一种基于丝网印刷技术制备双面FTO钙钛矿太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN118201443A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202211605445.3

    申请日:2022-12-14

    Abstract: 本发明涉及一种在大气环境中基于丝网印刷技术限域形成钙钛矿薄膜的工艺及制备双面FTO钙钛矿太阳能电池的方法,属于光电子材料与器件领域。该发明中吸光层材料钙钛矿的制备采用丝网印刷技术,将以离子液体醋酸甲胺MAAc作为溶剂的前驱体溶液印刷在已沉积有空穴传输材料的FTO导电基板上,后和另一面沉积有电子传输材料的FTO导电玻璃粘合,限域退火后形成钙钛矿吸光层,以完成器件的制备。该方法所制备的双面FTO钙钛矿太阳能电池具有优良的光电转化效果。首次制备出FTO/PEDOT/钙钛矿/TiO2/FTO结构的钙钛矿太阳能电池。本发明首次提出的在两片FTO上同时制备电子传输层和空穴传输层,简化了工艺流程,缩短了总时间。

    一种无金属电极的双面钙钛矿光伏的制备方法及太阳能电池

    公开(公告)号:CN117042555A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311027181.2

    申请日:2023-08-15

    Abstract: 本发明实施例公开了一种无金属电极的双面钙钛矿光伏的制备方法,包括:配置钙钛矿溶液,在40~80℃的条件下反应5‑9小时得到具有钙钛矿结构的钙钛矿前驱体溶液;清洗导电玻璃基板的表面,将空穴传输材料涂覆于导电玻璃基板表面形成空穴传输层,将电子传输材料涂覆于另一导电玻璃表面形成电子传输层;将钙钛矿前驱体溶液印刷于导电玻璃基板的空穴传输层或/和电子传输层上形成钙钛矿层;将两个导电玻璃基板中叠合放置使钙钛矿层置于中间,在40~120℃的条件下真空退火至少8分钟使两个导电玻璃基板中间形成致密、均一的活性层后得到无金属电极的双面钙钛矿光伏。

    一种高效稳定的钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111952456B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202010841381.1

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 本发明涉及一种基于新型离子液体甲酸甲胺溶解卤化铅PbX2(X=Cl、Br、I),醋酸铅,硫酸铅等制备高效稳定的钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,属于光电子材料与器件领域。该发明将PbI2按照1‑1.5M的浓度溶解至甲酸甲胺溶剂中,利用加热旋涂法将其旋涂至已沉积有SnO2的ITO基片上,经过退火形成致密均匀且稳定的PbI2薄膜,然后将阳离子溶液旋涂在PbI2薄膜上,经过退火形成稳定的甲脒铅碘钙钛矿,整个过程完全在空气中操作。之后在薄膜上旋涂Spiro‑OMeTAD空穴传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀修饰层MoO3以及金属电极,完成器件的制备。

    一种二维三维钙钛矿异质结阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111244275B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN202010084573.2

    申请日:2020-02-10

    Abstract: 本发明公开了一种二维三维钙钛矿异质结阻变存储器及其制备方法,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括玻璃基底、底电极、三维卤化物钙钛矿阻变层、二维卤化物钙钛矿界面层和顶电极。本发明仅通过在顶电极与三维钙钛矿薄膜层之间添加二维钙钛矿界面层,形成二维三维钙钛矿异质结,利用二维钙钛矿的表面钝化作用,使本发明中的阻变存储器的开关比明显提高,降低了器件功耗。另外,本发明原料来源广泛,成本低,制备工艺简单,有利于产业化应用。

    一种基于醋酸甲胺室温熔盐作绿色溶剂制备钙钛矿太阳能电池及其方法和应用

    公开(公告)号:CN108666424B

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201810010359.5

    申请日:2018-01-05

    Abstract: 本发明涉及一种基于醋酸甲胺室温熔盐作绿色溶剂制备钙钛矿太阳能电池及其方法和应用,属于光电子材料与器件领域。该发明将醋酸和甲胺按照1:1.5的化学计量比冰水浴搅拌2小时,在旋转蒸发器上旋蒸至无液滴滴下制备出醋酸甲胺室温熔盐。然后将碘化铅和氯甲胺按照1:1的化学计量比溶解在醋酸甲胺溶液中,配制成钙钛矿前躯体溶液,利用热旋涂技术将前躯体溶液分别旋涂在已经有空穴传输层或电子传输层的ITO导电基板上,经过退火形成致密均匀且高稳定的钙钛矿薄膜,整个过程完全在空气中操作。然后在薄膜上旋涂电子传输层或者空穴传输层,利用真空蒸镀技术蒸镀修饰层以及金属Al电极。

    一种低维无铅钙钛矿薄膜及其无铅钙钛矿太阳能电池制备方法

    公开(公告)号:CN108321299B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201810154056.0

    申请日:2018-02-22

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种低维无铅钙钛矿薄膜及其无铅钙钛矿太阳能电池制备方法,属于光电材料与器件领域。该发明利用特殊的混合溶剂以及加热旋涂技术,在沉积有空穴传输层的ITO玻璃基底上一步旋涂制备得到低维锡基钙钛矿薄膜,经过退火处理后,此薄膜表面平整致密,晶粒大小接近10μm,制备方法简易。所制备的低维锡基钙钛矿太阳能电池具有较高的光电转化效率和良好的器件稳定性。

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