公开(公告)号：CN104823230A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380060544.0

申请日：2013-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高西雄大 ,  原义仁 ,  中田幸伸

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/786

Abstract: 液晶面板(11)包括：配置在阵列基板(11b)的显示部(AA)的显示部用TFT(17)；配置在非显示部(NAA)的非显示部用TFT(29)；构成非显示部用TFT(29)的第二栅极电极部(29a)；由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部(29d)；与第二沟道部(29d)连接的第二源极电极部(29b)；与第二沟道部(29d)连接的第二漏极电极部(29c)；和第一层间绝缘膜(39)，其至少层叠于第二源极电极部(29b)和第二漏极电极部(29c)上，是相对地配置在下层侧且至少含有硅和氧的下层侧第一层间绝缘膜(39a)与相对地配置在上层侧且至少含有硅和氮并且膜厚为35nm～75nm的范围的上层侧第一层间绝缘膜(39b)的层叠结构。

公开(公告)号：CN104704546A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380051280.2

申请日：2013-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中田幸伸 ,  前田昌纪

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136204 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/40 ,  H01L21/768 ,  H01L27/0292 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  G02F1/1365

Abstract: 阵列基板(11b)包括：第1二极管(29)，该第1二极管(29)至少具有第1半导体部(29d)，该第1半导体部(29d)具有在俯视时与第1电极部(29a、29b)的外缘部(29a1、29b1)交叉的外缘部(29d1)；由第1金属膜(34)形成的共用配线(25)；由第2金属膜(38)形成且与共用配线(25)交叉的第1短路配线部(31)；和静电保护部(51)，该静电保护部(51)至少具有静电引导部(52)，该静电引导部(52)由第2金属膜(38)或保护膜(37)形成，在俯视时至少一部分与共用配线(25)重叠，且配置在与共用配线(25)和第1短路配线部(31)的交叉部位(CPT)相比相对靠近第1二极管(29)的位置，并且用于引导静电。

公开(公告)号：CN104040416A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380005139.9

申请日：2013-01-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田哲生 ,  原义仁 ,  中田幸伸

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L33/42

Abstract: 半导体装置具备：薄膜晶体管(101)；端子部(102)；包括与漏极电极(11d)的表面接触的第一绝缘层(12)的层间绝缘层(14)；在层间绝缘层(14)之上形成的第一透明导电层(15)；第一电介质层(17)；和第二透明导电层(19a)，端子部(102)具备：下部导电层(3t)；配置在栅极绝缘层(5)上的第二半导体层(7t)；下部透明连接层(15t)；和上部透明连接层(19t)，栅极绝缘层(5)和第二半导体层(7t)具有接触孔(CH2)，栅极绝缘层(5)和第二半导体(7t)的接触孔(CH2)侧的侧面对齐，下部透明连接层(15t)在接触孔(CH2)内与下部导电层(3t)接触，上部透明连接层(19t)在接触孔(CH2)的底面和侧壁与下部透明连接层(15t)接触。

公开(公告)号：CN103081079B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201180041864.2

申请日：2011-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村淳 ,  中田幸伸 ,  原义仁

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/04 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

Abstract: 半导体装置（1000）包括：具有栅极配线（3a）、源极和漏极配线（13as、13ad）以及岛状的氧化物半导体层（7）的薄膜晶体管（103）；和具有由与栅极配线（3a）相同的导电膜形成的第一电极（3b）、由与源极配线（13as）相同的导电膜形成的第二电极（13b）以及位于第一和第二电极之间的介电体层的电容元件（105），栅极绝缘层（5）具有包含与氧化物半导体层（7）接触并且包含氧化物的第一绝缘膜（5A）、和配置于第一绝缘膜的栅极电极一侧并且具有比第一绝缘膜高的介电常数的第二绝缘膜（5B）的叠层结构，介电体层包含第二绝缘膜（5B）而不包含第一绝缘膜（5A）。由此，能够在不使CS电容等电容元件的电容值降低的情况下抑制氧化物半导体层的氧缺损所致的劣化。

公开(公告)号：CN103946742A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056837.7

申请日：2012-11-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中田幸伸 ,  藤田哲生 ,  原义仁

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100)具备：薄膜晶体管(101)；包含第一绝缘层(12)的层间绝缘层(14)；形成在层间绝缘层上，具有第一开口部(15p)的第一透明导电层(15)；覆盖第一透明导电层的第一开口部侧的侧面的电介质层(17)；和隔着电介质层与第一透明导电层的至少一部分重叠的第二透明导电层(19a)，电介质层具有第二开口部(17p)，第一绝缘层具有第三开口部(12p)，层间绝缘层和电介质层具有第一接触孔(CH1)，第一接触孔的侧壁包括第二开口部(17p)的侧面和第三开口部(12p)的侧面，第三开口部的侧面的至少一部分与第二开口部的侧面对齐，第二透明导电层在第一接触孔内与漏极电极接触地形成接触部(105)，当从基板的法线方向看时，接触部的至少一部分与栅极配线层重叠。

公开(公告)号：CN103299431A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005200.5

申请日：2012-01-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川岛慎吾 ,  中田幸伸 ,  村井淳人 ,  田中信也

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/247 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的半导体装置(100A)包括：具有第一接触区域(4a)和第二接触区域(4b)以及位于第一接触区域(4a)与第二接触区域(4b)之间的沟道区域(4c)的氧化物半导体层(4)；在氧化物半导体层(4)上以与第一接触区域(4a)接触的方式形成的源极电极(5)；和在氧化物半导体层(4)上以与第二接触区域(4b)接触的方式形成的漏极电极(6)。氧化物半导体层(4)的所有侧面位于栅极电极(2)上，源极电极(5)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度，漏极电极(6)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度。

公开(公告)号：CN102472925A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033607.X

申请日：2010-07-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西脇章刚 ,  田代国广 ,  中田幸伸 ,  早野贵之

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/133711 ,  G02F2001/136254

Abstract: 在本发明提供的液晶显示装置的制造方法中，包括准备液晶面板(110)的工序；通过在经由背面基板(130)的检查端子(174)和检查配线(172)将电压施加于混合物的状态下进行光的照射，由混合物形成含有液晶化合物的液晶层(140)和光聚合性化合物聚合而得到的取向维持层(150、160)的工序；和在形成液晶层(140)和取向维持层(150、160)后，从检查端子(172)对液晶层(140)施加电压，进行液晶面板(110)的检查的工序。

公开(公告)号：CN101563647B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200780046615.6

申请日：2007-11-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田哲生 ,  原田光德 ,  中原圣 ,  中田幸伸 ,  小仓雅史

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133555 ,  G02F2001/133397

Abstract: 本发明提供液晶显示装置及其制造方法。本发明提供使为了将在液晶内部产生的偏置电场消除而施加的直流偏置电压的最佳值一致从而能够抑制闪烁、而不增加制造工序数的半透过型的液晶显示装置和上述液晶显示装置的优选的制造方法。本发明的液晶显示装置是在相互相对的背面侧基板与观察面侧基板之间包括液晶层、且上述背面侧基板具有透过电极和反射电极的半透过型的液晶显示装置，上述反射电极的液晶层一侧的表面含有钼。

公开(公告)号：CN1904707B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200610100355.3

申请日：1996-08-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 島田尚幸 ,  梶谷優 ,  岡本昌也 ,  片山幹雄 ,  咲花由和 ,  山本明弘 ,  中田幸伸 ,  錦博彥 ,  近藤直文 ,  嵨田吉祐

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/136

Abstract: 一种透射型液晶显示器件，包括栅极引线；源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。

公开(公告)号：CN101221334B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200810002479.7

申请日：1996-08-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 島田尚幸 ,  梶谷優 ,  岡本昌也 ,  片山幹雄 ,  咲花由和 ,  山本明弘 ,  中田幸伸 ,  錦博彦 ,  近藤直文 ,  嵨田吉祐

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/133 ,  H01L27/12

Abstract: 一种透射型液晶显示器件，包括栅极引线；源极引线和排列在近每一栅极引线和每一源极引线的交叉点处的开关元件，每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关每一开关元件的栅极与栅极引线相连，开关元件的源极与源极引线相连，漏极引线与向液晶层施加电压的像素电极相连，开关元件、栅极引线和源极引线的上方具有高透射率有机膜形成的中间层绝缘膜，中间层绝缘膜上具有透明导电膜形成的像素电极。