公开(公告)号：CN103420670B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201310346515.2

申请日：2013-08-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  李恩竹 ,  余盛全 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法，属于材料技术领域。包括BaO-ZnO-TiO2主料、第一添加剂BaCu(B2O5)、第二添加剂复合氧化物和第三添加剂MnO2。首先以BaCO3、ZnO和TiO2为原料合成BaO-ZnO-TiO2主料，然后以BaCO3、CuO和B2O3为原料合成第一添加剂，再以BaCO3、ZnO、TiO2、SiO2和B2O3为原料合成第二添加剂，再将第一、二、三添加剂添加到主料中，经球磨、干燥、过筛、造粒、成型和排胶处理后在空气中于850～940℃下烧成。本发明提供的低温烧结微波陶瓷材料，经检测具有高的Q值，近零且系列化的频率温度系数，适中的介电常数和良好的工艺稳定性。

公开(公告)号：CN103922739A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410092423.0

申请日：2014-03-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  陈鹤拓 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 一种B位取代BNT微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于功能材料技术领域。微波介质陶瓷材料的化学通式为Ba3。75Nd9.5Ti18-y(M,N)yO54，其中0.6≤y≤2.5；由BaO、Nd2O3、TiO2、金属元素M、N的氧化物按化学通式的摩尔比经配料、球磨、预烧和烧结制成；其中元素M的氧化物为Nb2O5，元素N的氧化物为Al2O3、MgO、ZnO、Co2O3、NiO中的一种或几种。本发明对Ba6-3xNd8+2xTi18O54中B位进行高低价元素同时取代，经一次合成工艺得到的微波介质陶瓷材料具有较高的介电常数、较低的损耗特性和较低的频率温度系数，能满足微波通信行业的需求，尤其适合制作射频电子标签。

公开(公告)号：CN103319166A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310201931.3

申请日：2013-05-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  李皓 ,  孙成礼 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 一种微波陶瓷介质材料及其制备方法，属于电子信息功能材料技术领域。包含主晶相结构和改性添加剂；所述主晶相结构为(1-x)MgTiO3-xMg2SiO4-yCaTiO3，其中0≤x≤0.8，0.05≤y≤0.07；所述改性添加剂包括MnCO3、Co2O3、CeO2和Nb2O5，所述改性添加剂质量分数占整个微波介质陶瓷总质量的0.5%～3%。本发明采用传统固相烧结方法，具有简单、易控、环保和成本低廉的特点；所得材料具有较高Qf值65000～85000GHz之间，相对介电常数εr在10-22之间，谐振频率温度系数在±10ppm/℃以内。

公开(公告)号：CN102503405B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110371992.5

申请日：2011-11-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  余盛全 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种复合BZT微波陶瓷介质材料及其制备方法，属电子信息功能材料与器件领域。材料包含摩尔比为BaTi4O9∶BaZn2Ti4O11＝(1-x)∶x(x∈[0.05，0.75])的两种晶相结构，同时添加0.0～2.0％的MnO2、0.0～1.5％的Nd2O3和0.0～3.0％的CuO。本发明将分别具有正、负频率温度系数的BaTi4O9陶瓷和BaZn2Ti4O11陶瓷相复合，并添加MnO2、Nd2O3和的CuO，获得了介电常数适中、品质因数较高、频率温度系数在零附近连续可调且能中温烧结的复合BZT微波陶瓷介质材料，适于制作谐振器、滤波器、基板以及天线等微波通信元器件。制备时采用传统固相法，一次合成BaTi4O9+BaZn2Ti4O11复相结构，具有工艺优化、节能、环保的特点。

公开(公告)号：CN102775144A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210248673.X

申请日：2012-07-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  张晓 ,  杨成韬 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 一种微波陶瓷介质材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。材料包含晶相结构和掺杂剂；主晶相为BCZN(BaCo1/3Nb2/3O3-BaZn1/3Nb2/3O3)，副晶相Ba5Nb4O9伴随B′位和B″位原子非化学计量比和原料掺杂产生。主晶相原料为BaCO3、Co2O3、ZnO、Nb2O5；掺杂剂为相当于晶相结构质量的0.1~1.50%的Al2O3和Ta2O5；或者同时包含相当于0.0%~0.5%的CeO2或Y2O3。本发明采用传统固相烧结方法，具有简单、易控、环保和成本低廉的特点；所得材料具有较高Q×f值（~76500GHz），中等介电常数（35±1）和接近于零的频率温度系数（0±10），适用于制作微波器件介质材料，能够满足微波器件制作要求。

公开(公告)号：CN101033132B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200710048476.2

申请日：2007-02-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周晓华 ,  唐彬 ,  袁颖 ,  张树人 ,  钟朝位

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C03C10/04 ,  C03C10/14 ,  H01B3/12

Abstract: 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料，涉及电子材料技术，特别涉及电容器材料技术。本发明由钛酸钡主料、第一添加剂、第二添加剂和第三添加剂组成，其中：第一添加剂为微晶玻璃，第二添加剂包括无铅压电材料钛酸铋钠或硼硅酸盐，第三添加剂包括：稀土氧化物、ZnO和Nb2O5，所述稀土氧化物包括Ce或Nd的氧化物。本发明的有益效果是，实现了基料与掺杂剂的分别批量化生产，从而使生产过程简化，设备简单且容易控制。制成微晶玻璃添加剂颗粒尺寸达到纳米级，符合MLCC大容量、高可靠性和小型化的趋势。

公开(公告)号：CN100414276C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200510021654.3

申请日：2005-09-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张树人 ,  钟朝位 ,  张万里

IPC: G01J5/10 ,  H01L37/02

Abstract: 单元热释电红外探测器件及其制备方法，属于材料与元器件技术领域。器件包括上下电极和BST陶瓷半导体(5)和包裹在其外面的BST陶瓷氧化层介质(6)；BST陶瓷半导体(5)由掺有1～5wt%稀土杂质的(Ba0.7Sr0.3)TiO3基瓷料经高温烧结和还原热处理制得，其厚度＜0.20mm，电阻率小于10Ω·cm；BST陶瓷氧化层介质(6)由BST陶瓷半导体(5)经表面氧化制得，其厚度控制在5～10um。器件的制备方法至少包括以下顺序步骤：瓷料制备、瓷胚制作、高温烧结、还原气氛热处理、表面氧化和电极制作。本发明有利提高热释电红外探测器件的热释电系数，从而提高热释电红外探测器灵敏度；通过瓷体半导化层和表面绝缘层厚度的适当选择，既可保证探测器的强度又可保证探测器的性能；制备方法简单易控。

公开(公告)号：CN101033132A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710048476.2

申请日：2007-02-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周晓华 ,  唐彬 ,  袁颖 ,  张树人 ,  钟朝位

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C03C10/04 ,  C03C10/14 ,  H01B3/12

Abstract: 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料，涉及电子材料技术，特别涉及电容器材料技术。本发明由钛酸钡主料、第一添加剂、第二添加剂和第三添加剂组成，其中：第一添加剂为微晶玻璃，第二添加剂包括无铅压电材料钛酸铋钠或硼硅酸盐，第三添加剂包括：稀土氧化物、ZnO和Nb2O5，所述稀土氧化物包括Ce或Nd的氧化物。本发明的有益效果是，实现了基料与掺杂剂的分别批量化生产，从而使生产过程简化，设备简单且容易控制。制成微晶玻璃添加剂颗粒尺寸达到纳米级，符合MLCC大容量、高可靠性和小型化的趋势。

公开(公告)号：CN1810707A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510048315.4

申请日：2005-12-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周晓华 ,  张树人 ,  钟朝位 ,  王升 ,  李波

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624 ,  C04B35/49 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

Abstract: 纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域，特别涉及一种电容器陶瓷材料。本发明所制备的掺杂剂的尺寸达纳米级，成本低，均匀性好。本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，提供一种纳米级陶瓷材料掺杂剂，其主成分为包含以下元素的复合氧化物：aSi+bA+cD+dR，其中，A代表受主元素，至少包括Mg、Mn之一；D代表V、Gd、Sm、Nd、Pr中的一种或多种：R代表稀土元素，包括Ho、Dy、Y、Yb、Er其中之一种或多种；其中，a、b、c、d是系数，以mole比计算，10％≤a≤70％，10％≤b≤40％，10％≤c≤40％，10％≤d≤40％。

公开(公告)号：CN1746639A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510021654.3

申请日：2005-09-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张树人 ,  钟朝位 ,  张万里

IPC: G01J5/10 ,  H01L37/02

Abstract: 单元热释电红外探测器件及其制备方法，属于材料与元器件技术领域。器件包括上下电极和BST陶瓷半导体(5)和包裹在其外面的BST陶瓷氧化层介质(6)；BST陶瓷半导体(5)由掺有1～5wt％稀土杂质的(Ba0.7Sr0.3)TiO3基瓷料经高温烧结和还原热处理制得，其厚度＜0.20mm，电阻率小于10Ω·cm；BST陶瓷氧化层介质(6)由BST陶瓷半导体(5)经表面氧化制得，其厚度控制在5～10μm。器件的制备方法至少包括以下顺序步骤：瓷料制备、瓷胚制作、高温烧结、还原气氛热处理、表面氧化和电极制作。本发明有利提高热释电红外探测器件的热释电系数，从而提高热释电红外探测器灵敏度；通过瓷体半导化层和表面绝缘层厚度的适当选择，既可保证探测器的强度又可保证探测器的性能；制备方法简单易控。