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公开(公告)号：CN110323127A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910482155.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用PEALD在硅衬底上生长石墨烯的方法，将干净硅衬底置于反应室中进行PEALD循环，每个循环包括步骤：(1)进行碳源或辅助源吸附；所述碳源选自苯系物、甲烷中的至少一种；所述辅助源为含氧有机物；(2)清洗吸附后的硅衬底，进行等离子体脉冲；(3)清洗等离子体脉冲后的硅衬底。本发明可在硅衬底上大面积生长石墨烯，与目前硅基半导体技术良好的相容性。本发明通过使用含氧小分子促进生长，一方面作为小分子碳弥补了空位型缺陷，减小了反应后的缺陷峰D峰，另一方面氧元素的参与促进了生长过程中苯的脱氢过程，减少了成膜后的皱褶大小，提高硅衬底上原子层沉积生长大面积生长石墨烯的质量。
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公开(公告)号：CN106756825B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201611040248.6
申请日：2016-11-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种波长可调的荧光涂层及其制备方法和应用，采用了磁控溅射法通过控制硅靶和硼靶的功率来调节荧光涂层的富硅量和掺硼量。掺硼量的变化在涂层中引入大量发光中心的同时，不同缺陷之间的比例也发生变化，从而实现荧光涂层的最大发射荧光波长在很大范围内变化，即可以通过调节硼含量可以得到理想的发光色彩。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在荧光粉以及光电子器件领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109116209A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810857480.1
申请日：2018-07-31
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法，包括以下步骤：(1)在硅片表面单面生长氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜表面生长金属薄膜，最后在硅片另一表面刮擦InGa溶液，进而制得适用于电学测试的MIS结构器件；(2)在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷密度为Nit的瞬态电容。对Nit关于时间t进行求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(3)在不同测试温度T获得的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
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公开(公告)号：CN109097827A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810769506.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种双晶向多晶硅铸锭及其制备方法。包括如下步骤：分别将 晶向单晶棒的标准{100}晶面顺时针及逆时针旋转相同的角度，沿着旋转后的晶面切割，得到对称晶向的单晶籽晶，将对称晶向的单晶籽晶相邻间隔排列形成籽晶层，铺设在坩埚底部；再将硅料置于籽晶层上，加热控制坩埚温度，使得硅料完全融化而籽晶层部分融化，诱导部分熔化的籽晶层生长，通过定向凝固得到了 和 双晶向的多晶硅铸锭。该方法避免了由于籽晶摆放形成的晶向差而导致的位错，规则的双晶向多晶硅铸锭上部的位错密度低于5×104/cm2，有效的提高了多晶硅铸锭的质量。
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公开(公告)号：CN109061430A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810857911.4
申请日：2018-07-31
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 本发明公开了一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长同质或异质的半导体薄膜，进而形成同质结或异质结；(2)对上述同质结或异质结上生长金属薄膜后，在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电容；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108796605A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810688397.6
申请日：2018-06-28
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B28/06 , C30B29/06 , C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: C30B28/06 , C23C16/403 , C23C16/45525 , C30B29/06
Abstract: 本发明公开了一种使用氧化铝薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面沉积有Al2O3薄膜的太阳能级单晶硅片。通过本发明提供的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约5mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18％～18.5％。
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公开(公告)号：CN106270498B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610717446.5
申请日：2016-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种对贵金属纳米粒子进行相转移的方法，属于纳米材料领域。本发明方法是将贵金属纳米粒子分散于醇类溶剂中，然后加入适量的改性剂，于50℃～100℃下搅拌3‑10h后离心，贵金属纳米粒子即可分散于有机溶剂中。通过本发明相转至有机相的纳米粒子转移效率高，分散性好，且相转操作方便，是一种理想的纳米粒子相转移技术，其在纳米材料制备和应用中具有重要的价值意义。
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公开(公告)号：CN105261932B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510771197.3
申请日：2015-11-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于局域表面等离激元与量子点中激子强耦合的光源，包括金属纳米颗粒和量子点的混合液以及激发所述混合液的脉冲激光器；所述混合液的制备方法包括以下步骤：(1)制备水溶性的金属纳米颗粒；(2)将步骤(1)得到金属纳米颗粒进行表面改性，以使其溶于油相，将改性后的金属纳米颗粒分散在溶剂中；(3)将半导体量子点加入步骤(2)得到的混合溶液中混合，得到金属纳米颗粒和量子点的混合液；本发明的光源的组成不需要复杂的体系，只需将适宜浓度的金属纳米颗粒和半导体量子点混合，用脉冲激光激发即可得到Rabi劈裂，得到强耦合光源，操作简单、成本低且重复性高。
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公开(公告)号：CN105618785B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610028723.1
申请日：2016-01-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种铜/银核壳结构纳米线的制备方法，包括以下步骤:(1)制备铜纳米线，清洗后散入水中；(2)向步骤(1)的混合液中加入硫脲，并充分搅拌；(3)配制硝酸银溶液，滴加到步骤(2)得到的混合液中，避光搅拌；(4)将步骤(3)的混合液过滤清洗后，得到铜/银核壳结构纳米线；本发明制备的铜/银核壳结构纳米线为银包覆均匀、致密的铜基纳米线；利用铜本身来还原生成银壳层，核壳结构结合紧密，纳米线的稳定性佳；采用制备方法简单且最终产物分散于酒精保存即可，制备和保存成本低。
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公开(公告)号：CN104762656B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410004363.2
申请日：2014-01-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺。本发明中的工艺包括如下依次的步骤：1）将硅片在惰性气氛下进行高温预处理，包括相继进行的较短时间（0.25～1小时）的高温（1150～1250℃）普通热处理和高温（1200～1250℃）快速热处理；2）在惰性气氛下进行低温普通热处理；3）在惰性气氛下进行高温普通热处理。大直径直拉硅片由于晶体生长的热历史很长，因此往往存在较多的原生氧沉淀（即：在晶体生长过程中必然形成的氧沉淀），若内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理，则在硅片体内形成的氧沉淀及其诱生缺陷的密度较低，导致硅片的吸杂能力不理想。利用本发明的工艺，可以在硅片体内形成高密度的氧沉淀及其诱生缺陷，并在硅片近表面区域形成洁净区。与内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理的情形相比，本工艺可以提高硅片的内吸杂能力并有效减少热预算。
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