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公开(公告)号：CN108039411A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711281967.1
申请日：2017-12-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿型太阳能电池及其修饰层制备方法。该钙钛矿型太阳能电池包括FTO、空穴传输层、修饰层、钙钛矿层、电子传输层、BCP层和电极；所述空穴传输层的材料为NiO，构成修饰层的材料选自乙酰丙酮金属盐和醋酸盐的至少一种。该类修饰材料可以增加电子注入效率，改变空穴传输层的功函，增大器件的短路电流、填充因子和开路电压。并且材料价格低廉，操作方法简便，容易控制，为钙钛矿太阳能电池的界面行为的研究提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN118330953A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410413099.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本申请涉及光伏建筑技术领域，尤其是一种平面集成自供能智能变色窗及其制备方法。一种平面集成自供能智能变色窗将半透明薄膜光伏电池、电致变色器件与智能开关整合在同一衬底上实现平面集成自供能智能变色窗，以半透明薄膜太阳能电池模组作为供能器件，为智能开关以及电致变色器件提供工作电源；本申请中的平面集成自供能智能变色窗可以根据外界光照强度通过智能开关自动转换电致变色器件的工作电压方向并调节输出电压的大小，无需外界额外供能就可以为电致变色器件提供正负极性电压，根据室外环境光的强度智能调节变色窗的光学透过率。当外界光强较大，智能变色窗的光学透过率会自适应变小，减小进入建筑物的光照强度，降低建筑冷却所需能耗。
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公开(公告)号：CN114530511B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210150537.0
申请日：2022-02-18
Applicant: 暨南大学 , 成都中建材光电材料有限公司
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲化镉太阳电池的梯度吸收层硒源层的制备方法及太阳电池。所述硒源层包括CdTe1‑xSex或CdSe，所述制备方法为三步法：首先，沉积硒源预制层；其次，在硒源预制层表面沉积金属氯化物；再次，对沉积有金属氯化物的硒源预制层进行气氛热处理。本发明通过分步制备硒源预制层、金属氯化物涂层、和含氧环境下的热处理过程，显著改善了硒源层制备的可控性，获得了高质量的硒源层。本发明的低温沉积硒源预制层大大拓宽了制备温度工艺窗口，金属氯化物环境下的热处理过程大大提高了硒源层的结晶性，获得了大晶粒紧密排列的薄膜，含氧环境下热处理形成了适度氧化的硒源层，改善了硒源层电学性质。
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公开(公告)号：CN114242819B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111548932.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于新能源薄膜太阳电池器件领域，具体涉及一种Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池吸收层及其制备方法与应用。本发明采用硫化锑和硒化锑粉末作为双蒸发源，置于同一管式炉中，通过移动源位置以近空间升华的方式依次沉积。保持衬底位置不变和衬底温度恒定，通过组分扩散形成具有梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜。梯度带隙有利于光生载流子的提取和收集，具有开发高效Sb2(S1‑xSex)3太阳电池的潜力。此过程中无需通入载气，不受载气流速的影响。本发明制备工艺稳定，成本较低，可制备高质量、梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜，并用于制备高效的Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池。
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公开(公告)号：CN109449295B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201811276859.X
申请日：2018-10-30
Applicant: 麦耀华 , 广州暨南大学科技园管理有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于两步法印刷制备钙钛矿薄膜的方法，包括以下三个步骤：1)将钙钛矿无机组分溶液印刷涂布在基体表面，随后进行真空处理并退火得到无机组分薄膜；2)将有机组分印刷涂布在所述无机组分薄膜上，反应后得到钙钛矿中间相；3)对所述钙钛矿中间相进行退火得到所述钙钛矿薄膜。本发明的方法通过对涂布的无机组分进行真空处理，能充分抽取液膜中过量的溶剂，促进无机组分晶核的均匀生成，得到结晶性良好、表面光亮、且具有介孔结构的无机组分薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116666470A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210150505.0
申请日：2022-02-18
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种三方晶系硒薄膜结晶方法及硒基太阳电池。所述方法包括如下步骤：Se吸收层沉积完成后，将材料在含氧、无水以及光照条件下进行热退火处理，获得三方晶系硒薄膜；其中，所述光照环境，其光谱为300～800nm的光谱区间，光照强度为100～1000W/m2，光照时间为15～110分钟；所述热退火过程，升温时间为10～90分钟，热退火温度为160～210℃，热退火温度保持时间为5～20分钟，热退火完成后自然冷却降至室温。本发明通过调控硒薄膜热退火的环境来控制硒薄膜的结晶过程，改善薄膜的光电特性，以获得物相单一、光电特性优异的三方晶系硒薄膜，进而提高硒基太阳电池器件性能。
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公开(公告)号：CN114197343B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202111486469.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 暨南大学
IPC: E01F7/06 , H02S20/30 , F16F15/067
Abstract: 本发明公开了一种光伏防眩板，属于道路设施的技术领域，包括底座和设置在底座上的防眩板，所述防眩板包括板一和板二，所述板一和板二均为光伏板，所述板一和板二相邻的端部相互铰接，所述板一相对于与板二连接的另一端与底座铰接，所述板二相对于与板一连接的另一端铰接有滑块，所述滑块与底座滑移连接，所述滑块与底座之间设有定位件。该光伏防眩板结构稳定，且可以进行角度调节，适用范围广。
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公开(公告)号：CN109830607B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910011764.3
申请日：2019-01-07
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种(HC(NH2)2)xR1‑xPbI3钙钛矿单晶探测器及其制备方法。该(HC(NH2)2)xR1‑xPbI3钙钛矿单晶探测器，由下往上依次包括基板、钙钛矿单晶、电极和银胶，所述两个银胶分别连接导电金丝，所述(HC(NH2)2)xR1‑xPbI3钙钛矿单晶是在HC(NH2)2PbI3钙钛矿生长单晶的溶液中添加不同的金属阳离子形成一种钙钛矿结构，所述R为Cs+、K+、Rb+、Cu+、Na+、Li+中的任意一种，其中0.9＜x＜1。该类掺杂材料在抑制HC(NH2)2PbI3单晶由黑相到黄相的相变的同时能有效改善单晶内部的离子迁移，提高单晶的性能。
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公开(公告)号：CN109786558B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201811598257.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法，该钙钛矿型太阳能电池，包括自下而上依次层叠设置的FTO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、BCP层和电极，所述钙钛矿层为经过掺杂氨基喹啉类化合物得到的钙钛矿层，所述掺杂后的钙钛矿层材料为Csx(HC(NH2)2)(1‑x)PbI3和CH3NH3PbI3中的至少一种，其中0≤x≤1。该太阳能电池掺杂材料价格低廉，操作方法简便，容易控制；它增大了器件的短路电流、填充因子和开路电压，为钙钛矿太阳能电池的稳定性和转化效率的研究提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN111048668B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201911352144.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 麦耀华 , 广州暨南大学科技园管理有限公司
IPC: H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于薄膜太阳电池领域，公开了一种基于液相法的钙钛矿薄膜的制备方法。所述方法具体为：将钙钛矿前驱体溶液沉积在衬底上形成液膜，然后在热台上放置一个导热模块，并将衬底悬浮于热台上进行烘烤，当钙钛矿薄膜衬底上的颜色逐渐加深后，取下衬底并放置在热台表面上进行退火处理，获得钙钛矿薄膜。本发明通过对衬底中心位置的热台上放置一个导热模块，从而增强了衬底在中心区域的烘烤温度，从而使衬底上边缘区域和中心区域上的钙钛矿晶核同时析出，改善了由于晶核析出存在滞后现象而引起的薄膜不均匀性问题。同时该方法可调整导热模块的尺寸及形状，从而保证衬底的中心区域不会由于衬底尺寸的增大，而造成晶核析出的滞后。
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