公开(公告)号：CN102608699B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201210009165.6

申请日：2012-01-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘仿 ,  樊博宇 ,  黄翊东 ,  张巍 ,  冯雪 ,  崔开宇

IPC: G02B6/122

Abstract: 本发明涉及短程表面等离子体波导与介质波导混合耦合阵列式结构，其特征在于，所述耦合阵列式结构包括：介质衬底层，以及位于介质衬底上的至少两个耦合结构，所述耦合结构包括：介质波导层，所述介质波导层位于所述介质衬底层上；以及短程表面等离子体波导层，所述短程表面等离子体波导层位于所述介质波导层上，其中，至少一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层与另一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层具有不同厚度。采用所述结构可实现大传感区域的超薄物质折射率的高灵敏度检测芯片。

公开(公告)号：CN102608699A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210009165.6

申请日：2012-01-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘仿 ,  樊博宇 ,  黄翊东 ,  张巍 ,  冯雪 ,  崔开宇

IPC: G02B6/122

Abstract: 本发明涉及短程表面等离子体波导与介质波导混合耦合阵列式结构，其特征在于，所述耦合阵列式结构包括：介质衬底层，以及位于介质衬底上的至少两个耦合结构，所述耦合结构包括：介质波导层，所述介质波导层位于所述介质衬底层上；以及短程表面等离子体波导层，所述短程表面等离子体波导层位于所述介质波导层上，其中，至少一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层与另一个所述耦合结构的短程表面等离子体波导层具有不同厚度。采用所述结构可实现大传感区域的超薄物质折射率的高灵敏度检测芯片。