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公开(公告)号：CN105826643A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610264100.4
申请日：2016-04-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/12
CPC classification number: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于半模基片集成波导的紧凑型六端口电路，利用半模基片集成波导磁壁耦合的3dB定向耦合器，实现了抗干扰性更强且结构紧凑的六端口电路。传统基于HMSIW电壁孔径耦合的耦合器结构，等效磁壁裸露在外侧，高度集成时易被干扰。并且在强耦合时，孔径相对很大，电路的尺寸也变得很大。本发明在HMSIW磁壁间实现耦合，具有更强的抗干扰能力。功率分配器模块，在微带渐变线与SIW连接处添加感性金属化通孔，进一步扩大了功分器的带宽。相位变换器则采用八分之一波长的HMSIW传输线实现。将这三者连接起来，实现了本发明提出的紧凑型六端口电路。
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公开(公告)号：CN105789804A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610139346.9
申请日：2016-03-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/10
CPC classification number: H01P5/10
Abstract: 本发明公开了一种微带线到折叠型基片集成波导的宽带过渡结构，利用带状线作为微带线和折叠型基片集成波导的中间媒介，通过在中间金属导带的两侧添加连接上下接地板的金属通孔，抑制高次模的辐射，获得更小的泄露损耗。本发明是一种更宽频带的微带线到折叠型基片集成波导过渡，研究微带线和带状线间的模式转换和模式抑制，利用带状线作为微带线和FSIW的中间媒介，实现单层板传输线到多层板传输线的过渡，从而实现折叠型基片集成波导的广泛应用。
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公开(公告)号：CN105826643B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201610264100.4
申请日：2016-04-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于半模基片集成波导的紧凑型六端口电路，利用半模基片集成波导磁壁耦合的3dB定向耦合器，实现了抗干扰性更强且结构紧凑的六端口电路。传统基于HMSIW电壁孔径耦合的耦合器结构，等效磁壁裸露在外侧，高度集成时易被干扰。并且在强耦合时，孔径相对很大，电路的尺寸也变得很大。本发明在HMSIW磁壁间实现耦合，具有更强的抗干扰能力。功率分配器模块，在微带渐变线与SIW连接处添加感性金属化通孔，进一步扩大了功分器的带宽。相位变换器则采用八分之一波长的HMSIW传输线实现。将这三者连接起来，实现了本发明提出的紧凑型六端口电路。
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公开(公告)号：CN105024129B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510431996.6
申请日：2015-07-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于折叠型基片集成波导的新型平面魔T，利用折叠型基片集成波导实现H面功分器，代替传统的槽线激励基片集成波导的T型结，实现了平面魔T。具有更小的泄露损耗，更大的功率容量，以及更大的带宽。借助于折叠型基片集成波导和传统的基片集成波导的开路和短路特性，在两个输入端口间实现了较高的隔离度，并且两个输出端口的幅度和相位不平衡度非常小，提高了魔T的性能，简化了设计过程，易于应用到更高的频带。H面和E面T型结的重叠使得该结构具有高集成度，符和现代无线通信平面化、小型化以及高性能的要求。
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公开(公告)号：CN105024129A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510431996.6
申请日：2015-07-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于折叠型基片集成波导的新型平面魔T，利用折叠型基片集成波导实现H面功分器，代替传统的槽线激励基片集成波导的T型结，实现了平面魔T。具有更小的泄露损耗，更大的功率容量，以及更大的带宽。借助于折叠型基片集成波导和传统的基片集成波导的开路和短路特性，在两个输入端口间实现了较高的隔离度，并且两个输出端口的幅度和相位不平衡度非常小，提高了魔T的性能，简化了设计过程，易于应用到更高的频带。H面和E面T型结的重叠使得该结构具有高集成度，符和现代无线通信平面化、小型化以及高性能的要求。
