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公开(公告)号：CN221861651U
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202322132025.4
申请日：2023-08-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/532 , H01L23/528 , H01L27/088 , H10B63/00 , H10B63/10 , H10B61/00 , H10B80/00
Abstract: 本实用新型的实施例涉及一种具有导电通孔的半导体装置。在含有导电组件的层上方形成电介质结构。在所述电介质结构中形成开口。所述开口暴露所述导电组件的上表面。执行在所述电介质结构上方且部分在所述开口中沉积第一导电层的第一沉积工艺。在形成于所述电介质结构上方的所述第一导电层的第一部分上执行处理工艺。所述处理工艺将非金属材料引入到所述第一导电层的所述第一部分。在已执行所述处理工艺之后，执行用第二导电层至少部分填充所述开口而未将间隙陷留于其中的第二沉积工艺。
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