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公开(公告)号：CN115799260B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310046535.1
申请日：2023-01-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开一种负电容围栅纳米片晶体管结构CMOS反相器及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。负电容围栅纳米片结构CMOS反相器包括一个P型负电容围栅纳米片晶体管和一个N型负电容围栅纳米片晶体管。每个负电容围栅纳米片晶体管包括：衬底、有源区和环绕式栅极；有源区包括源漏和多层纳米片结构，纳米片由侧墙和内侧墙共同支撑。环绕式栅极由依次包围覆盖在纳米片外围的氧化层、铁电材料层和金属栅组成，从而产生负电容效应，该铁电材料层具有电压放大功能，可降低器件的亚阈值摆幅到60mV/decade以下。有效改善CMOS反相器的电压转移特性，进一步微缩CMOS反相器特征尺寸，提高器件集成度。
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公开(公告)号：CN113746464B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111035555.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN117038704A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310969940.0
申请日：2023-08-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/51 , H01L21/328 , H01L21/334
Abstract: 本发明公开了一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法，括衬底、埋氧层、有源层、复合场限环、源极金属、栅极金属和漏极金属；横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形，有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱区；复合场限环具有至少两个，以半导体漏区的中心为圆心，等距内嵌在漂移区的顶面中；每个复合场限环均包括P型区域和介质区域；P型区域围绕在介质区域的两侧及底面。本发明中复合场限环的高K介质材料，能够有效调制表面电场避免表面电荷对场限环的影响，从而提高击穿电压；同时提高漂移区掺杂浓度，降低器件导通电阻。另外，栅介质、场介质和复合场限环中的介质采用同种介质材料，降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN117012807A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310924658.0
申请日：2023-07-26
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了基于指型介质的分布式峰值电场横向功率器件，属于基本电气元件的技术领域。通过在功率器件的漂移区内部引入长度不一的指型介质区域，并按照一定的规则进行排布设计。指型介质区域的指尖位置能够形成新的峰值电场，错峰设计也能防止相邻介质产生的电场峰值叠加而导致器件在指尖位置提前击穿，从而使得器件承受更高的耐压。在器件的正向导通阶段，所引入的指型介质能够提高漂移区掺杂浓度，这有助于增强器件载流子的漂移能力，增强器件的正向导通性能。采用该结构制造的硅基、SOI基、碳化硅基、氮化镓基横向功率器件具有击穿电压高、比导通电阻低等优良的性能。
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公开(公告)号：CN116825817A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311019567.9
申请日：2023-08-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法，包括器件主体、高K介质槽区和P型浮空场限环；器件主体包括N型掺杂的半导体漂移区；高K介质槽区等间距布设在半导体漂移区的顶部中心，且包括凹槽和填充在凹槽内的高K介质；位于高K介质槽区之间的有源层形成为半导体岛区；半导体岛区通过P型掺杂形成P型浮空场限环，且P型浮空场限环的结深大于高K介质槽区的深度。凹槽为条状槽、网状槽或矩形槽等。本发明的P型浮空场限环基于介质凹槽进行定位，能减少掩膜等工艺步骤，凹槽内淀积的高K介质能有效调制表面电场并避免表面电荷对P型浮空场限环的影响，从而提高击穿电压，同时提高漂移区浓度，降低器件导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116595286A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310561666.3
申请日：2023-05-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种共聚物有机半导体器件载流子浓度的提取方法，包括步骤1、计算共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结的界面最大电场；步骤2、计算反向偏置肖特基结降低的势垒高度；步骤3、构建饱和泄漏电流的函数模型；步骤4、构建载流子浓度计算模型；步骤5、通过测试共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结在不同温度和不同外置电压下的饱和泄漏电流，并绘制反向偏置肖特基结在不同温度下的电流‑电压曲线，从而得到不同温度下的斜率；步骤6、将温度和对应斜率代入构建的载流子浓度计算模型中，求解得到共聚物有机半导体器件载流子浓度。本发明能对共聚物有机半导体的载流子浓度进行定量分析，且不会改变载流子浓度和空间分布。
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公开(公告)号：CN116562173A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310827829.8
申请日：2023-07-07
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F30/398 , G06F119/08 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种基于模拟退火算法的半导体器件结终端几何参数设计方法，包括S1：确定除待设计结终端结构几何参数以外的器件参数并设为定值；S2：确定待设计的结终端结构几何参数的取值空间；S3：定义基于电学性能指标的优化函数，搭建基于模拟退火算法的器件结终端结构几何参数设计框架；S4：定义循环设计周期，运行步骤3中搭建好的设计框架；S5：输出定义循环周期内使优化函数达到极值的器件结终端结构几何参数和对应最优的电学性能。本发明基于模拟退火算法，对器件的结终端结构几何参数进行设计，无需人工参与，可实现器件的电学性能的提升。该方法优化设计后的结终端结构，可大幅提升器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN115660109B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211653150.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种机器学习模型的训练数据集均匀化处理方法，包括如下步骤：1、确定器件的数据集输入目标结构参数的变化范围；步骤2、根据数据的变化范围，进行数据预处理；步骤3、对预处理后的数据进行均匀化取值；步骤4、对数据集输入目标结构参数进行反预处理；步骤5、根据反预处理后的数据，进行训练数据集的收集；步骤6、建立机器学习模型。本发明通过训练数据集的均匀化处理技术，避免了模型训练过程中潜在的欠拟合和过拟合问题，可优化机器学习模型的应用能力，且该方案构建的模型具有泛化能力强，对随机器件目标结构参数的电学性能预测准确率高等优点。
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公开(公告)号：CN113505564B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110731873.X
申请日：2021-06-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/398 , G06N3/048 , G06N3/084 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于深度神经网络的RESURF横向功率器件最优漂移区浓度设计方法，包括：S1：设定器件结构参数范围，获取不同结构参数下最优漂移区浓度的数据集，并对数据集进行预处理；S2：构建和训练由器件结构参数预测器件最优漂移区浓度的深度神经网络模型；S3：将器件结构参数输入预先训练好的深度神经网络模型，获得器件最优漂移区浓度。本发明能够实现对RESURF横向功率器件最优漂移区浓度的预测，其预测误差为5％左右，精准度较高，与传统方法比，快捷高效。
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公开(公告)号：CN115966596A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310234418.8
申请日：2023-03-13
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种分离槽横向双扩散功率器件及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。该器件包括从下至上依次叠设的半导体衬底和有源区；有源区包括半导体漏区、半导体漂移区和半导体阱区，半导体阱区包含半导体源区和半导体体接触区；在半导体漂移区及栅极区域有源区刻蚀出分离槽及栅极凹槽，分离槽和栅极凹槽底部及四周填充高介电常数介质材料，随后使用二氧化硅将分离槽填满，分离槽及栅极凹槽的刻蚀、淀积均可同时进行；分离槽结构的漂移区纵向拓展电流传导区域并增加高介电常数介质调制面积，有效提高漂移区掺杂浓度；使用高介电常数介质材料制备的槽型栅MIS电容增大，电子积累层密度增大，在保证耐压不变的情况下降低器件导通电阻。
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