公开(公告)号：CN111372917A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075855.7

申请日：2018-11-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  铃木恒德 ,  桥本直明 ,  泷田悠介 ,  濑尾哲史

IPC: C07D209/80 ,  C09K11/06 ,  F21K9/20 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的有机化合物。另外，本发明的目的是提供一种新颖的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种发光效率良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种寿命良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种驱动电压低的发光元件。提供一种由下述通式(G1)表示的二苯并[c,g]咔唑衍生物、以及使用该衍生物的发光元件。注意，R11至R22中的至少一个表示具有三环以上且六环以下的稠合芳香烃骨架的总碳原子数为14至60的取代基，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基以及碳原子数为6至25的取代或未取代的芳基中的任一个。

公开(公告)号：CN110267941A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201880010759.4

申请日：2018-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  铃木宏记 ,  泷田悠介 ,  铃木恒德 ,  濑尾哲史

IPC: C07D209/82 ,  C07D209/86 ,  C09K11/06 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的有机化合物。换言之，提供一种在提高元件特性或可靠性方面优越的新颖的有机化合物。本发明的一个方式是由以下通式(G1)表示的包含蒽骨架及咔唑骨架的有机化合物。 (在通式中，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基，并且在亚芳基具有取代基的情况下，该取代基可以彼此键合而形成环。另外，Cz表示取代或未取代的咔唑骨架。另外，R1至R9及R11至R17分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至6的环烷基、以及取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基中的任一个。另外，R12和R13、R14和R15、R15和R16、或者R16和R17的至少一个可以稠环)。

公开(公告)号：CN107069074A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710141177.7

申请日：2014-11-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石川纯 ,  濑尾哲史 ,  横井里枝 ,  门间裕史 ,  广濑智哉

IPC: H01M10/052 ,  H01M10/0569 ,  C07D233/60 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M10/0569 ,  C07D233/60 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/587 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M2300/0045 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明提供一种传导性高且粘度低的包含化合物的非水溶剂。还提供一种使用该非水溶剂的高性能蓄电装置。一种包括离子液体的蓄电装置，该离子液体包括包含具有一个以上的取代基的五元杂芳环的阳离子及阴离子，其特征在于，其中一个以上的取代基中的至少一个为四个以上的原子的直链，且包含C、O、Si、N、S以及P中的一种或多种。

公开(公告)号：CN105884709A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610158051.6

申请日：2010-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野村洸子 ,  门间裕史 ,  牛洼孝洋 ,  下垣智子 ,  川上祥子 ,  濑尾哲史

IPC: C07D271/107 ,  C07D413/10 ,  C07D471/04 ,  C09K11/06 ,  H01L27/32 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H05B33/14 ,  H05B33/20

CPC classification number: C07D271/107 ,  C07D413/10 ,  C07D471/04 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1048 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/007 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5278 ,  H05B33/14 ,  H05B33/20

Abstract: 提供一种作为电子传输性高的物质的由以下通式(G1)表示的新的噁二唑衍生物。在通式中，Ar1表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基。在Ar1具有取代基的情况下，该取代基是碳数为1至4的烷基或者形成环的碳数为6至10的芳基。Ar2表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基或者取代或未取代的碳数为4至9的杂芳基。在Ar2具有取代基的情况下，该取代基是碳数为1至4的烷基或者形成环的碳数为6至10的芳基。R1及R2分别表示氢原子或者碳数为1至4的烷基。

公开(公告)号：CN105037339A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510301187.3

申请日：2012-02-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  北野靖 ,  下垣智子 ,  大泽信晴 ,  瀬尾哲史

IPC: C07D409/10 ,  C07D405/10 ,  C07D403/10 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/508 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H05B33/14 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新的杂环化合物，在发光元件中，该杂环化合物可以用作使发光层的发光物质分散的主体材料。本发明的一个方式提供由通式(G1)表示的杂环化合物。在通式中，A表示取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的咔唑基，R11至R19分别表示氢、碳数为1至4的烷基或者取代或未取代的碳数为6至13的芳基，并且，Ar表示取代或未取代的碳数为6至13的亚芳基，

公开(公告)号：CN104649978A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410645209.3

申请日：2014-11-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石川纯 ,  濑尾哲史 ,  横井里枝 ,  门间裕史 ,  广濑智哉

IPC: C07D233/60 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/0568

Abstract: 本发明提供一种传导性高且粘度低的包含化合物的非水溶剂。还提供一种使用该非水溶剂的高性能蓄电装置。一种包括离子液体的蓄电装置，该离子液体包括包含具有一个以上的取代基的五元杂芳环的阳离子及阴离子，其特征在于，其中一个以上的取代基中的至少一个为四个以上的原子的直链，且包含C、O、Si、N、S以及P中的一种或多种。

公开(公告)号：CN102108080B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201010619573.4

申请日：2010-12-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川田优子 ,  门间裕史 ,  尾坂晴惠 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: C07D409/10 ,  C07D405/10 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50

CPC classification number: C09K11/06 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5072 ,  H05B33/20

Abstract: 本发明的目的是提供以下对象：一种新颖的杂环化合物，可以用作将发光元件中发光层的发光物质分散于其中的材料；具有高电子传输性质的新颖杂环化合物；具有高电流效率的发光元件；和各自具有降低的功率消耗的发光器件、电子器件和照明器件。提供了可由以下通式(G1-1)或(G1-2)表示的杂环化合物，以及各自包含该杂环化合物的发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。使用通式(G1)或(G2)表示的杂环化合物能够提供具有高电流效率的发光元件，还提供降低了功率消耗的发光器件、电子器件和照明器件。

公开(公告)号：CN101580504B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200910203513.1

申请日：2009-05-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  川上祥子 ,  野村洸子 ,  牛洼孝洋 ,  濑尾哲史

IPC: C07D413/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  C07D401/04 ,  C07D213/26 ,  C07D213/34

CPC classification number: H01L51/0071 ,  C07D401/04 ,  C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  Y10S428/917

Abstract: 发明的苯并唑衍生物提供减少发光元件的驱动电压，并且减少发光元件、发光装置以及电子设备的耗电。发明提供一种以通式(G1)表示的苯并唑衍生物。因为以通式(G1)表示的苯并唑衍生物具有电子注入性，因此该苯并唑衍生物可以优选用于发光元件、发光装置以及电子设备。

公开(公告)号：CN102964291B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201210541073.2

申请日：2011-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 尾坂晴惠 ,  高须贵子 ,  门间裕史 ,  川田优子 ,  下垣智子 ,  能渡広美 ,  铃木恒德 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: C07D209/86

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D209/86 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5376 ,  H01L2251/552 ,  Y10S428/917

Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。

公开(公告)号：CN103396411A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310287456.6

申请日：2008-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  川上祥子 ,  下垣智子 ,  濑尾哲史

IPC: C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: C09K11/06 ,  C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1048 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5048 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明的目的在于：提供一种新的喹喔啉衍生物；提供一种驱动电压低的发光元件；提供耗电少的发光元件；以及提供通过使用这些发光元件提供低耗电的发光装置及电子设备。本发明提供以通式（G11）表示的喹喔啉衍生物，它具有喹喔啉的二位或三位的至少一方的碳和苯并唑的二位的碳介由亚芳基彼此键合的结构。