公开(公告)号：CN102959710A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180029706.5

申请日：2011-05-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  哈阳成 ,  李维迪 ,  金勋 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雷雨 ,  凯文·莫雷斯 ,  唐先民

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明提供金属栅极结构及其形成方法。在某些实施例中，基材具有形成在高介电常数介电层中的特征结构，而在基材上形成金属栅极结构的方法可包括下列步骤：在特征结构内，在介电层顶上沉积第一层；在特征结构内，在第一层顶上沉积第二层，第二层包含钴或镍；以及在特征结构内，在第二层顶上沉积第三层以填充特征结构，第三层包含金属，其中第一层及第二层中的至少一层形成湿润层，以形成供后续沉积层所用的成核层，其中第一层、第二层及第三层中的一层形成功函数层，且其中第三层形成栅极电极。