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公开(公告)号：CN115903979B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211412589.7
申请日：2022-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于精密电流源技术领域，更具体地，涉及一种射频激励的精密微电流源及其工作方法。本发明提供的一种精密微电流源，包括压电衬底、射频信号源、叉指换能器、半导体薄膜以及半导体薄膜两端的电极，基于声表面波与半导体薄膜之间的声电效应，其中射频信号作为激励源，通过叉指换能器在压电衬底表面激励声表面波，声表面波与半导体薄膜之间的声电效应致使半导体薄膜内部产生电流并通过电极输出。本发明精密电流源可以做到无线无源，且其输出电流与输入射频功率存在较好的线性关系，线性区域较宽，通过改变功率即可改变输出电流，输出电流可以做到nA至uA的至少两个数量级的宽量程变化。
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公开(公告)号：CN116400007A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211485439.9
申请日：2022-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种模拟低温真空环境的气体测试装置及方法，其中，所述装置包括：真空泵单元、冷阱测试腔单元、进气单元、测试单元和监测单元。采用真空泵单元先抽一个低真空并保压，目的是抽出冷阱测试腔单元内的水蒸气；然后开启冷阱对冷阱测试腔单元的内部进行降温，此时既能够很好地传热，使得整个冷阱测试腔单元的内部温度一致，也能够防止其内部结冰，提高测试精确度；待其内部降到特定温度(气体测试所需要的温度)后，再利用真空泵单元抽到特定的真空度(气体测试所需要的高真空度)，最后通入待测气体(如H2S)，实现待测气体参数在低温真空环境下的精确测量。
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公开(公告)号：CN116332226A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211489280.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G19/02 , C01B21/082 , G01N33/00
Abstract: 本发明属于半导体氧化物技术领域，更具体地，涉及用于低温下检测H2S气体的复合材料及其制备和应用。本发明首先制备Sb掺杂SnO2微球的前驱体，然后与具有网状结构的g‑C3N4混合研磨后煅烧，得到本发明用于低温检测硫化氢气体的复合材料。其中g‑C3N4的网状结构具有较大的表面积，容易将疏松多孔ATO微球包裹住，在煅烧过程中二者紧密接触，生成的ATO@n‑CN复合材料可以形成异质结，在紫外光的照射下，可以显著提高光生载流子的分离和转移效率，因此可以生成更多的光生电子与复合材料表面的物理吸附氧分子结合，形成更多的高活性化学吸附氧离子，从而可以与更多的H2S气体发生反应，使气敏性能提升。
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公开(公告)号：CN109990829B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201811589367.6
申请日：2018-12-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种元素、缺陷与残余应力的多功能激光光声检测方法及装置，属于激光材料检测领域，利用脉冲激光器入射到待测样品表面产生等离子体和超声波，能同时分析样品元素组成、结构缺陷和残余应力。检测系统包括激发单元、光谱探测单元、超声波探测单元以及分析控制单元，数字延时器与计算机相连，高精度3D位移平台与数字延时器相电连接，脉冲激光器发射出的脉冲激光通过光路系统调制聚焦入射至待测样品表面以同时产生等离子体和超声波，超声波探测单元用于对超声波进行探测，光谱探测单元用于对等离子体火焰发射的可见光光谱进行探测。本发明方法和装置能够实现对样品元素组成、缺陷和残余应力的同时检测与分析。
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公开(公告)号：CN110512273B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910724860.2
申请日：2019-08-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于晶体生长特殊工艺处理领域，涉及一种提高单晶结晶质量的方法，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶结晶质量的方法。本发明在现有的采用垂直熔体法生长溴铅铯单晶的方法基础上，针对其存在的晶体成分偏析、结晶质量不佳的技术问题，提出在晶体生长之前，对单晶原料容器所在的生长区增加设置自上而下逐渐升高的温度梯度，促进熔融态单晶原料成分的对流，增加该熔体的均匀性及结晶过冷度，进而提高溴铅铯单晶结晶质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112028013A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202011076055.2
申请日：2020-10-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于激光应用技术领域，更具体地，涉及一种基于飞秒激光直写的金属氧化物微纳结构、其制备和应用。本发明首先将金属氧化物前驱体与溶剂混合制备得到金属氧化物前驱体溶胶凝胶，接着将该溶胶凝胶涂覆于衬底表面得到凝胶薄膜，进行飞秒激光直写，利用飞秒激光高峰值功率产生的能量使金属氧化物前驱体发生反应生成金属氧化物微纳结构。本发明通过飞秒激光直写技术直接实现金属氧化物微纳结构的制备，由于飞秒激光峰值功率高，可直接烧结出金属氧化物，不需要其他处理，方便快捷。适用于任意亲疏水基底，可实现高精度、跨尺度、高定向的任意金属氧化物微纳结构的制备。
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公开(公告)号：CN109112627B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811160371.0
申请日：2018-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于高能射线探测器材料领域，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶电阻率的方法，其通过对溴铅铯单晶的Pb位进行一价阳离子Ag离子掺杂，补偿所述溴铅铯晶体内的施主型本征缺陷，以提高溴铅铯单晶的电阻率，由此解决熔体法生长的CsPbBr3晶体存在大量的本征缺陷，严重影响晶体的结晶质量，导致电阻率下降，探测效率低等的技术问题。
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公开(公告)号：CN108336979A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810091296.0
申请日：2018-01-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成式射频信号滤波和放大器件，包括：压电衬底及依次排列于压电衬底上的输入换能器、半导体薄膜和输出换能器；输入换能器用于接收射频信号，并将射频信号转化为声表面波；半导体薄膜用于在施加电压的情况对声表面波进行放大处理；输出换能器用于将放大后的声表面波转化为射频信号。半导体薄膜设置于输入换能器和输出换能器之间，且半导体薄膜、输入换能器和输出换能器均置于压电衬底上，输入换能器将位于特定波段的射频信号转化为声表面波，声表面波与施加有电场的半导体薄膜作用实现放大，放大后的声表面波经过输出换能器转化为射频信号，进而实现对射频信号的滤波和放大，该滤波和放大器件具有集成度高的优点。
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公开(公告)号：CN108193271A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711466810.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶的水平移动区熔制备方法，具体包括以下步骤：(1)将石英安瓿置于反应炉腔内，通入甲烷进行镀碳膜处理得到镀碳安瓿；(2)向该镀碳安瓿内装入溴铅铯粉料，抽真空并密封，置于热处理炉中使溴铅铯粉料先熔化后降温凝固形成多晶料棒；(3)将装有多晶料棒的密封安瓿置于水平移动区熔炉内，将加热器升温至620-650℃，使加热器从密封安瓿的尖端开始移动至密封安瓿的尾端，由此完成溴铅铯晶体的生长，得到溴铅铯晶体。本发明通过对其关键的整体流程工艺设计、以及各个步骤的反应条件及参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决晶体生长过程中机械震动大、晶体内部的热应力高、难以生长大尺寸溴铅铯单晶等问题。
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公开(公告)号：CN106548840A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510598234.5
申请日：2015-09-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法。压敏电阻器由瓷片和Ni电极交替层压生成，两端涂有端电极；所述瓷片由ZnO，Bi2O3，Mn和Co的氧化物，以及BN构成，其中，ZnO的摩尔分数为93％～98.7％，Bi2O3的摩尔分数为0.2％～5％，Mn和Co的氧化物的摩尔分数均为0.01％～5％，BN的摩尔分数为0.1％～6％。本发明采用贱金属Ni作为内电极，同时能防止Ni电极氧化，并有效抑制ZnO及其他添加物在还原气氛中被还原，促进ZnO在烧结过程中成瓷，压敏电阻器具备良好的非线性，制作成本低，适于大规模生产。
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