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公开(公告)号：CN103841043B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410124205.0
申请日：2014-03-28
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04L12/807 , H04L1/18
Abstract: 本发明提出了一种基于友好性的平行数据传输窗口机制，解决多路并行传输在资源共享的网络中因过度占用带宽而引起的TCP不友好的公平性问题。流控制传输协议的拥塞控制都是路径独立的，无法从整体上对多路传输的速率进行了解和控制。基于此，本发明设计了一个多路径友好窗口，在会话范围内模拟TCP的拥塞控制。将友好窗口值与活动路径总拥塞窗口值进行比较，判断当前带宽占用情况是否合理，若超出一定范围，则进行相应的拥塞窗口增加或减少的调整，从而保证数据传输的效率和友好性。通过基于友好性的平行数据传输窗口机制，能够在不过度损害多路径数据传输效率的同时有效减小其对传统单路径传输的侵略性，获得稳定的网络性能。
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公开(公告)号：CN103873479A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410124203.1
申请日：2014-03-28
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于跨层评估的平行数据传输算法，解决多路并行数据传输中由于简单数据调度而引发的数据包失序问题。首先利用心跳机制获取RTT时间并判断路径活动性，再根据数据链路层的有效信噪比以及传输层的速率、带宽估计值得到路径容量，两者共同决定路径质量。根据路径质量智能进行数据分发调度。利用路径容量判断丢包原因，采取不同重传措施。该算法能够感知数据链路层和传输层的双重信息，获得更加准确全面的路径质量评估，进行高效的数据分发，减少失序和重排序。同时区分丢包原因，避免不必要的拥塞窗口减小。通过基于跨层评估的平行数据传输算法，能够感知并适应无线网络的动态性，提供高质量的数据传输服务。
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公开(公告)号：CN102040191B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910209480.1
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；c、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。基于本发明方法所制备的纳米线不受临界直径的限制，并且具有生长方向一致、可控、以及高晶体质量的特点。
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公开(公告)号：CN101685774B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810161833.0
申请日：2008-09-24
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米线部分作为窗口横向生长外延层。本发明利用高晶体质量的纳米线作为横向生长的窗口，横向生长的外延层与衬底之间间隔着掩膜层，消除了外延层材料和衬底材料之间晶格匹配的限制。本发明能成功解决晶格失配的晶体材料间异质生长的问题，为实现光电子集成提供新思路。
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公开(公告)号：CN102040191A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910209480.1
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金属纳米颗粒或金属薄膜与缓冲层材料形成合金纳米颗粒；c、利用合金纳米颗粒作为催化剂，进行纳米线的外延生长。基于本发明方法所制备的纳米线不受临界直径的限制，并且具有生长方向一致、可控、以及高晶体质量的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101958753A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910160632.3
申请日：2009-07-17
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电技术领域，具体涉及一种具有平顶陡边光谱响应性能的用于波分复用中的解复用接收器。本发明所提供的解复用接收器，包括：至少两个光探测器，所述光探测器信道相邻且具有滤波性能；信号处理单元，所述信号处理单元对探测器的输出信号的直流分量进行比较，以向所述光探测器中指定的光探测器输出的交流信号实现光谱响应。本发明所提供的是可以实现可变带宽的平顶陡边的解复用接收器，同时可以实现可调谐的平顶陡边的解复用接收器。
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公开(公告)号：CN101958362A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910160633.8
申请日：2009-07-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种纳米波导结构半导体光探测器的制备方法，包括以下步骤：在半绝缘衬底上生长光探测器的外延材料，依次生长缓冲层，底部谐振腔反射镜，下隔离层，探测器吸收层，上隔离层，顶部谐振腔反射镜；在光探测器顶部欲作为反射镜的薄膜上实现具有特定几何图样的有限周期数目纳米波导结构；去除没有进行保护的区域，直到露出欧姆接触层表面；在欧姆接触层表面蒸发多层金属合金，同步完成垂直腔型光探测器的欧姆接触层；进行光探测器的隔离和介质钝化以及开孔互连，得到所需光探测器。其可作为光探测器谐振腔的宽带高反射率反射镜、偏振控制器或自聚焦透镜，解决工作在光通信用长波长波段的半导体光探测器中磷化铟基材料的制约。
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公开(公告)号：CN1328390A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01120077.4
申请日：2001-07-11
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种光电子器件,特别涉及一种具有非平行腔结构的集成解复用光电子器件及制备方法。本发明其特征在于在需要形成楔形结构的外延层表面形成引导层以及掩膜层,在需要形成的楔形结构顶端的位置除去掩膜层,然后置于腐蚀液中,引导层的腐蚀速率较快,引导层在侧向腐蚀的同时,逐渐露出相邻的腐蚀速率较慢的外延层,在相邻的外延层上就腐蚀出楔形结构,使得腔之间形成一个θ角,其中0°
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公开(公告)号：CN217305655U
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202220895097.7
申请日：2022-04-18
Applicant: 北京邮电大学 , 深圳臻像科技有限公司
IPC: G02B30/27
Abstract: 本申请实施例涉及光学显示领域，公开了一种裸眼3D显示光学组件及裸眼3D显示系统。该裸眼3D显示光学组件包括光阑层和至少一个透镜阵列层，光阑层包括间隔设置的透光区和遮光区，至少一个透镜阵列层中每个透镜阵列层包括透镜组件，透镜组件包括若干间隔设置的透镜区。其中，光阑层的透光区与任一透镜阵列层的透镜区一一对应，且中心点在一条直线上光阑层中每一透光区的口径小于或者等于该透光区相对应透镜区的口径。采用本技术方案裸眼3D显示光学组件的裸眼3D显示系统，经过光阑层的过滤，能够确保呈3D显示的光线是像差相对较小的光线，从而能够减小像差对3D显示图像的影响，提高裸眼3D显示图像的清晰度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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