钛酸铋钠基无铅驱动器陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109534810B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN201811527593.1

    申请日:2018-12-13

    申请人: 同济大学

    发明人: 翟继卫 刘星 沈波

    摘要: 本发明涉及钛酸铋钠基无铅驱动器陶瓷及其制备方法和应用,该陶瓷的化学组成为(0.85‑x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.15SrTiO3‑xBa(Zr0.2Ti0.8)O3,其中x=0~0.06,制备时将原料按化学配比进行称量、一次球磨、820~900℃煅烧后得到预合成粉体,经二次球磨、造粒并压制成陶瓷生坯,经1140‑1200℃高温烧结得到钛酸铋钠基陶瓷样品。与现有技术相比,本发明最显著的优点为环境友好型材料,且具有高电致应变输出及优异的温度稳定性,应变的滞回相比其他BNT基材料大幅降低,可广泛用于制造驱动器和高精度位移器。

    一种钛酸铋钠基压电陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN110981468B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201911412435.6

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: C04B35/475 C04B35/622

    摘要: 本发明公开了一种钛酸铋钠基压电陶瓷的制备方法,将氧化铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、五氧化二铌按照化学计量比称量出BNT‑BT,再按照摩尔比为97:3称取BNT‑BT与AgNbO;将称量的各组分依次加入球磨机中,用酒精为介质,球磨混合后干燥浆料得到BNT‑BT‑3AN粉体,在冷等静压机中成型成圆片;煅烧后保温,烧结成瓷;研磨,加入适量ZnO,球磨烘干压制成陶瓷片煅烧后保温;进行打磨、抛光后用无水乙醇洗涤处理,得到钛酸铋钠基压电陶瓷。本发明通过掺杂氧化锌获得较大的非负电致应变的同时,降低钛酸铋钠陶瓷电致应变滞回性。

    一种铋系陶瓷的制备方法
    54.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110092658B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN201910474372.0

    申请日:2019-05-31

    申请人: 新乡学院

    摘要: 本发明涉及一种铋系陶瓷的制备方法,在按照化学计量比称量起始原料时,所述起始原料中的B位离子为小比例掺杂时,在原始配比的基础上增加Bi2O3的用量;所述起始原料中的B位离子为大比例掺杂时,在原始配比的基础上减少Bi2O3的用量。本发明解决了传统方法在高温烧结过程中Bi元素易挥发,导致制备的Bi系材料不纯,容易出现杂相,这会对后续性能测试产生诸多不确定的因素的问题。

    一种无铅热释电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114133239A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111271379.6

    申请日:2021-10-29

    申请人: 湖北大学

    发明人: 沈孟 胡良为 陈勇

    IPC分类号: C04B35/475 C04B35/622

    摘要: 本发明属于热释电红外探测技术领域,具体提供了一种无铅热释电陶瓷材料及其制备方法。所述无铅热释电陶瓷材料的化学组成为:(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xNa0.5Bi4.5Ti4O15,通过在Na0.5Bi0.5TiO3中引入微量Na0.5Bi4.5Ti4O15,使得过量的Na+、Bi3+、Ti4+进入Na0.5Bi0.5TiO3晶格中,将其晶格从铁电赝立方相畸变为铁电四方相,使其长程有序的铁电畴更稳定,从而将无铅热释电陶瓷的退极化温度从138℃提高到174℃,室温热释电系数从3.56×10‑4C m‑2K‑1提升到5.28×10‑4C m‑2K‑1。

    BNT-BKT-BT-AlN复合压电材料及其制备和应用

    公开(公告)号:CN114031395A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111361930.6

    申请日:2021-11-17

    申请人: 中南大学

    发明人: 张斗 周学凡

    摘要: 本发明属于功能陶瓷材料领域,具体涉及BNT‑BKT‑BT‑AlN复合压电材料,其为具有以下化学式的固溶陶瓷材料:(1‑x)[(1‑a‑b)Bi0.5Na0.5TiO3‑aBi0.5K0.5TiO3‑bBaTiO3]‑xAlN;其中,x=0.001~0.05;a=0.1~0.2;b=0.01~0.10。本发明还提供了所述的材料的制备和应用。本发明研究发现,所述的全新的压电陶瓷材料可以兼具优异的压电系数d33、退极化温度Td性能。

    钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN111087238B

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN201911401230.8

    申请日:2019-12-30

    IPC分类号: C04B35/475 C04B35/622

    摘要: 本发明公开了一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。所述钛酸铋钠基无铅压电陶瓷具有下列通式:(1‑x‑y)(Bi0.5Na0.5)TiO3—xBaTiO3—y(La0.5M0.5)(Zn1/3Ta2/3)O3;其中,M为Li和K中的至少一种;x和y分别表示BaTiO3和(La0.5M0.5)(Zn1/3Ta2/3)O3所占化合物(1‑x‑y)(Bi0.5Na0.5)TiO3—xBaTiO3—y(La0.5M0.5)(Zn1/3Ta2/3)O3的摩尔百分比;其中,0.04≤x≤0.20,0.01≤y≤0.07。根据本公开的一个实施例,所述钛酸铋钠基无铅压电陶瓷在室温下能表现出优异的电致应变特性,同时居里温度变化小。

    高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN110372372B

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN201910697614.2

    申请日:2019-07-31

    申请人: 贵州大学

    发明人: 王媛玉 谭柳茂

    摘要: 本发明公开了一种高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法:以K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、Bi2O3、Sb2O3、TiO2作为初始原料,按照(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑x(K0.5Na0.5)(Nb0.96Sb0.04)O3计量比称取初始原料,并进行混料,x为0.01~0.05;混合粉料预烧研磨,然后加入粘合剂,进行造粒和压片,所得的陶瓷圆片坯体先烧结,然后用银作为电极披覆在所得的烧结后陶瓷片的上下两面,高压下极化,得到高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷。可广泛应用于高温高频范围、要求性能稳定且压电响应灵敏的压电式传感器、滤波器等。

    一种温度稳定型陶瓷介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110105065B

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN201910405414.5

    申请日:2019-05-13

    摘要: 本发明涉及陶瓷介质材料领域,具体是一种温度稳定型陶瓷介质材料及其制备方法。是由质量百分比为5‑20%的KNbO3、10‑20%的SrTiO3和70‑85%的BiMg0.1Ti0.7O3组成的。本发明所提供的温度稳定型陶瓷介质材料,SrTiO3‑BiMg0.1Ti0.7O3系介质陶瓷具有适中的烧结温度,一般在1050℃左右、具有较高的介电常数、可调的容量温度系数和较低的损耗,是一种性能优异的介质陶瓷材料。本发明选择SrTiO3‑BiMg0.1Ti0.7O3系统,采取添加KNbO3为掺杂改性的方法,使其满足温度稳定型的同时,具有介电常数高、介电损耗低的优势。

    高介电温度稳定兼具储能特性的钛酸铋钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113735578A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202111074804.2

    申请日:2021-09-14

    摘要: 本发明公开了一种高介电温度稳定兼具储能特性的钛酸铋钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料的通式为(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xCaSnO3,其中x的取值为0.10~0.15。本发明通过配料、球磨、预烧、过筛、压片、烧结制备而成。本发明制备方法简单、成本低廉、重复性好、成品率高。其中x=0.12时,陶瓷材料在基准温度下的介电常数为εr150℃=840、介电损耗tanδ150℃=0.003,在‑94~500℃的温度范围内,容温变化率满足TCC150℃≤±15%,其介电常数随温度变化小,具有优异的温度稳定性,同时具有好的储能性能。