27

申请人： 株式会社尼康

发明人： 船水航 ,  寿圆正博 ,  驹井敦

IPC分类号： H04N25/76 ,  H04N25/77 ,  H04N25/772 ,  H04N25/78 ,  H04N25/79

摘要： 摄像元件具备：读出电路，其将根据经光电转换得到的电荷生成的信号读出到信号线；保持电路，其保持基于来自电源电路的电流的电压；以及电流源，其包含晶体管，该晶体管具有与所述信号线连接的漏极部、和与所述保持电路及所述漏极部连接的栅极部，所述电源部将根据在所述保持电路保持的电压生成的电流供给到所述信号线。

公开(公告)号：CN112400313B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201980046619.7

申请日：2019-07-04

申请人： 英尼维顺股份有限公司

发明人： 李成汉

IPC分类号： H04N25/77 ,  H04N25/74 ,  H04N25/779

摘要： 本发明涉及用于检测时变图像数据的光电阵列，其包括多个设备单元(1)的阵列，其中每个设备单元(1)包括光电传感器(2)的组(12)，每个光电传感器(2)配置为根据所述光电传感器(2)上的光强度生成模拟传感器信号，对于每个光电传感器(2)，像素编码电路配置为将由所述光电传感器(2)产生的模拟传感器信号转换为来自所述光电传感器(2)的数字像素信息，以及处理单元(13)，其包括关联逻辑(3)，所述关联逻辑(3)配置为关联来自光电传感器(2)的所述组(12)的光电传感器(2)的所述像素信息，并作为结果产生指示所述单元(1)包含要读取的像素信息的请求信号和/或产生在处理单元(13)中利用的直通

公开(公告)号：CN111885318B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202010743502.9

申请日：2014-11-18

申请人： 株式会社尼康

发明人： 驹井敦 ,  渡边佳之 ,  猿渡修

IPC分类号： H04N25/57 ,  H01L27/146 ,  H04N25/59 ,  H04N23/667 ,  H04N25/46 ,  H04N25/77 ,  H04N25/78

摘要： 固态成像元件具有：多个像素，具有光电转换部和蓄积光电转换部的电荷的电荷蓄积部；连接部，具有将相邻的2个像素的电荷蓄积部之间电连接的多个连结部。

公开(公告)号：CN117459845A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311384841.2

申请日：2019-09-17

申请人： 直观外科手术操作公司

发明人： D·C·沙弗 ,  J·M·迪卡洛 ,  I·E·麦克道尔 ,  M·J·特雷乔

IPC分类号： H04N25/77 ,  H04N25/76 ,  H04N25/706

摘要： 本申请题为“用于增强的图像传感器定时的方法和系统”。一种立体图像捕获设备，包括第一图像传感器、第二图像传感器、第一帧定时器和第二帧定时器。第一帧定时器和第二帧定时器是不同的帧定时器。第一图像传感器包括第一多行像素。第二图像传感器包括第二多行像素。第一图像传感器和第二图像传感器可以是单独的设备或集成电路中的传感器区的不同区域。第一帧定时器耦合到第一图像传感器以向第一图像传感器提供图像捕获时序信号。第二帧定时器耦合到第二图像传感器以向第二图像传感器提供图像捕获时序信号。

公开(公告)号：CN110248124B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN201910090962.3

申请日：2019-01-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 陈暎究 ,  金永灿 ,  吉珉墡

IPC分类号： H04N25/77 ,  H04N25/772 ,  H04N25/78 ,  H04N25/76

摘要： 提供图像传感器、包括其的图像检测系统以及操作其的方法。所述图像传感器可包括被配置为响应于入射在像素上的光生成图像信号的像素。像素可包括被配置为在感测时间段期间收集由入射在像素上的光产生的电荷的电荷收集电路以及浮置扩散区。所述图像传感器还可包括被配置为存储所述电荷并在感测时间段之后的转移时间段期间被配置为将所述电荷的至少一部分转移到浮置扩散区的存储单元。从存储单元转移到浮置扩散区的电荷量可由施加到存储单元的存储控制端的存储控制信号的电压电平来控制。

公开(公告)号：CN117412195A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310848090.9

申请日：2023-07-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 沈殷燮

IPC分类号： H04N25/77 ,  H04N25/766 ,  H04N25/76

摘要： 一种图像传感器，包括：像素阵列，包括自动聚焦(AF)像素和AF邻近像素，AF邻近像素与AF像素邻近并且被配置为与AF像素共享浮动扩散区；以及行驱动器，被配置为控制像素阵列，其中，包括在AF像素中的光电二极管的第一端连接到第一传输晶体管，并且包括在AF像素中的光电二极管的第二端通过第一信号线连接到地，以及其中，包括在AF邻近像素中的光电二极管的第一端连接到第二传输晶体管，并且包括在AF邻近像素中的光电二极管的第二端通过第二信号线连接到行驱动器。

公开(公告)号：CN117412190A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310873036.X

申请日：2023-07-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴奭容 ,  金敬珉 ,  金东炫

IPC分类号： H04N25/44 ,  H04N25/57 ,  H04N25/77

摘要： 一种图像传感器，包括：像素阵列，该像素阵列包括连接到第一列线的第一像素和连接到第二列线的第二像素，第一像素和第二像素中的每个包括共享驱动晶体管的第一光电二极管(PD)和第二PD，第一像素和第二像素被配置为根据基于第一PD的转换增益在第一模式和第二模式下操作，并且被配置为基于第二PD在第三模式和第四模式下操作；以及模数转换器，该模数转换器包括第一相关双采样(CDS)电路、第二CDS电路和第三CDS电路，其读取通过第一列线和第二列线输出的像素信号。第一CDS电路以时分方式连接到第一列线和第二列线。

公开(公告)号：CN112236703B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201980036832.X

申请日：2019-05-24

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 山本笃志

IPC分类号： G02B13/00 ,  G02B5/00 ,  G02B13/18 ,  H04N23/54 ,  H04N23/55 ,  H04N25/77 ,  H04N25/772 ,  H04N25/78

摘要： 本发明涉及一种能够实现装置构成的小型化和高度减小并且减少光晕或重影的生成的摄像装置。遮光膜形成在包括形成在固态摄像元件上的透镜的侧面部的区域中。本公开可以适用于摄像装置。

公开(公告)号：CN117395533A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202210753430.5

申请日：2022-06-29

申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司

发明人： 郭同辉 ,  石文杰 ,  邵泽旭

IPC分类号： H04N25/77 ,  H04N25/779 ,  H04N25/771 ,  H04N25/76

摘要： 本申请提供了一种像素阵列及其控制方法、图像传感器，在该像素阵列中，第一感光模块和第二感光模块均包括感光元件和传输晶体管，其分别的传输晶体管相对设置，且源跟随晶体管位于第一感光模块的传输晶体管和第二感光模块的传输晶体管之间，相比于其他像素共享结构的晶体管数量更少，可以有效降低寄生电容的数量；浮动扩散有源区包括相互连接的第一浮动扩散有源区和第二浮动扩散有源区，且第一浮动扩散有源区和第二浮动扩散有源区分别位于源跟随晶体管的两侧，降低了浮动扩散有源区与源跟随晶体管栅极的金属连接线之间的寄生电容。从而减少图像传感器像素的转换增益的干扰，有效降低信号噪声，进而提升了图像传感器采集的图像品质。

公开(公告)号：CN117294965A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202210675257.1

申请日：2022-06-15

申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司

发明人： 徐辰 ,  王锋奇 ,  侯金剑 ,  任冠京 ,  莫要武

IPC分类号： H04N25/76 ,  H04N25/766 ,  H04N25/78 ,  H04N25/77

摘要： 本申请提供一种基于背照式工艺的图像传感器，包括：像素阵列、模拟处理电路、数字处理电路和帧缓存电路；所述模拟处理电路与所述像素阵列连接，用于将所述像素单元逐行曝光后的像素信号量化读取，以获取行量化信号；所述帧缓存电路与所述模拟处理电路连接，用于将所述行量化信号逐行缓存为行缓存信号；所述数字处理电路与所述帧缓存电路连接，用于处理所述行缓存信号。本申请提供的基于背照式工艺的图像传感器本申请提供的基于背照式工艺的图像传感器，通过增加帧缓存电路用于临时缓存模拟处理电路逐行量化后的信号，可以提高模拟处理电路量化的速度，进而大大缩短整帧图像的量化窗口，实现高帧率量化，达到类似全局快门的图像效果。