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公开(公告)号：CN111916999A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010671275.3
申请日：2020-07-13
申请人： 清华大学
摘要： 本发明实施例提供一种具有槽结构的分布式反馈激光器及制备方法，分布式反馈激光器包括P电极、P掺杂层、量子阱有源层、N掺杂层和N电极；P电极位于P掺杂层的表面中央位置，P电极两侧分别设置有一个光子晶体孔阵列，光子晶体孔阵列由按照预设排布结构排布的多个光子晶体孔形成，每个光子晶体孔均贯穿P掺杂层、量子阱有源层和N掺杂层，并在衬底上表面截止；有源光子晶体波导层中还包括有对称双槽结构，对称双槽结构由第一凹槽和第二凹槽构成，第一凹槽和第二凹槽设置在P电极两侧，贯穿P掺杂层、量子阱有源层和N掺杂层，并在衬底上表面截止。本发明实施例利用光子晶体慢光效应设计超短激光谐振腔，从而降低芯片体积，提高芯片可集成性能。
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公开(公告)号：CN111799640A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010591435.3
申请日：2020-06-24
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明实施例提供了一种基于受激放大相干Smith-Purcell辐射的太赫兹辐射器，包括：电子发射源，用于发射电子束；泵浦源，用于发射泵浦信号，泵浦信号与一级光栅结构进行相互作用得到初步群聚电子；初步群聚电子与一级光栅结构进行相互作用产生相干Smith-Purcell辐射；与泵浦信号在一级谐振腔结构内垂直谐振，使得电子群聚密度增大，进而使得相干Smith-Purcell辐射增强；自由电子和相干Smith-Purcell辐射形成正反馈过程，得到受激放大的相干Smith-Purcell辐射和周期性群聚电子团。本发明实施例提供的太赫兹辐射器可以在小电流和大束斑的条件下实现受激放大现象。
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公开(公告)号：CN111562723A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010402210.9
申请日：2020-05-13
申请人： 清华大学天津电子信息研究院
摘要： 本发明公开了一种利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法，属于微电子技术领域，包括：步骤一、在晶片上涂覆电子束胶；步骤二、将晶片进行前烘；步骤三、利用版图设计工具绘制DFB-LD光栅调试版图；基于目标DFB-LD光栅版图，在保持芯片单元与目标DFB-LD光栅版图一致的前提下，DFB-LD光栅调试版图在平行光栅方向上与目标DFB-LD光栅版图一致，垂直光栅方向上从芯片单元间光栅对齐排列变化为阶梯状排列，阶梯交错间隔等于光栅沿栅线方向长度；步骤四、对所述晶片依次进行电子束曝光、显定影和坚膜。通过采用上述技术方案，本发明能够提高光栅截面观测样品的观测便利性及制备成功率。
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公开(公告)号：CN109714109B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910043275.6
申请日：2019-01-17
申请人： 清华大学
摘要： 本发明实施例提供一种量子密钥分发光子发射端，属于量子技术领域。包括：光源芯片及空间光学结构；空间光学结构包括光学滤波片、光阑及准直凸透镜；光源芯片，用于发射出不同偏振态的光子；光阑及准直凸透镜，用于将不同偏振态的光子合为一束准直输出，并利用光学衍射极限原理消除不同偏振态的光子因产生位置不同而带来的附加信息；光学滤波片，用于消除光源芯片发射出的不同偏振态的光子在频谱上的差异。本发明实施例提供的量子密钥分发光子发射端，集成的光源芯片使得线偏振光源之间的间距很小，可以达到几十微米量级，从而相应的光阑，准直凸透镜和光学滤波片的尺寸都可以设计的非常小，进而使得光子发射端整体结构可实现微型化。
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公开(公告)号：CN103605216B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310603561.6
申请日：2013-11-25
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种基于光子晶体波导的阵列化光开关，该光开关包括：硅衬底1，用于承载整个器件结构；二氧化硅衬底2，覆盖于硅衬底1上，用于隔离硅衬底与硅平板；硅平板3，位于二氧化硅衬底上2，用于形成二维硅光子晶体波导、多模干涉波导、续接波导；二氧化硅隔离层4，位于硅平板3上方，并填充于二维硅光子晶体波导的孔内，用于隔离二维光子晶体波导与钛金属电极5，提供光隔离与电绝缘；钛金属平板电极5位于二氧化硅隔离层上，用于加热二维光子晶体波导；铝金属平板电极6位于钛金属平板上，作为接触电极。通过设计光子晶体波导结构实现光通信波段（波长1微米至2微米）特定波长光信号的阵列开关功能，能够增强大调控功率调控下电极的稳定性。
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公开(公告)号：CN103728692B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310743586.6
申请日：2013-12-30
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供了一种基于纳米梁结构的光机晶体微腔，包括：硅衬底，用于承载整个光机晶体微腔；二氧化硅隔离层，用于隔离硅衬底和硅平板；硅平板，位于二氧化硅隔离层之上，硅平板包括依次设置的输入波导区、光机晶体微腔区、输出波导区；输入波导区用于接收光信号并将光信号传输至光机晶体微腔区；光机晶体微腔区，包括硅波导和空气孔阵列，用于局域光子和声子缺陷模式，实现光子和声子的耦合；输出波导区用于输出光信号；顶层二氧化硅层，位于硅平板之上，其与二氧化硅隔离层配合以保护硅平板；空气隔离区，位于光机晶体微腔区的上方和下方，且位于二氧化硅隔离层和顶层二氧化硅层之间。
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公开(公告)号：CN103034015A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210587206.X
申请日：2012-12-28
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提供一种偏振纠缠双光子产生系统，包括有：泵浦光发生装置，用于生成脉冲泵浦光，并将其输入至全保偏光纤非线性环形光路；全保偏光纤非线性环形光路，由带保偏尾纤的偏振分/合束器和非线性光纤媒质构成，使所述泵浦光分别沿顺时针和逆时针方向，独立激发自发的四波混频过程，产生具有纠缠特性的信号和闲频双光子；分光滤波装置，用于对剩余泵浦光及所述具有纠缠特性的信号和闲频双光子进行分离，得到偏振纠缠双光子。本发明不需要依靠任何偏振态调整装置，且开机不必附加调整操作，具有即插即用、噪声更低的特点，提供能够在常温下工作的高质量的偏振纠缠双光子。
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公开(公告)号：CN101556353B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810186418.0
申请日：2008-12-16
摘要： 本发明涉及一种短程表面等离子体波与普通介质导波混合耦合结构，包括介质衬底层；位于该介质衬底层上的介质波导层；位于该介质导波层上的耦合匹配层；以及形成于该耦合匹配层上的、用于传导短程表面等离子体波的短程表面等离子体波导部分。采用所述结构可实现高度集成的耦合器，起偏器，调制器以及超薄物质折射率的高灵敏度检测芯片。
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公开(公告)号：CN102608699A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210009165.6
申请日：2012-01-12
申请人： 清华大学
IPC分类号： G02B6/122
摘要： 本发明涉及短程表面等离子体波导与介质波导混合耦合阵列式结构，其特征在于，所述耦合阵列式结构包括：介质衬底层，以及位于介质衬底上的至少两个耦合结构，所述耦合结构包括：介质波导层，所述介质波导层位于所述介质衬底层上；以及短程表面等离子体波导层，所述短程表面等离子体波导层位于所述介质波导层上，其中，至少一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层与另一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层具有不同厚度。采用所述结构可实现大传感区域的超薄物质折射率的高灵敏度检测芯片。
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