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公开(公告)号：CN104014921A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410172037.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 长安大学
CPC classification number: B23K20/023 , B23K20/14 , B23K20/233 , B23K20/24 , B23K2103/18
Abstract: 本发明公开了一种快速制备铜钼多层复合材料的方法，包括以下步骤：一、将铜片和钼片的表面进行打磨处理以除去氧化膜，然后用丙酮清洗打磨后的铜片和钼片，冷风吹干备用；二、将铜片和钼片交替叠合铺层，得到多层结构板，然后将多层结构板放入组合模具中；三、将装有多层结构板的组合模具放入等离子活化烧结炉中，烧结后脱模得到铜钼多层复合材料。本发明通过引入高密度电流直接对由铜片和钼片交替叠合铺层得到的多层结构板进行通电加热烧结，在温度和压力的联合作用下实现铜钼界面的快速扩散连接，本发明制备工艺生产的铜钼多层复合材料具有良好的热导率和热膨胀系数，铜钼界面结合强度高，产品一致性好，且可冲压成型。
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公开(公告)号：CN103872044A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410123316.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，负载电阻表面保留SiN，电阻沟道中存在高浓度二维电子气，呈现出电阻特性，将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN103033276A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210580213.7
申请日：2012-12-27
Applicant: 长安大学
IPC: G01K7/01 , H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅温度传感器及其制造方法，其传感器包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部设有圆形肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设有圆环形N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间以及欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设有二氧化硅层；其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极，七、热退火。本发明设计合理，线性度和封装密度好，有利于集成，推广应用价值高。
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公开(公告)号：CN103023318A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210434696.X
申请日：2012-11-02
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高压芯片内部的低压电源产生电路，包括输入端VIN、输出端VREG3、第一电源电压VREF2、第二电源电压VSS、高低电平产生支路、两条电平转换支路和功率输出支路；高低电平产生支路包括第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、电压比较器CMP1、延迟单元DEL和第一5V低压NMOS晶体管M2；两条电平转换支路包括第四电阻R6、第五电阻R7、第一40V高压NMOS晶体管M3、第二5V低压NMOS晶体管M4、第一理想电流源IREF1、第一电容C4和第二电容C5；功率输出支路包括第一40V高压PMOSM5、第二40V高压NMOS M6和第三电容C6。本发明的电路只需几百pF稳压电容，具有响应速度快、输出电容需求小、稳定性好等显著的优点，特别适于高压芯片电路的设计。
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公开(公告)号：CN102749130A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210222513.8
申请日：2012-06-29
Applicant: 长安大学
IPC: G01G9/00
Abstract: 本发明公开了一种LOVE波型微量物质质量的测量装置，包括在同一压电基片材料上制作的一个输入叉指换能器、两个相同的输出叉指换能器、输入叉指换能器的第一电极、输入叉指换能器的第二电极、输出叉指换能器的第一电极、输出叉指换能器的第二电极，以及覆盖在输入叉指换能器、输出叉指换能器和压电基片上的LOVE波波导层；输入叉指换能器的第一电极、输入叉指换能器的第二电极、输出叉指换能器的第一电极和输出叉指换能器的第二电极的末端均从LOVE波波导层中伸出；两个输出叉指换能器分别对称设置在输入叉指换能器的左、右两侧，输入叉指换能器与输出叉指换能器之间的区域为测量区域。本发明结构简单，能够实现对毫克以及毫克以下物质质量的测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119937700A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510005143.X
申请日：2025-01-02
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 长安大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种带隙基准电压源和芯片，属于电子电路技术领域。带隙基准电压源包括：运算放大器；带隙基准核心电路，与所述运算放大器的第一输入端和第二输入端电连接，用于为所述运算放大器的所述第一输入端和所述第二输入端提供输入电压；电流负反馈回路，与所述运算放大器的输出端电连接，用于通过电流负反馈稳定所述运算放大器的所述输出端输出的带隙基准电压。本发明用以解决传统的带隙基准电压源需要额外的电路模块来为整个电路提偏置电流，这大大增加功耗，同时产生的偏置电流受温度影响很大，从而影响基准电压的温度系数的缺陷。
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公开(公告)号：CN118868708A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410967746.3
申请日：2024-07-18
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种电动汽车电机驱动装置及控制方法，将三相绕组上的三相电压和电流变换成两相静止坐标系下的相电压，通过转速偏差计算得到给定转矩；将给定转矩与实际转矩的比较作为输入得到输出值HT值，将给定参考磁链与磁链幅值的比较作为输入得到输出值HF值；根据实际转矩和电机转速大小，通过模糊控制进行扇区切换和矢量输出，得到逆变器中控制电机转子转动的最优空间电压矢量，根据最优空间电压矢量对转矩进行控制。本发明采用三扇区切换五扇区的直接转矩控制，三扇区系统启动、五扇区稳速运行，简化了开关表的设计，同时减少了算法结构的设计，增加了系统反应速度，对硬件的要求不高，并可实现对永磁同步电机的精准控制。
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公开(公告)号：CN110350910B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910489161.4
申请日：2019-06-06
Applicant: 长安大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/20 , G11C5/14
Abstract: 本发明提供了一种基于EPROM与Pin复用用于FT trimming电路包括依次连接的Pin复用电路、EPROM IP核的电源产生电路、IIC串行接口逻辑电路和EPROM IP核，本发明的Pin复用电路利用Pin复用技术产生时钟和数据信号，EPROM IP核的电源产生电路产生EPROM正常工作的低压电源和高压电源，IIC串行接口逻辑电路产生EPROM的读写信号，实现对EPROM的读写操作，采用上述电路结构可以对芯片进行修调处理，并可应用于集成电路设计中，提高芯片设计的良率，降低设计成本，灵活的实现单次编程。
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公开(公告)号：CN111221023B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201911022687.8
申请日：2019-10-25
Applicant: 长安大学
IPC: G01T1/17
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，包括紫外光接收模块、忆阻器放大模块、测量开关、忆阻器阵列模块、忆阻器复位模块和忆阻器误差调理模块；紫外光接收模块连接忆阻器放大模块的输入端，忆阻器放大模块连接测量开关，开关另一端连接忆阻器阵列模块和忆阻器组织复位模块，忆阻器阵列模块与忆阻器复位模块的输出端连接，再与忆阻器误差调理模块的输入端连接；紫外光接收模块包括偏置电压、保护电阻、雪崩二极管和紫外偏振片；偏置电压的输出端连接保护电阻，保护电阻的另一端连接雪崩二极管。本发明利用忆阻器的阻值变化来测量紫外辐射的累积量，从而提高了累积测量准确度，解决了传统测量电路损耗过高的问题。
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公开(公告)号：CN109816096B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910062532.0
申请日：2019-01-23
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的感知器神经网络电路及其调节方法，该电路包括忆阻器模块、权值转换模块、净输入模块和映射函数模块；所述的忆阻器模块与权值转换模块连接，所述的权值转换模块与净输入模块连接，所述的净输入模块与映射函数模块连接。本发明的方法首先调节忆阻器的阻值与时间关系的图像近似为一条直线，再调节权值与时间关系的图像近似为一条直线。线性变化的忆阻器阻值能够更加精确的代替神经网络的突触权值，利用忆阻器的阻值来储存训练好的神经网络的突触权值，从而实现了忆阻器阻值与神经元突触权值的转换，解决传统神经元电路不能精确调整神经突触权值的问题。
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