基于蚀刻衍射光栅的成像光谱仪

    公开(公告)号:CN105547478A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201610056326.5

    申请日:2016-01-27

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: G01J3/2823 G01J3/2846

    Abstract: 本发明公开了一种基于蚀刻衍射光栅的成像光谱仪。包括推扫式扫描的成像系统和主要集成有第一分光系统或者第二分光系统的集成芯片,输入光经成像系统成像为空间光后,空间光经第一分光系统分光输出,或者空间光依次经数字微镜阵列光开关、柱面镜处理聚焦后再经第二分光系统分光输出。本发明极大减轻了成像光谱仪的重量和体积,具有高集成度,增强了系统的稳定性,具有大范围光谱和较好的系统功能扩展性,可用于小型无人机的遥感探测。

    基于双环谐振腔辅助的马赫-曾德尔干涉仪光学生物传感器

    公开(公告)号:CN105092531A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510545523.9

    申请日:2015-08-31

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于双环谐振腔辅助的马赫‐曾德尔干涉仪光学生物传感器,包括激光光源、马赫‐曾德尔干涉仪、两个环形波导谐振腔和两个探测器;第一环形谐振腔的芯层表面修饰有特异性吸附功能的生物抗体;第二环形谐振腔的芯层表面修饰有吸附生物抗体的竞争抗原;本发明利用由于被测液体中待检测抗原与生物抗体结合后,引起第一环形波导谐振腔的有效折射率增大,而第二环形波导谐振腔的有效折射率减小,导致两个环形波导谐振腔内光的相位差增大,通过马赫‐曾德尔干涉仪将相位差的变化转换为输出功率的变化,通过测量马赫‐曾德尔干涉仪两个端口输出功率的比值,获得被测液体中待检测抗原的含量,大大降低了对光源功率稳定性的要求。

    基于波长路由的光控相阵雷达系统

    公开(公告)号:CN104656090A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201510063658.1

    申请日:2015-02-06

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: G01S17/02

    Abstract: 本发明公开了一种基于波长路由的光控相阵雷达系统。N个可调谐半导体激光器发出多路不同波长的光波信号用微波信号通过各自的调制器加载调制后传输到第一阵列波导光栅路由器,经延迟线阵列传输到第二阵列波导光栅路由器,再传输到N个半导体探测器解调,半导体探测器将解调后的微波信号通过天线发射出去。本发明使用可调谐半导体激光器改变波长来切换延时线阵,避免了大量光开光的使用;利用集成光学的方法,避免了光纤布拉格光栅的重叠问题,将两个阵列波导光栅路由器以及延迟线阵列集成在同一块衬底上,并保证延迟线长度的精度,提高了系统的稳定性,降低了成本,具有尺寸小、损耗小、质量轻、精度高、抗电磁干扰等优点。

    基于半波耦合半导体激光器的准连续调谐系统及调谐方法

    公开(公告)号:CN104393482A

    公开(公告)日:2015-03-04

    申请号:CN201410740112.0

    申请日:2014-12-08

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 武林 何建军

    Abstract: 本发明公开了一种基于半波耦合半导体激光器的准连续调谐系统及调谐方法。半波耦合半导体激光器上设有耦合器电极、波长选择电极和精细调谐电极;控制器发出控制信号接可调电流源,可调电流源发出三路电流分别控制以上三个电极驱动激光器输出准连续调谐激光;或在半波耦合半导体激光器后添加分束器和波长检测器,激光器输出激光经分束器分束后,一路作为主输出,另一路经波长检测器反馈波长信息至控制器。本发明无需制作光栅,成本低,成品率和可靠性高;准连续调谐方法简单,最多只需要2个电极协同调谐;实现准连续调谐时,需要注入电流和电流变化范围都很小,产热也很小,不会对激光器的出射功率均衡性、工作寿命、线宽和噪声特性以及带来影响。

    模块化可扩展的N2×N2波长和空间全光路由器

    公开(公告)号:CN104317137A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410548755.5

    申请日:2014-10-16

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 武英晨 何建军

    CPC classification number: G02F1/35 G02F2201/16

    Abstract: 本发明公开了一种模块化可扩展的N2×N2波长和空间全光路由器。N根单模输入光纤连接第一组波长转换及路由模块后,再经第一空间光路由器与第二组波长转换及路由模块连接,然后经过第二组波长转换及路由模块后,与第二空间光路由器的输入端口连接到第三组波长转换及路由模块,光信号输出进入N根单模输出光纤,完成波长和空间的全光路由;第一空间光路由器和第二空间光路由器镜像工作。本发明用于波分复用光纤通信系统中,可完成光纤内各个信道的任意交换及光纤间各信道的任意交换,并完成波长转换;并能通过对波长转换及路由模块的级联和线性增加,实现更完整的路由功能,增加路由信道数目。整个路由结构可以通过平面光波导技术实现集成。

    一种基于拉曼光谱的光波导传感器

    公开(公告)号:CN104034717A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410280311.8

    申请日:2014-06-20

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于拉曼光谱的光波导传感器。包括输入波导、螺旋形传感波导、滤波器、连接波导和输出波导,螺旋形传感波导上包层上开有检测窗口,螺旋形传感波导输入端经输入波导与波长可调谐激光器连接,螺旋形传感波导输出端经连接波导与滤波器一侧连接,滤波器另一侧经输出波导与光功率计连接。本发明可对单一或者混合的气体液体样本进行定性分析,利用平面光波导作为拉曼光谱激发和收集的介质,同时通过与滤波器的集成,可以实现小型化、低成本且无需标签的传感器。

    高速直调V型耦合腔可调谐半导体激光器

    公开(公告)号:CN103579900A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310545457.6

    申请日:2013-11-05

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种高速直调V型耦合腔可调谐半导体激光器。它包括半波耦合器、波长参考FP谐振腔和波长调谐FP谐振腔;所述波长参考FP谐振腔由短腔有源波导和短腔无源波导串接构成,波长调谐FP谐振腔由长腔有源波导和长腔无源波导串接构成;短腔有源波导与短腔无源波导的光学长度比例等于长腔有源波导与长腔无源波导的光学长度比例,这样激光器在高速直接调制时,不会跳模。该激光器还可以进一步包含在半波耦合器顶部增加的一段薄膜电阻来增大调谐范围;包含腔外增加的两段有源波导和深刻蚀槽来减小激光器阈值,并提供片上集成的光功率计。本发明可以覆盖C波段甚至更大范围的调谐,并对每个通信波长实现10Gbps以上的直接调制性能。

    一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法

    公开(公告)号:CN102738698B

    公开(公告)日:2013-10-30

    申请号:CN201210220641.9

    申请日:2012-06-27

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 王磊 邹立 何建军

    Abstract: 本发明公开了一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法。在晶圆基板上沉积第一掩膜层;用紫外光刻和第一刻蚀工艺刻蚀第一掩膜层制作出台面,台面侧壁的位置位于制作深亚微米刻蚀槽的位置;再在台面表面沉积第二掩膜层;利用第二刻蚀工艺刻蚀掉在台面正表面的第二掩膜层;利用第三刻蚀工艺刻蚀掉台面第一掩膜层,保留两根柱体;在晶圆基板上表面旋涂第三掩膜层填平并覆盖柱体,回刻第三掩膜层暴露柱体;利用第四刻蚀工艺去除两根柱体形成深亚微米刻蚀槽的第三掩膜层掩膜,以第三掩膜层剩余部分作为掩膜,在晶圆基板上刻蚀出深亚微米刻蚀槽。本发明避免了采用电子束曝光、深紫外光刻或纳米压印等工艺的高额成本,且掩膜侧壁具有更高垂直度。

    利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器

    公开(公告)号:CN102545043B

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201210002902.X

    申请日:2012-01-06

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器。包括多边形谐振腔、有源FP谐振腔和耦合器;所述多边形谐振腔与FP谐振腔之间通过耦合器相互耦合。多边形谐振腔通过全内反射的原理实现光波在多边形谐振腔顶点处的转向,从而得到谐振回路,多边形谐振腔的每个边都和FP谐振腔一样采用浅刻蚀工艺,减小了损耗;多边形谐振腔充当滤波器的功能,与FP谐振腔相互耦合进行选模,实现激光器的单模工作。本发明无需制作光栅,结构简单,这种利用全内反射多边形谐振腔选模的设计可以用来实现无跳模式调谐或者数字式调谐的半导体激光器。

    一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法

    公开(公告)号:CN102738698A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210220641.9

    申请日:2012-06-27

    Applicant: 浙江大学

    Inventor: 王磊 邹立 何建军

    Abstract: 本发明公开了一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法。在晶圆基板上沉积第一掩膜层;用紫外光刻和第一刻蚀工艺刻蚀第一掩膜层制作出台面,台面侧壁的位置位于制作深亚微米刻蚀槽的位置;再在台面表面沉积第二掩膜层;利用第二刻蚀工艺刻蚀掉在台面正表面的第二掩膜层;利用第三刻蚀工艺刻蚀掉台面第一掩膜层,保留两根柱体;在晶圆基板上表面旋涂第三掩膜层填平并覆盖柱体,回刻第三掩膜层暴露柱体;利用第四刻蚀工艺去除两根柱体形成深亚微米刻蚀槽的第三掩膜层掩膜,以第三掩膜层剩余部分作为掩膜,在晶圆基板上刻蚀出深亚微米刻蚀槽。本发明避免了采用电子束曝光、深紫外光刻或纳米压印等工艺的高额成本,且掩膜侧壁具有更高垂直度。

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