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公开(公告)号：CN113541691A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110932522.5
申请日：2021-08-13
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提出了一种基于阈值电压型忆阻器阵列的并行转存模数转换器及系统，涉及半导体集成电路技术领域。其中，该模数转换器包括信号放大器选择开关电路、存储电路、读电路、外接电阻阵列电路和复位电路。信号放大器选择开关电路的输入端接模拟信号电压；信号放大器选择开关电路的输出端与阈值电压型忆阻器阵列存储电路相连；外接电阻阵列电路与存储电路相连；存储电路与读电路相连；复位电路与存储电路相连。该基于阈值电压型忆阻器阵列的并行转存模数转换器具有高速度、低功耗、可选精度、易集成、占用芯片面积小的优点。该模数转换方法具有上述模数转换器的所有有益效果。
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公开(公告)号：CN113499697A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110889428.6
申请日：2021-08-04
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种水包水包水(W/W/W)单分散双重乳液及其制备方法，属于全水相单分散双重乳液制备技术领域，该制备方法通过外水相溶液、中间水相溶液和内水相溶液在微管型三重同轴环绕毛细管装置的锥尖出口处，一步生成水包水包水(W/W/W)单分散双重乳液；其中，中间水相溶液和内水相溶液的输出方式为同步间断式输出。本发明提供的水包水包水(W/W/W)单分散双重乳液的制备方法具有简便快捷，乳液均一稳定，乳液大小和内水相液滴直径可分别于250～500μm和110～300μm区间范围实现灵活精准可控的特点，可有效解决现有制备技术中存在的双水相间界面张力极低、制备难度大、不适合高通量批量生产的问题。
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公开(公告)号：CN111484761B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010534197.2
申请日：2020-06-12
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种防冰挂防紫外线涂层的制备方法，其具体操作是：取250 ml烧杯，加入水150 ml，加入六次甲基四胺0.01g‑0.1g，硝酸锌0.01g‑0.1g，1‑5微米Al2O3 1g，搅拌反应24h；然后依次加入氟硅烷0.5ml，漂珠5g，2000转搅拌24h，即获得可喷涂的防冰挂防紫外线涂层，该涂层接触角153°～157°，以及收波长340 nm～351 nm。本发明一方面可以提供物理疏水，有效防路面凝冰，另一方面可吸收紫外线，且稳定性好、不会影响混凝土的性能，具有制作简单、成本低，施工性能好，适用大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN109267026B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201811389566.2
申请日：2018-11-21
Applicant: 西南交通大学
Inventor： 杨峰 , 米雅民·萨尔曼·卡齐姆 , 孙柏 , 赵勇
Abstract: 本发明公开一种钛基底着多重及图案化颜色的方法，在腔室真空度为预设的高压环境下，通过磁控溅射仪向钛基底上采用ZnO进行第一层溅射，溅射时长为t1，溅射厚度为h1，完成第一层着色；在第一层着色的基础上，再采用MoS2进行第二层溅射，溅射时长为t2，溅射厚度为h2，颜色转变为目标色；通过控制溅射时长t1和t2，溅射厚度h1和h2，以及溅射的区域，实现不同颜色的图案化。本发明可在钛基底上沉积多层膜，进而进行颜色调控，加掩膜板，可以实现图案化，且易于实现，利于大规模推广。
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公开(公告)号：CN108754574A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810612993.6
申请日：2018-06-14
Applicant: 西南交通大学
IPC: C25D11/26
CPC classification number: C25D11/26
Abstract: 本发明公开了一种亮黄色忆阻器的制备方法，包括以下步骤：a、准备钛片和铌片，剪成需要大小，分别在丙酮、酒精、去离子水中超声15min，吹干待用；b、配制0.05mol/L的草酸溶液，将草酸溶液作为电解液，钛片作为阴极，在40v直流电压下氧化铌片10秒，以获得亮黄色的氧化铌薄膜；氧化完成后将样品冲洗干净，静置风干；c、待风干后滴上银胶，以银作为上电极，以铌为下电极在电化学工作站测I‑V循环曲线。本发明方法能耗低、设备简单，一步合成氧化铌薄膜，耗时少，操作简单，得到的忆阻性能优良。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104934230B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510346909.7
申请日：2015-06-23
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明公开了一种宽光强适用范围二氧化钛纳米管阵列复合光阳极的制备方法，将阳极氧化后的钛箔经无机半导体In2S3的敏化及染料敏化剂N719的敏化处理获得N719/In2S3/在二氧化钛纳米管阵列/Ti基底的复合光阳极；本方法制备的无机半导体共敏化二氧化纳米管阵列光阳极光电性能得到大幅度的提高；本发明使用的材料丰富，条件要求低，设备简单，获得的产品稳定，常温下可长久保存。
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公开(公告)号：CN104593858A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410802642.3
申请日：2014-12-22
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种Sb2S3/TiO2纳米管阵列复合单晶异质结的制备方法，以高度有序的TiO2纳米管阵列作为Sb2S3的生长基底，通过水热法制备Sb2S3，Sb2S3纳米晶沿着垂直于TiO2纳米管阵列的方向生长，与TiO2纳米管阵列形成独特的钢筋混凝土状的异质结。一方面，Sb2S3纳米晶沿着垂直于TiO2纳米管阵列的方向生长成单晶，单晶的表面缺陷少，减少了光生载流子的复合中心；另一方面，这种独特结构的Sb2S3/TiO2纳米管阵列复合单晶异质结的有序排列有利于光生载流子的传输和分离。同时，本发明周期短,能耗低,不需要后期处理，大大降低了成本。Sb2S3/TiO2异质结在太阳能电池材料领域具有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN103288134A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310177629.9
申请日：2013-05-14
Applicant: 西南交通大学
IPC: C01G33/00
Abstract: 本发明公开了一种纺锤体氧化铌的制备方法，其具体作法是：将铌箔片依次在去离子水、酒精、丙酮溶液中进行超声清洗，空气中吹干备用；在盛有过氧化氢和去离子水的混合溶液容器中，加入氟化铵，充分溶解，配置成含氟混合溶液，混合溶液中氟化铵的浓度为0.06684-0.07mol/L。将铌箔片斜放入高压反应釜中，取20份含氟混合溶液移入反应釜内胆，将高压反应釜在150℃下保温15h，随炉冷却至室温;将高压反应釜中的铌箔片基底及基底上生长的纺锤体氧化铌取出，用去离子水多次冲洗，烘干即得目标产物。本发明方法制备纺锤体氧化铌设备简单、实验过程简便易行。
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公开(公告)号：CN102427096B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110342504.8
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法，其作法是：以钛箔为阳极，铂为阴极，对钛箔进行氧化，得非晶态TiO2纳米管阵列；经处理后，得TiO2纳米管阵列；将钛箔置于高温反应釜内，再将Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反应釜，热处理得Bi2S3-TiO2纳米管阵列；在Bi2S3-TiO2纳米管阵列表面覆盖FTO，引出电极，在未生成Bi2S3-TiO2纳米管阵列的钛箔上引出电极，将FTO与钛箔及其Bi2S3-TiO2纳米管阵列的接触边缘封装即得本发明的光探测器。该方法能耗低，工艺、设备简单；制得物适用光谱范围大，适合做光谱分析；还可以做光敏开关等光电器件，具有广阔的应用前景。
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