-
公开(公告)号：CN114420567A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111638376.1
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/365 , H01L21/34 , H01L29/267 , H01L33/26
Abstract: 本发明公开了一种二维硫化铼‑硫化钼垂直异质结构的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，金属铼箔(Re)为铼源，金属钼箔(Mo)为钼源，金属铼箔平铺在金属钼箔的一端表面上，衬底倒扣在金属钼箔上，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了以多层ReS2为底层、双层MoS2为顶层的二维ReS2/MoS2垂直异质结构。所得二维ReS2/MoS2垂直异质结材料，是由两种不同尺寸的晶体堆叠而成的晶体，呈现出显著的发光性质，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域，在高效光探测器领域中有潜在的应用。
-
公开(公告)号：CN113957538A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111226086.6
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，以Si/SiO2为衬底，钼箔为钼源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定为硫源温区和沉积温区，硫源和钼源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钼源‑衬底的石英舟位于沉积温区，钼箔展开置于石英舟内，衬底倾斜倒扣在钼箔正上方；向石英管中通入惰性气体，使两温区同时升至目标温度值；硫蒸气被惰性气体输送至与钼箔反应，得到覆盖率不同覆盖率的双层MoS2晶体材料。本发明利用改进的化学气相沉积法，在衬底与金属源之间的倾斜且狭小限域空间构建材料源的梯度浓度分布，从而实现不同覆盖率的双层MoS2晶体材料的制备。
-
公开(公告)号：CN113945133A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111020241.9
申请日：2021-09-01
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭电(海宁)信息科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及橄榄球检测设备技术领域，具体为一种具有自动校正功能的橄榄球测量装置。一种具有自动校正功能的橄榄球测量装置，包括机体外壳，所述机体外壳下侧端面上固定连接有撑脚，摆正机构能够通过机械结构传动的方式稳定的使摆正块相向移动，从而保证橄榄球在摆正过程中使其稳定在设备中心位置处；俯仰消除机构能够通过稳定的机械传动方式以左右对称的方式让橄榄球在不会出现横向移动的前提下完完成俯仰角度的调节，从而实现橄榄球居中且水平放置的状态；测量机构能够配合摆正机构、俯仰消除机构完成对橄榄球的各项数据测量，一改传统通过人工对橄榄球的尖端进行简单夹持后直接进行测量，而导致的数据误差较大的问题。
-
公开(公告)号：CN112663139A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011209596.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法。所述不同特殊形貌MoS2晶体材料的制备方法为：采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，纳米级MoO3粉末为Mo源，衬底倒扣在粉末上方构建狭小的限域空间，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了不同特殊形貌的MoS2晶体材料，即梯形、平行四边形、不规则平行四边形。所得不同形貌MoS2晶体材料，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用衬底与材料源之间构建狭小的限域空间，成功实现不同特殊形貌二维MoS2晶体材料的生长，从而有助于进一步研究二维材料的生长理论。
-
公开(公告)号：CN112663021A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011209623.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法。采用化学气相沉积法，WO3粉末平铺在金属Mo箔的一端表面，衬底倒扣在金属Mo箔上，与S蒸气反应，在衬底上制备得到了以单层MoS2为顶层、单层WS2为底层的二维WS2/MoS2垂直异质结构。所得二维WS2/MoS2垂直异质结材料，是由两种不同尺寸的晶体堆叠而成的三角形，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用纳米级WO3粉末和高纯金属Mo箔片作为W、Mo源，基于Mo、W材料源的蒸发温度不同，以及MoS2和WS2晶体的生长温度不同，成功实现了二维WS2/MoS2垂直异质结构材料的生长。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109336180B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201810980856.8
申请日：2018-08-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01G39/02
Abstract: 本发明公开一种超长氧化钼纳米带生长方法，具体是使用气相沉积方法制备超长MoO3纳米带，通过将MoS2放入含有氧气的管式炉中，并加热和通氮气载气，让蒸发的MoS2与管内残余氧气反应，在管壁和硅片上生成MoO3纳米带，纳米带长度可达1～2cm，使用肉眼即可观察纳米带形貌。本发明使用的方法，操作简单，成本低，制备周期短，可重复性强，可行性强，制备纯度高，生长效果好的优点。
-
公开(公告)号：CN110452691A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910484299.5
申请日：2019-06-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/64
Abstract: 本发明公开一种氮氧化物蓝绿色荧光粉，其化学式为：(Mga-xSia)Al(b-2a)OcN(3b-2c)/3：xEu2+，其中0.5≤a≤1,2≤b≤4,1≤c≤2，0.001≤x≤0.1。制备时，按上述化学式的化学计量比称取镁的无机盐、氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝和氧化铕等原料；加入镁、铝的卤化物中的任意两种以上作为卤化物混合助熔剂；将上述原料和卤化物混合助熔剂的均匀混合物在还原气氛下于高温炉内烧结后缓慢冷却到室温，得到氮氧化物蓝绿色荧光粉。本发明所得荧光粉在紫外、紫光和蓝光芯片激发下发射蓝绿光，荧光粉分散性好、颗粒度均匀、化学稳定性好和发光效率高。制备时，本发明以化学式中所含金属离子的卤化物中的任意两种为助熔剂，避免杂质离子引入，提高产物的纯度，降低烧结温度。
-
公开(公告)号：CN108559510A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810553661.5
申请日：2018-05-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/81
Abstract: 本发明公开了一种高热稳定性磷酸盐荧光粉及其制备方法。该磷酸盐荧光粉的化学表示式为A1-xRO(PO4)2：xEu3+，其中，A为Y或La，R为V、Nb或Ta，x＝0.001～0.1。本发明磷酸盐荧光粉的制备方法：按A1-xRO(PO4)2：xEu3+的化学计量比称取相应的原料，所述原料分别为含A的氧化物、含R的氧化物、含[PO4]3-的化合物和氧化铕，将所述原料的均匀混合物于空气气氛下在高温炉内高温烧结后缓慢冷却至室温，得到磷酸盐荧光粉。本发明此荧光粉具有高的热稳定性，612nm的发射强度从室温25℃到160℃基本维持不变或者高于室温发射强度，200℃发射强度基本能稳定保持在室温时的发射强度的90％以上。
-
公开(公告)号：CN107820337A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711121753.8
申请日：2017-11-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H05B3/14
CPC classification number: H05B3/145
Abstract: 本发明公开一种新型石墨烯加热材料，将纳米金属材料掺入石墨烯中以此来降低纯石墨烯电路的电阻率。使用光学显微镜、扫描电子显微镜观察纳米线形貌，使用四探针测试仪对所获的样品的电学性能进行测试分析。本发明通过将银纳米线掺入石墨烯层层之间，进行烧结和加压操作，降低石墨烯薄片的界面电阻和电子传输势垒，将石墨烯/银纳米线复合墨水的电阻率降低到原先的1/18，同时也通过将铜纳米线掺入石墨烯层层之间，将石墨烯/铜纳米线复合墨水的电阻率降低到原先的1/5。本发明方法采用石墨烯而非氧化石墨烯，不仅能够明显大幅度降低电路的电阻率，并且拥有实验操作简单，成本低，制备周期短，可行性强，可在室温下操作，无毒无污染的优点。
-
公开(公告)号：CN104789219B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510206364.X
申请日：2015-04-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种提高单层MoS2发光效率的分子修饰方法，具体通过有机分子修饰提高单层MoS2发光效率。本发明使用甲苯乙醇溶液，对微机械剥离制备的MoS2样品进行修饰得到分子修饰的单层MoS2样品。使用金相显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜等对修饰样品的形貌、光学性质等进行了测试分析。本发明方法通过分子修饰单层MoS2，将单层MoS2发光效率实现提高31.59倍。此前有报道，在真空下通过复杂的退火过程，控制气体压强得到35倍的增强效果。这种真空退火法工艺复杂，增强效果不稳定。本发明方法相比较之，具有发光效率增强效果明显，实验操作简单，可行性强，制备周期短，成本低，在室温下操作，无毒无污染的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.029 seconds)
