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公开(公告)号：CN119035993A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411290741.8
申请日：2024-09-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种大批量制备三明治结构线性焊点的方法，材料制备与连接技术领域。先在钎料层两侧的大块Cu基板上分别电镀制备扩散阻挡层，再通过回流焊得到两两对接的含有扩散阻挡层的三明治结构焊点，通过线切割得到大量性能相同的预定尺寸的线性焊点，满足蠕变、时效、拉伸、电迁移加载、电阻率测量、电迁移样品界面层和金属间化合物的表征等测试的样品需求。在金属基板上制备Co或Co‑P镀层以起到扩散阻挡的作用，能有效防止生成大量硬脆的Cu‑Sn金属间化合物，因此Co或Co‑P扩散阻挡层的引入有利于降低焊点的脆硬倾向，提高焊点的力学性能。
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公开(公告)号：CN118773684A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410754402.4
申请日：2024-06-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种仿生铜苔藓表面结构及其制备方法和应用。本发明的仿生铜苔藓表面结构的制备方法，包括如下步骤：S1：对基板进行清洗、打磨、抛光、烘干，得到预处理基板；S2：将预处理基板的正面浸没于电解质溶液中进行电沉积，在预处理基板的正面形成仿生铜苔藓表面结构。本发明的仿生铜苔藓表面结构能够提高连接面的表面积、孔隙率和毛细作用，降低了粘性阻力，有利于焊膏的均匀分布以及在后续烧结过程中形成更好的机械结合，能够解决现有无压烧结连接所存在的加工耗时长、可靠性差等问题，烧结连接结构的强度能够良好地满足芯片封装中无压烧结连接的相关要求。
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公开(公告)号：CN113953730B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111400740.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K37/00 , B24B41/06 , B23K101/42
Abstract: 本申请公开了一种能够精确控制一维线性对接焊点抛光质量的抛光组件，包括一维线性对接焊棒和焊棒载体；一维线性对接焊棒的截面为正方形；一维线性对接焊棒由第一铜棒、第二铜棒和对接焊点组成，对接焊点将第一铜棒和第二铜棒对接焊接；焊棒载体用于承载一维线性对接焊棒，并且包裹一维线性对接焊棒的三个侧面，一维线性对接焊棒只有一个侧面可见。本申请通过对抛光组件进行改良组装，使得线性焊点的抛光表面在抛光时既能充分得到抛光处理，又能很大程度减少由于施力不均而产生曲面的影响，满足焊点表面在进行扫面电镜和电子背散射衍射测试时尺寸完整、图像清晰的要求。
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公开(公告)号：CN114152862B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202111400563.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了避免线性焊点电迁移过程热影响的测试组件及其制作方法，包括线性对接焊接铜棒、基底板和结构板；线性对接焊接铜棒包括线性焊点、第一铜棒和第二铜棒；线性焊点位于第一铜棒和第二铜棒之间，与第一铜棒和第二铜棒焊接连接；结构板包裹该线性对接焊接铜棒，线性对接焊接铜棒的截面为长方形，线性对接焊接铜棒只有一个侧面可见；基底板用于承载结构板。本申请克服了一维线性焊点在传统方法通电时产生的热应力不均的难点，有利于电迁移过程中对界面金属间化合物演变行为的表述，能够准确评价线性焊点对接接头可靠性；进一步的，大幅减少了由于热应力对焊点产生的实验误差，满足了电迁移测试时只需考虑通电时间的唯一变量要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114211075B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111659851.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过改变焊接参数改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法，涉及材料制备与连接技术领域，以SABI钎料为原料，重熔温度为245℃～310℃，可应用于基体材料主要为Cu/Ni UBM的电子封装元器件的低温钎焊，通过工艺参数设定，得到的焊点晶体取向与普通钎料如SAC305的晶体取向不同，焊点内部晶向彼此交互交叉相互掺杂，且晶向碎且乱，形成交叉晶和多双孪晶，交叉晶和多双孪晶的存在使Sn基焊点的各向异性程度大大降低，性能均匀。
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公开(公告)号：CN116399746A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310386215.0
申请日：2023-04-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种用于纳米银焊膏热疲劳测试结构及其制作方法，属于功率电子器件封装技术领域，包括基板，基板上方设置有阵列烧结层，阵列烧结层上方设置有芯片，基板与芯片通过阵列烧结层形成互联结构；阵列烧结层由若干个连续设置的纳米银层构成，相邻两纳米银层之间设置有间隙，若干个纳米银层围成正方形结构，且若干个纳米银层沿芯片的边缘设置。本发明能够保证互联结构在热疲劳载荷下具有更集中的应力，解决了传统结构在测试热疲劳可靠性高的纳米银焊膏时效果不明显的问题，缩短了测试时间。
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公开(公告)号：CN116043172A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310037199.4
申请日：2023-01-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于梯度材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲激光沉积装置及利用其制备梯度成分材料的方法。该装置包括反应腔和激光装置；所述反应腔的内部包括用于支撑第一靶材的第一靶托、用于支撑第二靶材的第二靶托、用于支撑衬底的样品托；所述激光装置包括激光器、第一半波片、第二半波片、第一偏振分束器、第二偏振分束器、反射镜、第一扫描振镜、第二扫描振镜。该装置设计了适配单激光器的激光光路，将单束脉冲激光分为两束脉冲激光同时轰击异种靶材，可通过控制两个半波片镜片的旋转，在沉积过程中实现激光功率连续变化，使轰击出异种靶材等离子体的成分浓度连续变化，经过混合后实现单层薄膜成分的连续变化，在厚度方向上形成梯度成分。
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公开(公告)号：CN114211068B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202111660949.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种通过预制IMCs焊盘形成全IMCs结构焊点的方法，属于材料制备与连接领域，适用于制备全IMCs的微型钎焊对接接头，应用于微电子连接的力学、热学以及电学的可靠性研究，其通过以下步骤实现：焊料漏印；将焊料加热重熔形成焊球；依据尺寸要求挑选焊球；将焊球置于印制电路板表面的铜片上，加热重熔结合且形成凸点结构；腐蚀凸点结构；制成两个IMCs焊盘；加热重熔使IMCs焊盘结合；对IMCs焊盘的焊点进行研磨、精抛，最终获得全IMCs焊点。本发明能够避免Sn基焊料中Sn各向异性降低焊点可靠性的情况；工艺简单，成本低廉。本发明的关键步骤在于焊料涂覆在预制的IMCs焊盘进行重熔、冷却，通过EDS技术确定焊点成分为IMCs。
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公开(公告)号：CN115740831A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211429041.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纤维增强无铅低温焊料及其制备方法，属于电子封装连接材料制备技术领域。碳纤维增强无铅低温焊料，包括以下质量百分比的原料：Sn基无铅低温焊料焊膏90～99％和1～10％镀金属碳纤维。碳纤维增强无铅低温焊料的制备方法，包括以下步骤：按质量百分比称取各个原料，机械搅拌和超声振动混合，得到所述碳纤维增强无铅低温焊料。本发明制备的碳纤维增强无铅低温焊料绿色环保、性能优异，能够使焊接接头在多次回流过程中维持稳定，同时还能提高接头的高温服役稳定性，可作为大规模集成电路的封装互连材料。
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