公开(公告)号：CN117660881A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311659486.5

申请日：2023-12-05

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 杨晔 ,  户其钊 ,  金琼雅 ,  袁晨 ,  谢紫凌 ,  宋伟杰

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  G02F1/1524 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种具有中性着色的电致变色薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：提供W‑Nb‑O电致变色材料，包括Nb2O5和WO3，其中，Nb2O5的含量为30～70wt％；采用磁控溅射技术，结合选择性进行或不进行的高温热退火技术，制备出具备中性着色的W‑Nb‑O电致变色薄膜。本发明制得的W‑Nb‑O电致变色薄膜具有较好的光学调制幅度、循环稳定性、优异的着色态中性色以及电致变色性能，能满足其在中性色电致变色器件中更好的应用前景。

公开(公告)号：CN117658633A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311619513.6

申请日：2023-11-30

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 王根水 ,  吕重谦 ,  刘振 ,  郭少波 ,  姚春华

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

摘要： 本发明涉及一种镧掺杂的高储能铌酸钠基陶瓷及其制备方法和应用。所述镧掺杂的高储能铌酸钠基陶瓷的化学组成为Na1‑3xLaxNbO3，其中0.04≤x≤0.12。

公开(公告)号：CN117623775A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311724179.0

申请日：2023-12-14

申请人： 昆明理工大学 ,  上海机电工程研究所

发明人： 冯晶 ,  张陆洋 ,  华洲 ,  刘陆广 ,  利建雨 ,  张迪 ,  许斌 ,  陈琳 ,  王建坤

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及高温防护涂层技术领域，具体公开了一种相稳定的缺陷型Al(Ta1‑xAx)O4‑0.5x环境障涂层陶瓷材料及其制备方法，包括将氧化铝、氧化钽和第IVB族元素氧化物按照1：1‑x：2x摩尔比混合成原料粉体，x的范围为0.01‑0.2；然后通过固相烧结法得到相稳定的缺陷型Al(Ta1‑xAx)O4‑0.5x环境障涂层陶瓷材料。制备方法，包括如下步骤：S1、将氧化铝、氧化钽Ta2O5和第IVB族元素氧化物混合；S2、原料粉体球磨、烘干、过筛，得到混合粉体；S3、混合粉体进行热压烧结得到陶瓷块；S4、陶瓷块进行退火处理。本发明得到的材料具有与基体高度适配的热膨胀系数、较低的热导率、较高的硬度以及优异的高温相稳定性，保证了在大温域服役环境中，涂层的抗热震和高速粒子冲击性能，延长了涂层的使用寿命。

公开(公告)号：CN117623772A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311641365.8

申请日：2023-12-01

申请人： 郑州轻工业大学

发明人： 代海洋 ,  李涛 ,  闫福丰 ,  郭景会 ,  谢罗刚 ,  沈钦龙 ,  陈靖 ,  陈镇平

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

摘要： 本发明涉及磁电陶瓷材料技术领域，具体涉及一种基于空位与化学无序调控的钨酸锰铪陶瓷材料及其制备方法和应用；所述材料其化学式为：Mn1‑xHfxWO4，其中，铪掺杂量的范围为：0＜x≤0.20；在钨酸锰铪陶瓷材料Mn1‑xHfxWO4中，所述Hf4+进行Mn2+替代引入空位缺陷与化学无序，以调控钨酸锰铪陶瓷的磁电性能；本发明制备得到的Mn1‑xHfxWO4磁电陶瓷材料具有单相结构，介电性能优良，磁转变温度显著提高，铁电极化温区范围扩大，以及磁介电特征明显，具有非常优异的特性。

公开(公告)号：CN116003128B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202310060854.8

申请日：2023-01-18

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 李均 ,  赵东鹏 ,  姚嘉 ,  邓楠栋

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622

摘要： 一种具有超高储能效率的KNN基无铅铁电储能陶瓷材料及其制备方法，它涉及无铅铁电储能陶瓷材料及其制备方法，它是要解决现有的高储能效率铁电储能陶瓷储能效率低、能源利用率低的技术问题。本材料为(1‑x)[0.88K0.5Na0.5NbO3‑0.12Bi(Ni2/3Ta1/3)O3]‑xBi0.5Na0.5TiO3，x＝0.20～0.25。制法：按化学计量比称取原料并球磨混合，再预烧、球磨压片、排胶后烧结即得。对材料施加外加电场，材料铁电畴翻转响应迅速，极化滞后大大减弱，电滞回线表现为细长型，储能效率为98.17％～99.32％，有效储能密度达到0.804～1.032J/cm3，可用于电介质储能领域。

公开(公告)号：CN117486609A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202410001980.0

申请日：2024-01-02

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 林慧兴 ,  姜少虎 ,  任海深 ,  姚晓刚 ,  赵相毓 ,  张奕 ,  彭海益 ,  谢天翼 ,  何飞

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及单相复合钙钛矿陶瓷粉体、微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于微波介质陶瓷材料制备领域。针对现有微波介质陶瓷材料的性能提升有限的问题，本发明提供了单相复合钙钛矿陶瓷粉体，其组成为(100wt%‑m) ABB主相‑m添加剂AD，所述添加剂AD固溶在ABB主相中；其中，ABB主相为Ba(Zn1/3Ta2/3)O3或Ba(CoxZn1‑x)1/3Nb2/3O3，x=0.58～0.63；所述添加剂AD为玻璃粉体GL、陶瓷粉体CM中的至少一种，m=0.05wt%～1.3wt%。本发明制备的单相复合钙钛矿陶瓷粉体的微波性能优异，工艺方法简单可行，适合大批量工业生产。

公开(公告)号：CN115991599B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202111219826.3

申请日：2021-10-20

申请人： 深圳先进电子材料国际创新研究院

发明人： 王大伟 ,  周世昱 ,  蒲永平 ,  张倩雯 ,  于淑慧 ,  孙蓉

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

摘要： 本发明公开了一种高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷及其制备方法，属于无机非金属材料领域。该陶瓷组成为：(1‑x)ABO3‑xA’B’O3，其中，ABO3选自BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、BiFeO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3、(Bi0.5K0.5)TiO3、NaNbO3和(K0.5Na0.5)NbO3中的至少一种，A’选自Ba、Sr、Ca、Bi、Na、K中的至少一种，B’选自Zn、Mg、Al、Fe、Co、Mn、Sn、Zr、Hf、Ti、Nb、Ta中的至少5种；所述高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷中的多元阳离子高熵钙钛矿氧化物以A’B’O3的形式进入铁电相ABO3。本发明以固相合成法制备得到钙钛矿陶瓷。本发明制备的高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷具有良好的介电性能，可应用于电容器等领域。

公开(公告)号：CN117342870A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311284629.9

申请日：2023-09-28

申请人： 南方科技大学

发明人： 汪宏 ,  李小雨

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本申请涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法和微波通信器件，属于介质陶瓷技术领域。一种微波介质陶瓷材料的制备方法，包括：将原材料MgO和MoO3按照摩尔比1：(1.5‑2)混合，得到原料；将原料与研磨介质混合，依次进行第一次球磨、干燥和预烧处理，得到陶瓷样块；将陶瓷样块依次进行第二次球磨、干燥、压制成型和烧结处理，即得到微波介质陶瓷材料；其中，预烧的温度为500‑650℃，预烧的时间为2‑4h；烧结的温度为650‑800℃，烧结的时间为4‑6h。通过该制备方法制得的微波介质陶瓷材料，可以在低温下实现烧结，且同时具有高品质因数和低介电常数。

公开(公告)号：CN117285351A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311231936.0

申请日：2023-09-22

申请人： 广州凯立达电子股份有限公司

发明人： 朱惠祥 ,  李枫 ,  张独异 ,  戴开彬

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

摘要： 为解决现有技术存在的问题，本发明提供了一种多元素掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷，化学式为：(1‑x)(K0.48Na0.52)0.965Li0.035(Nb0.97Sb0.03)O3‑x(Bi0.5Ag0.5)ZrO3‑yMAOB，其中0.01≤x≤0.02，0.1mol.％≤y≤0.2mol.％。所述MAOB为Fe2O3、ZnO、SnO2的复合物。本发明通过多元素掺杂改性铌酸钾钠基压电陶瓷，得到了一种具有较高压电常数的同时具有较高的机电耦合系数和较低的介质损耗系数的压电陶瓷。所得电声器件，尤其是蜂鸣器，具有良好的使用性能。

公开(公告)号：CN117263686A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311310025.7

申请日：2023-10-11

申请人： 贵州振华红云电子有限公司

发明人： 张田才 ,  戴昭波 ,  李娅 ,  李帮菊 ,  蒙光莲 ,  王兰花

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

摘要： 本发明公开了一种无铅压电陶瓷材料及其制备方法，属于压电陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的无铅压电陶瓷材料结构通式为Lix(Na0.5K0.5)1‑xNbO3+w mol％A；其中，x＝0.05～0.45，w＝0.05～1.5；添加物A为Ta2O5、WO3、Yb2O3中的一种或几种。本发明提供的制备方法是按所述结构通式的摩尔比称取原料Nb2CO3、K2CO3、Li2CO3、Nb2O5添加物A，各原料混合振磨，得一次磨料；一次磨料在预烧2～3.5小时，得预烧料；预烧料破碎后振磨，得瓷粉；瓷粉中加入粘合剂，混合、轧膜、冲片成型，得瓷坯；在烧结后的瓷坯表面和背面印刷银浆，烘干、烧银得被银瓷片；被银瓷片极化。本发明无铅压电陶瓷材料具有高的压电常数和介电常数，较大的机电耦合系数，可在220℃以上环境中使用。