公开(公告)号：CN101335518A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810214705.8

申请日：2008-06-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 桐谷政秀 ,  园田乃理子

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/0185

CPC classification number: H03K19/018521 ,  H03K3/356113

Abstract: 本发明涉及半导体装置。能够与电源电压不同的两个电源的接通顺序无关地防止电源接通时的不确定动作。本发明的电平移位电路具有将低电压的信号变换为高电压的信号的电平移位器。在本发明的电平移位电路中设置在比低电压的电源先接通高电压的电源的情况下，设定针对电平移位器的输入用晶体管的输入信号的电压状态的单元。

公开(公告)号：CN101248582A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200680024140.6

申请日：2006-05-02

Applicant: 爱特梅尔公司

Inventor： 马修·托德·维希

IPC: H03K19/0175

CPC classification number: H03K3/012 ,  H03K3/356113

Abstract: 在一种电压电平转换器中，输入线路经配置以输送待转换的输入电压。一对晶体管耦合到所述输入线路且经配置以从所述输入线路接收所述输入电压。存在第一侧和第二侧，其中每一侧包含以下装置：低电压晶体管，其耦合到所述对晶体管；中间电压晶体管，其耦合到所述低电压晶体管；高电压晶体管，其耦合到所述中间电压晶体管；以及输出线路，其耦合到所述第一侧和第二侧，以用于提供高于所述输入电压的输出电压。

公开(公告)号：CN1901369A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610095799.2

申请日：1998-12-25

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 田中一雄 ,  水野弘之 ,  西山利惠 ,  宫本学

IPC: H03K3/356 ,  H03K19/0185 ,  H01L21/00

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H01L2924/0002 ,  H03K3/356104 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体集成电路器件，包括：具有第一电位的第一电位点；具有第二电位的第二电位点；上拉电平转换电路，以及用于限定流过上拉电平转换电路的电流的电流源。所述上拉电平转换电路包括：用于接收互补输入信号、源极连接到所述第二电位点的第一种导电类型的第一和第二场效应晶体管，以及第二种导电类型的第三和第四场效应晶体管，该第三场效应晶体管的源极连接到所述第一电位点、漏极连接到所述第一场效应晶体管的漏极、栅极连接到所述第二场效应晶体管的漏极；所述第四场效应晶体管的源极连接到所述第一电位点、漏极连接到所述第二场效应晶体管的漏极、栅极连接到所述第一场效应晶体管的漏极，以及用于限定流过上拉电平转换电路的电流的电流源。

公开(公告)号：CN1264276C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200410063601.3

申请日：2004-07-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 祗园雅弘

IPC: H03K3/356

CPC classification number: H03K3/356113

Abstract: 在电平位移电路中，例如，当输入信号IN从L电平变成H电平时，使N型信号输入晶体管导通，并且电流在N型晶体管中流动。因此，第一电流镜电路将在N型晶体管中流动的电流放大预定倍数，增加用于反相输出节点的电流驱动能力，并且将反相输出节点迅速变到L电平。当反相输出节点变成L电平时，输出节点变为H电平，通过该变化使P型晶体管(第一电流中断电路)不导通，并且中断从第一电流镜电路提供的电流。因此，即使当降低用于输入信号和反相输入信号的电源电压时，也能高速执行操作。

公开(公告)号：CN1770631A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510119394.3

申请日：2005-11-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水上幸洋 ,  来田和久

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H03K17/102

Abstract: 在构成电平移位电路的N沟道第1 MOS晶体管(TN－A)、第2MOS晶体管(TN－B)和P沟道第3MOS晶体管(TP－A)、第4MOS晶体管(TP－B)中，构成P沟道第5MOS晶体管(TP－C)和第6MOS晶体管(TP－D)，使其对第3MOS晶体管(TP－A)、第4MOS晶体管(TP－B)构成电流镜电路。由此，可防止从VDDH到VSS的贯通电流，并能高速工作。

公开(公告)号：CN1184743C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN02126870.3

申请日：2002-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西村英敏 ,  祗园雅弘 ,  生驹平治 ,  野尻尚纪

IPC: H03K19/0948 ,  H03K19/00 ,  H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/012 ,  H03K3/356113

Abstract: 本发明旨在提供这样的电平移动电路，即使低压信号的电压电平降低时，该电路也可稳定输出经电平变换的信号。为此，在数字信号在N沟道晶体管15、16源极处输入的CMOS电平移动电路中，N沟道晶体管15、16的栅极处被输入偏置电压Vref，该偏置电压Vref，高于数字信号的高电平电压，但低于数字信号的高电平电压加上N沟道晶体管15、16的阈值电压后的值。本发明提供一种设有第一N沟道晶体管、第二N沟道晶体管、第一P沟道晶体管以及第二P沟道晶体管的CMOS电平移动电路，其中第一N沟道晶体管的衬底电极与第二N沟道晶体管的衬底电极上所加的电压之一或它们二者低于接地电压。

公开(公告)号：CN1145260C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN98124911.6

申请日：1998-11-13

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 下田洋史

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/356113

Abstract: 一种电平移动器电路中，四个P沟道晶体管(MP7，MP8，MP9，MP10)串联连接在节点(#1，#2)与VCC/GND信号(IN2)之间，以固定N沟道晶体管(MN3，MN4)的节点电位于VCC/GND。连接于节点(#1，#2)的P沟道晶体管(MP9，MP10)具有连接于GND的栅极，作为击穿电压BVds的反措施。连接于VCC/GND信号(IN2)的P沟道晶体管(MP7，MP8)具有分别直接连接于一个倒相器(INV1)的输入端(IN1)和输出端的栅极。

公开(公告)号：CN1433076A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03101695.2

申请日：2003-01-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 祗园雅弘

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H03K3/012

Abstract: 一种电平移动电路，在将输入信号IN或反转输入信号XIN输入到栅极的用于信号输入的N型晶体管(1、2)中，通过用于衬底偏置的P型晶体管(5、6)将所述信号IN或XIN也提供给该衬底。在信号IN或XIN上升变化时，用于信号输入的N型晶体管(1、2)的各阈值电压因衬底偏置效果而下降。因此，即使信号IN或XIN是低电压电平，也能进行高速地动作。另外，如果输出信号OUT或反转输出信号XOUT变化为高电压电平，则所述用于衬底偏置的晶体管(5、6)变为非导通状态，所以在信号变化以外时，不将输入信号IN或反转输入信号XIN提供给用于信号输入的N型晶体管(1、2)的衬底。因此，在这些衬底中始终不会流过贯通电流。

公开(公告)号：CN1426111A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02156314.4

申请日：2002-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 寺岛知秀

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H01L27/0716 ,  H01L29/7396 ,  H03K3/012 ,  H03K3/021

Abstract: 本发明的课题是提供耐压高、而且能输出大电流的半导体电路。晶体管Q1、Q11交叉耦合。晶体管Q1的栅极和晶体管Q11的漏极不直接与晶体管Q4的漏极连接，而与晶体管Q12的基极连接。晶体管Q11的源极与晶体管Q12的集电极连接，晶体管Q4的漏极与晶体管Q12的发射极连接。当设晶体管Q12的电流放大系数为β，使晶体管Q3、Q11的电流驱动能力相等时，能够使输出S0的电流大致为β倍。

公开(公告)号：CN1229248A

公开(公告)日：1999-09-22

申请号：CN98111749.X

申请日：1998-12-24

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 野田一百

IPC: G11C11/00

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H03K3/012

Abstract: 电压转换缓冲电路包括:一个反相器,接收输入数据信号并输出反相数据信号;一个触发器,它有接收输入数据信号和反相数据信号的第一和第二支路;一个牵引晶体管,当驱动能力较小的晶体管产生触发动作时,它在输出节点上辅助触发动作;牵引晶体管的导通过能力和驱动能力较小的晶体管的导通能力相同;在输入数据信号从高－低或从低－高转变期间,能够获得快速触发功能。