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公开(公告)号：CN116960043A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310007250.7
申请日：2023-01-04
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其能够抑制晶片的端子孔的正上方附近成为温度特异点。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、供电端子(54)、以及供电端子孔(36)。陶瓷基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于陶瓷基材(20)的下表面，且形成有制冷剂流路(32)。供电端子(54)与电极(26)连接。供电端子孔(36)沿着上下方向贯穿冷却基材(30)，且对供电端子(54)进行收纳。供电端子孔(36)与制冷剂流路(32)交叉。
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公开(公告)号：CN116344428A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211023886.2
申请日：2022-08-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用部件，能够抑制在晶片与导电性基材之间发生放电。半导体制造装置用部件(10)具备：陶瓷板(20)；金属接合层(40)及冷却板(30)(导电性基材)，它们设置于陶瓷板(20)的下表面；第一孔(24)，其沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)；以及贯通孔(42)及气体孔(34)(第二孔)，它们沿着上下方向贯穿导电性部件，且与第一孔(24)连通。多孔质插塞(50)的上表面在第一孔(24)的上部开口露出，下表面位于导电性基材的上表面以下。绝缘管(60)的上表面位于比晶片载放面(21)更靠下方的位置，下表面位于比多孔质插塞(50)的下表面更靠下方的位置。一体化部件(As)是通过多孔质插塞(50)和绝缘管(60)被一体化而得到的，其外周面通过从第一孔(24)的上表面至第二孔的内部的粘接层(70)而被固定于第一孔(24)及第二孔。
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公开(公告)号：CN116110765A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210788205.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的截面积，最下游部(32L)的该截面积比最上游部(32U)的该截面积小。
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公开(公告)号：CN116092904A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210788363.0
申请日：2022-07-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 一种晶片载放台，防止由热应力导致的破损。晶片载放台(10)具备：中央陶瓷基材(20)，在上表面具有晶片载放面(20a)，内置有电极(22)；外周陶瓷基材(25)，在上表面具有聚焦环载放面(25a)；冷却基材(30)，中央部(31)接合于中央陶瓷基材的下表面，外周部(35)接合于外周陶瓷基材的下表面，具有将中央部和外周部连结的连结部(40)。冷却基材具有：在中央部所设置的中央冷媒流路(32)、在外周部所设置的外周冷媒流路(37)，连结部在比中央冷媒流路的最外缘更靠外周侧且比外周冷媒流路的最内缘更靠内周侧的部分具有在上表面呈开口的环状的上沟(42)、在下表面呈开口且顶面(44c)比上沟的底面(42b)高的环状的下沟(44)。
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公开(公告)号：CN115995374A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210702212.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，减少了其对晶片的均热性的影响。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、接合层(40)、附带有台阶的孔(81)、附带有台阶的绝缘管(84)、以及供电端子(82)。附带有台阶的孔(81)具有细径的孔上部(81a)、粗径的孔下部(81b)及孔台阶部(81c)，孔上部(81a)从冷媒流路(31)的形成区域(37)通过。附带有台阶的绝缘管(84)插入于附带有台阶的孔(81)，且具有细径的管上部(84a)、粗径的管下部(84b)及管台阶部(84c)。供电端子(82)的上端与电极(27)接合。
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公开(公告)号：CN109478531B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201880002838.0
申请日：2018-05-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供晶片用基座。对于绝缘管(30)而言，绝缘管(30)的抵接面(34a)与冷却板(20)的制动面(27a)抵碰。由此，阻止绝缘管(30)继续向螺孔(26)进入，绝缘管(30)的环状突起部(33)的前端面(33a)定位在不与板(12)接触的预定位置，并且O型圈(40)在绝缘管(30)的阶梯差面(32a)与平板(12)的下表面之间被加压而变形预定量。
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公开(公告)号：CN115705989A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210709442.8
申请日：2022-06-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶片载置台。本发明的课题在于高效地进行由偏压用高频引起的离子向聚焦环的引入。晶片载置台(10)具备陶瓷基材(20)、冷却基材(30)和接合层(40)。陶瓷基材(20)在具有圆形的晶片载置面(22a)的中央部(22)的外周具备具有环状的聚焦环载置面(24a)的外周部(24)。冷却基材(30)含有金属。接合层(40)用于接合陶瓷基材(20)与冷却基材(30)。陶瓷基材(20)的外周部(24)的厚度为1mm以下，且未内置电极。
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公开(公告)号：CN115552586A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180013642.3
申请日：2021-03-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 久野达也
IPC: H01L21/683
Abstract: 静电卡盘20具备：圆盘状的陶瓷板22，其在表面具有晶片载放面22a；静电电极30，其植入于陶瓷板22；以及气体沟25a～25g，它们在从上方观察陶瓷板22时被分为多个区段Z1～Z7，按在各区段从一对气体供排口26、27中的一个至另一个的方式独立地设置于晶片载放面22a。
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公开(公告)号：CN114175851A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080050721.7
申请日：2020-06-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05B3/02 , H05B3/74 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 一种带轴的陶瓷加热器，具备：陶瓷板，其埋设有电阻发热体；中空的陶瓷轴，其接合于陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面；导电膜，其以沿着陶瓷轴的内周面的方式沿轴向设置；凹部，其以从陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面到达电阻发热体的端子的方式设置，所述端子的下表面在该凹部的底面露出，并且导电膜的表面在该凹部的侧面露出；以及连接构件，其填充于凹部，将端子的下表面与导电膜的表面电连接。
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