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公开(公告)号：CN1111982C
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN99119121.8
申请日：1999-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B10/12
Abstract: 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、Tx端分别接耦合器，耦合器与AUI接口连接；SQE端接选择开关；工作状态输出端接工作状态显示器，Vin端和TxOUT端分别接PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps，不采用晶振和时钟定时器，抗干扰性强，工作稳定，成本低，用于计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间以及终端机之间的光互连。
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公开(公告)号：CN108034391B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201711447582.8
申请日：2017-12-27
Applicant: 厦门大学
IPC: C09J123/08 , C09J11/04 , H01L31/048
Abstract: 本发明涉及实现光转换的太阳能电池EVA封装胶膜材料及其制备方法，将EVA溶解在二氯甲烷中形成EVA的二氯甲烷溶液，将无机钙钛矿量子点(CsPbX3,X＝Cl,Br,I)分散到有机溶剂中形成分散液，分散液加入到EVA的二氯甲烷溶液中，再加入交联剂过氧化苯甲酰反应后烘干成膜，压膜得到透射率不小于90％的透明光转换胶膜材料，用于太阳能电池封装领域。本发明将具有紫外下转换功能的无机钙钛矿量子点(CsPbX3,X＝Cl,Br,I)与太阳能电池板的封装材料EVA胶膜均匀复合，在确保高透过率的基础上将太阳能电池不可直接吸收的高能紫外光转换为可供太阳能电池利用的光，从而进一步提高太阳能电池的效率同时也能防止组件封装材料的老化。
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公开(公告)号：CN108034391A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711447582.8
申请日：2017-12-27
Applicant: 厦门大学
IPC: C09J123/08 , C09J11/04 , H01L31/048
Abstract: 本发明涉及实现光转换的太阳能电池EVA封装胶膜材料及其制备方法，将EVA溶解在二氯甲烷中形成EVA的二氯甲烷溶液，将无机钙钛矿量子点(CsPbX3,X＝Cl,Br,I)分散到有机溶剂中形成分散液，分散液加入到EVA的二氯甲烷溶液中，再加入交联剂过氧化苯甲酰反应后烘干成膜，压膜得到透射率不小于90％的透明光转换胶膜材料，用于太阳能电池封装领域。本发明将具有紫外下转换功能的无机钙钛矿量子点(CsPbX3,X＝Cl,Br,I)与太阳能电池板的封装材料EVA胶膜均匀复合，在确保高透过率的基础上将太阳能电池不可直接吸收的高能紫外光转换为可供太阳能电池利用的光，从而进一步提高太阳能电池的效率同时也能防止组件封装材料的老化。
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公开(公告)号：CN107311448A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710600885.2
申请日：2017-07-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C03C3/087 , C03C6/00 , C03B19/02 , H01L31/048 , H01L31/054
Abstract: 本发明公开了一种复眼式太阳能电池封装玻璃及其制备方法，将SiO2、CaO、Na2O的原料按一定比例混合进行高温熔制，在特定模具中成型后退火而成，制备出表面具复眼式阵列的光伏玻璃，用于太阳能电池封装，一方面可额外将电池边缘的光聚集至电池，另一方面减小斜射光的入射角，增加了入射光量，从而提高太阳能电池的光电转换效率。本发明制备工艺简单，价格低廉，与现有的传统工艺兼容，能够提高现有商业化晶体硅太阳能电池组件的光电转换效率，而不必进行复杂、高成本的太阳电池组件对太阳的自动跟踪。
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公开(公告)号：CN105036565B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510458298.5
申请日：2015-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: C03C17/23
Abstract: 本发明公开了一种下转换光伏玻璃及其制备方法，该下转换光伏玻璃包括超白光伏玻璃层及位于该超白光伏玻璃层一表面上的厚度为80～100nm的发光薄膜，该发光薄膜的原料为SiO2:xEu3+,xNa+，x＝0.002～0.2，该超白光伏玻璃层中Fe2O3含量为0.005％～0.01％，且具有抗反射的绒面结构。本发明的下转换光伏玻璃可以有效的吸收掉照射至太阳能电池的短波光，然后发射出能量较低的长波光，增加太阳能电池的可见光波段的光谱响应，从而提高太阳能电池的光利用率和光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972247B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410213806.9
申请日：2014-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片，涉及光电集成电路。设有硅基光电探测器和硅基光电探测器跟随的放大集成电路；所述硅基光电探测器的纵向结构自下而上依次是低掺杂的P型硅衬底、N阱、N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、金属铝、三层的SiO2绝缘介质层、Si3N4表面钝化层；硅基光电探测器跟随的放大集成电路设有互阻前置放大器、限幅放大器和差分输出缓冲电路，互阻前置放大器的输入端接硅基光电探测器，互阻前置放大器的输出端接限幅放大器输入端，限幅放大器输出端接差分输出缓冲电路输入端。可实现650nm±17.8nm光电探测器的放大集成电路的单片光电集成，可满足自动抄表系统100Mbps传输速率要求。
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公开(公告)号：CN104993035A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510458720.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/005 , H01L33/504 , H01L33/56 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
Abstract: 本发明公开了一种暖白光LED发光装置，包括带有电极和热沉的基座，以及被所述基座包围在内并焊接于所述热沉顶面的LED芯片，所述LED芯片通过金线与所述电极电连接，还包括荧光转换罩，所述荧光转换罩设置在所述基座的上方并罩设住所述LED芯片，所述荧光转换罩由蓝绿红三基色荧光粉和树脂胶体混合固化而成；所述蓝绿红三基色荧光粉的组成成分为：蓝色荧光粉：Sr5(PO4)3Cl:Eu2+；绿色荧光粉：(Ca,Sr)2SiO4:Eu2+；红色荧光粉：CaAlSiN3:Eu2+；所述LED芯片激发波长为220nm～420nm。该暖白光LED发光装置具有色温可调(2500～6000K)、高显色指数(Ra＝80～96)且工艺简单、出光效率高的优点。
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公开(公告)号：CN103788943B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201410081670.0
申请日：2014-03-07
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/61 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的硼酸盐蓝色荧光粉及其制备方法，其组合配比的通式为：Sr2-2xClO3：xTm3+,xLi+，其中0≤x≤0.2；其制备方法包括如下步骤：（1）根据所述组合配比通式称取各原料组分；（2）将各原料组分充分混合均匀并经第一次研磨得颗粒均匀的细粉；（3）将上述细粉经预烧、煅烧、冷却、经第二次研磨，即得所述硼酸盐蓝色荧光粉。本发明的硼酸盐蓝色荧光粉能够被358nm的近紫外线激发，且在457nm有蓝光发射，可以用于近紫外激发的三基色荧光粉系统；还可以用于制备单晶硅电池，增加单晶硅电池对太阳光的光谱响应。提高晶硅电池效率；本发明的制备方法采用高温固相合成方法，加热温度低，能耗少；使用的设备单一，设备投资少，工艺简单，成本低廉，且产品性能稳定。
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公开(公告)号：CN104638037A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510080450.0
申请日：2015-02-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料，包括有依次层叠设置的衬底和红外吸收层；所述衬底是p型单晶硅，所述红外吸收层是镍掺杂的n型硅中间带(Si：Ni)材料，其中镍的掺杂浓度是6×1019cm-3～6×1020cm-3，所述红外吸收层与衬底之间形成p-n结。本发明的镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料具有较强的红外吸收能力，在室温状态下具有较高的光电探测率，可广泛应用于光纤通讯、探伤、诊断、跟踪、导航等医疗、空间、军事、民用等领域的红外探测器的制作。本发明还提供了上述材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN103681900A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310726455.7
申请日：2013-12-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0288 , H01L21/2252 , H01L21/268 , H01L31/1804
Abstract: 一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法，涉及晶体硅。所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×1019cm-3，掺杂Ni杂质形成杂质中间带。使用磁控溅射法或蒸发镀膜法在硅片表面制备一层Ni薄膜；使用一维线型连续激光对Ni薄膜进行激光辐照；用氢氟酸溶液对激光辐照后的硅片进行腐蚀后，得Ni掺杂晶硅中间带材料。Ni掺杂晶硅中间带材料能明显提高红外光谱的吸收，提高少子寿命，使用该材料制备的中间带电池能明显提高太阳能电池对红外部分太阳光的利用率，减少电池的发热，提高电池效率，成本低，制作快速简便。
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