公开(公告)号：CN104992984A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510387603.6

申请日：2010-07-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及半导体装置、显示模块及电子装置，特别地，本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

公开(公告)号：CN102243992B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201110126400.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 手塚祐朗 ,  神保安弘 ,  佐佐木俊成 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78648 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种高生产率地制造电特性优良的半导体装置的方法。在低微粒密度地提供高晶性的混合相微粒的第一条件下，在氧化绝缘膜上形成第一微晶半导体膜。然后，在使所述第一微晶半导体膜的混合相微粒进行结晶生长来填充混合相微粒之间的空隙的第二条件下，在所述第一微晶半导体膜上层叠第二微晶半导体膜。

公开(公告)号：CN104835850A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510215816.0

申请日：2010-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  细羽幸 ,  野田耕生 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。

公开(公告)号：CN104658915A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510086663.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  大原宏树 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/477 ,  H01L21/473 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。

公开(公告)号：CN101901768B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201010194245.4

申请日：2010-05-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  大原宏树 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/477 ,  H01L21/473 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。

公开(公告)号：CN101847661B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201010149895.7

申请日：2010-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  岸田英幸 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G09G3/3258 ,  G09G3/3275 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0248 ,  G09G2310/0297 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一种方式的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；包含氧化硅的氧化物半导体层；栅电极和氧化物半导体层之间的绝缘层；包含氧化硅的氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间的源区及漏区，其中，源区及漏区使用退化的氧化物半导体材料或氧氮化物材料。

公开(公告)号：CN104124280A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410347324.2

申请日：2010-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大原宏树 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 若不由无机绝缘膜覆盖氧化物半导体层情况下进行加热处理而使氧化物半导体层晶化，则因晶化而形成表面凹凸，可能会产生电特性的不均匀。通过如下顺序进行工序：在从刚形成氧化物半导体层之后直到与氧化物半导体层上接触地形成包含氧化硅的无机绝缘膜之前的期间一次也不进行加热处理，在接触于衬底上的氧化物半导体层上地形成第二绝缘膜之后进行加热处理。此外，在包含氧化硅的无机绝缘膜中含有的氢密度为5×1020/cm3以上，或其氮密度为1×1019/cm3以上。

公开(公告)号：CN103489871A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310317861.8

申请日：2010-07-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  桑原秀明

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

公开(公告)号：CN102906881A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025311.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的是制造一种半导体装置，其中在使用氧化物半导体的晶体管中，电特性的变动小且可靠性高。作为形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，使用通过加热从其放出氧的绝缘层。从该基底绝缘层放出氧，由此可以降低该氧化物半导体层中的氧缺乏及该基底绝缘层与该氧化物半导体层之间的界面态。从而，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102376583A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110234368.0

申请日：2011-08-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田耕生 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L22/10 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在衬底之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢解除吸附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧解除吸附的温度下执行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜，以及在栅极绝缘膜之上形成栅电极。