公开(公告)号：CN215025284U

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202120046618.7

申请日：2021-01-08

Applicant: 复旦大学附属华山医院

Inventor： 张群 ,  刘莉 ,  吴毅

IPC: A61N2/04

Abstract: 本实用新型涉及用于实现局灶性TMS干预的磁场屏蔽装置，包括上层硅钢板层、中层坡莫合金板层和下层隔热层，中间设有上下贯通的中孔。与现有技术相比，本实用新型构建外层不易饱和高导磁材料(硅钢)，联合内层易饱和高导磁材料(坡莫合金)所制作的复合磁屏蔽材料，可实现TMS磁场的屏蔽，而通过该复合磁屏蔽材料中心打孔，也可在不改变中心区域磁场强度及感应电场强度的情况下，进一步实现打孔区域的局部TMS刺激。

公开(公告)号：CN2789273Y

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200520041650.7

申请日：2005-05-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  章壮健 ,  李喜峰 ,  缪维娜 ,  黄丽

IPC: C23C14/35

Abstract: 本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的铟钼金属镶嵌靶。它由在纯度为99.99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钼丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为2.5－3.5mm的小孔，小孔内镶嵌钼丝。本实用新型的镶嵌靶在制备新型透明导电氧化物薄膜以及新型光电器件领域具有良好的实用性。

公开(公告)号：CN2908530Y

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200520043480.6

申请日：2005-07-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  章壮健 ,  李喜峰 ,  缪维娜 ,  黄丽

IPC: C23C14/35

Abstract: 本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜的铟钨金属镶嵌靶。它由在纯度为99.99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钨丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为1.0－3.5mm的小孔，小孔内镶嵌钨丝。本实用新型的镶嵌靶在制备新型透明导电氧化物薄膜以及新型光电器件领域具有良好的实用性。