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公开(公告)号：CN108879090A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810572637.6
申请日：2018-06-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了半模基片集成波导半圆腔小型化天线，包括介质基片、顶层金属层、及底层金属层；顶层金属层上设置有共面波导转换结构及两个矩形槽；介质基片上设置有半圆区域，并沿半圆弧线开设有多个金属化通孔，且金属化通孔、介质基片、顶层金属层、底层金属层及两个矩形槽之间形成半模基片集成波导E型半圆腔；介质基片上还设置有一微带线，且微带线通过共面波导转换结构与半模基片集成波导E型半圆腔相连接。本发明设计结构简单，工作频点低，矩形槽的引入更适合应用于现代微波毫米波电小天线领域，同时，本发明中设置有半模基片集成波导半圆形谐振腔，结构紧凑，加工难度降低，制作成本低，且性能稳定。
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公开(公告)号：CN108767446A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810558088.7
申请日：2018-06-01
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种低剖面左手平面透镜天线，包括从上至下依次触接排列的左手透镜层、部分反射面和耦合辐射层，还包括位于底部的馈电板，馈电板与耦合辐射层之间设有介质垫片。本发明将谐振腔天线与左手材料单元结合，易于加工、成本降低，左手材料单元采用单面蚀刻工艺，由此制得的单面蚀刻结构不仅组成单元阵列时更加灵活，而且，由此拼接构成的左手透镜层直接覆盖在部分反射面上，该无腔结构未产生额外的剖面高度，在保留了天线低剖面特性的前提下，使得天线的增益和方向性得到显著提高；此外，部分反射面具有双层结构，其上、下表面均敷设有由不同形状的金属周期单元拼接而成的金属层，进一步提高了天线的增益带宽，提高了天线的应用频段。
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公开(公告)号：CN108539406A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810493922.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种基于人工磁导体的微带天线，包括三角形微带天线和人工磁导体反射基板，三角形微带天线通过非金属绝缘柱支撑设置在人工磁导体反射基板中心位置上方0.1mm处；三角形微带天线包括从上至下依次排列的三角形辐射贴片、介质层和接地板，接地板与三角形辐射贴片的形状、尺寸一一对应，三角形辐射贴片的中心位置刻蚀有互补的谐振环结构、底边中点位置处设有共面波导馈电点，三角形辐射贴片的边缘除馈电点外均等间距设有贯通三角形微带天线的空气通孔；人工磁导体反射基板由呈3×3阵列排布的人工磁导体反射单元拼接构成，人工磁导体反射单元与所述介质层的形状、尺寸一一对应；本发明结构简单、易于加工，具有小型化、高增益的特性。
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公开(公告)号：CN105024129B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510431996.6
申请日：2015-07-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于折叠型基片集成波导的新型平面魔T，利用折叠型基片集成波导实现H面功分器，代替传统的槽线激励基片集成波导的T型结，实现了平面魔T。具有更小的泄露损耗，更大的功率容量，以及更大的带宽。借助于折叠型基片集成波导和传统的基片集成波导的开路和短路特性，在两个输入端口间实现了较高的隔离度，并且两个输出端口的幅度和相位不平衡度非常小，提高了魔T的性能，简化了设计过程，易于应用到更高的频带。H面和E面T型结的重叠使得该结构具有高集成度，符和现代无线通信平面化、小型化以及高性能的要求。
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公开(公告)号：CN105680136A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610161318.7
申请日：2016-03-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明公开了一种共面波导到槽线到基片集成非辐射介质波导的过渡电路，是一种由一层改进的共面波导到槽线的过渡电路和三层基片集成非辐射介质波导构成的三层电路结构，改进的共面波导到槽线的过渡电路通过三角形渐变结构接入基片集成非辐射介质波导；底层介质板的两端还开了矩形槽，在稳定电路的同时避免了对改进的共面波导到槽线的过渡电路性能的影响；从底层金属层两端开的梯形槽，与中间介质板处的三角形渐变结构相吻合，更好的实现过渡处的阻抗匹配。本发明能顺利实现改进的共面波导到槽线到基片集成非辐射介质波导的过渡，同时实现了微波毫米波混合多层电路的集成，有利于毫米波频段电路的设计，制作工艺简单，成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105024129A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510431996.6
申请日：2015-07-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于折叠型基片集成波导的新型平面魔T，利用折叠型基片集成波导实现H面功分器，代替传统的槽线激励基片集成波导的T型结，实现了平面魔T。具有更小的泄露损耗，更大的功率容量，以及更大的带宽。借助于折叠型基片集成波导和传统的基片集成波导的开路和短路特性，在两个输入端口间实现了较高的隔离度，并且两个输出端口的幅度和相位不平衡度非常小，提高了魔T的性能，简化了设计过程，易于应用到更高的频带。H面和E面T型结的重叠使得该结构具有高集成度，符和现代无线通信平面化、小型化以及高性能的要求。
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公开(公告)号：CN118449460A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410495529.9
申请日：2024-04-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于改进型合成网络的Doherty功率放大器和设计方法，其中Doherty功率放大器包括：功分器；载波功率放大电路，包括依次连接的隔直电容，载波功放输入匹配网络，载波功放晶体管，载波功放输出匹配网络；峰值功率放大电路，包括依次连接的隔直电容、峰值功放输入匹配网络、峰值功放晶体管、峰值功放输出匹配网络；改进型合成网络，用于两路信号合成和回退时的阻抗补偿；后匹配网络，用于将合路点的阻抗匹配至50Ω，包含隔直电容；通过设置载波功率放大电路和峰值功率放大电路上的栅极偏置电压，实现不同功率情况下的开启顺序控制，在Doherty功率放大器回退工作时，将连续类功放工作模式应用到载波功放负载端上，很好地实现了宽带内的高效率。
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公开(公告)号：CN116706480B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202310904921.X
申请日：2023-07-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于微波滤波器技术领域，公开了一种紧凑的高选择性基片集成波导三角腔宽阻带滤波器，由上至下依次设置有上层金属层，中间介质层基板，下层金属层，上层金属层通过金属化过孔与所述下层金属层连接，并与中间介质层基板一起形成具有介质填充的腔体，所述腔体的形状都为三角形且只由等腰直角三角腔和等边三角腔组成，所述等腰直角三角腔的直角边长与所述等边三角腔的边长之间为线性关系，整个滤波器的腔体呈五边形结构。本发明将谐波交错技术与谐波耦合技术结合，并给出基片集成波导等腰直角三角腔的直角边长与基片集成波导等边三角腔的边长之间关系，不仅结构紧凑简单，而且简化了设计步骤，具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN113904119B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111161903.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面单元的小型化SIW背腔缝隙天线，包含四层金属层、三层介质层和若干金属圆柱。自上而下分别是第一层金属层、上层介质层、第二层金属层、中间介质层、第三层金属层、下层介质层和第四层金属层。第一层金属层为新型超表面单元阵列；第二层金属层为方形超表面单元阵列；第三层金属层为包含矩形窄缝隙的金属层；第四层金属层为包含共面波导馈电结构的金属层。其中，第一层的新型超表面单元阵列由四个按照2×2阵列形式排列的新型超表面单元组成。在传统方形超表面单元的四周应用分形技术形成新型超表面单元，该新型超表面单元结构在不改变单元面积的情况下，使得单元表面的电流路径变长，这是实现小型化的关键。本发明实现了SIW背腔缝隙天线在保持良好的辐射性能的同时进一步小型化的目的，提高了天线的集成度。
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公开(公告)号：CN117525904A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311688988.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于微波天线技术领域，公开一种使用正六边形超表面的低剖面宽带低RCS法布里‑珀罗谐振腔天线，该天线由法布里‑珀罗谐振腔与上部的部分反射面和辐射贴片周围的人工磁导体组成，部分反射面和人工磁导体均为正六边形结构，空腔高度为四分之一波长，上介质层的人工磁导体的电磁波反射相位与下介质层的人工磁导体反射相位相差180°，降低整体的RCS。本发明将正六边形超表面结构与法布里‑珀罗谐振腔天线结合，提高了天线的增益并降低了天线整体的剖面，同时利用相位差原理降低了天线的RCS，结构紧凑简单，简化了同类型天线的设计过程，高增益、低剖面与RCS缩减的特性使本发明在机载隐身天线等方面都具有重要的运用前景。
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