公开(公告)号：CN1684546A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200410033638.1

申请日：2004-04-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  胡维 ,  乔东海 ,  李婷 ,  王玮 ,  田大宇 ,  罗葵 ,  李静 ,  阮勇

IPC: H04R19/01 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域，该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺，该工艺既可以得到释放孔，又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜，工艺流程简单，工艺兼容好，所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。

公开(公告)号：CN1159772C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN01123428.8

申请日：2001-07-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 张太平 ,  宁宝俊 ,  田大宇 ,  张洁天 ,  张录 ,  倪学文 ,  王玮 ,  李静 ,  马连荣 ,  王兆江 ,  袁坚 ,  郭昭乔

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计，宽引线铝覆部分场区，氯离子处理炉管，在有氢气氛的低温炉中退火，慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高，暗电流小，结电容小，响应速度快，光谱响应范围广，参数优异并稳定。可广泛应用于光电探测器的制备领域。

公开(公告)号：CN106365107B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201510427299.3

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  杨芳 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种提取梁刻蚀垂直度的方法及系统，基于静电驱动梁扭转的原理，利用新设计的片上检测结构、电学信号施加装置和垂直位移检测装置组成的系统，提取梁的刻蚀垂直度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测，也可用来预测器件的机械可靠性。方法简单，易于通用。

公开(公告)号：CN106477517A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510551503.2

申请日：2015-09-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨芳 ,  张大成 ,  何军 ,  张立 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种表征硅片表面粗糙度的方法，通过测特定条件下的电流值来表征硅片表面的粗糙度。此方法具备方法简单、不需要大型高精密仪器的优点，有利于MEMS加工环境中的现场测量。

公开(公告)号：CN106370520A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510427296.X

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  张立 ,  杨芳 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: G01N3/08

Abstract: 本发明公开了一种提取微锚腿扭转键合强度的方法，通过新设计的片上检测结构中的热驱结构对微锚腿产生扭转作用的力偶矩使锚腿断裂，记录断裂时的驱动位移并计算扭转键合强度值。此方法可用来进行键合工艺的监测和评价，也可用来预测器件的机械可靠性。具备自定位、自测力能力；方法简单，不需要大型高精密仪器。

公开(公告)号：CN103207545B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310097604.8

申请日：2013-03-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘鹏 ,  王玮 ,  田大宇 ,  姜博岩 ,  杨芳 ,  戴小涛 ,  张大成

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法，其步骤包括：1）清洗基片，并在基片上涂敷黏附层；2）在黏附层上旋涂剥离层光刻胶；3）对基片进行烘烤；4）在剥离层光刻胶上旋涂具有紫外敏感特性的电子束光刻胶；5）对基片进行烘烤；6）对电子束光刻胶进行电子束曝光；7）显影电子束光刻胶；8）采用紫外线照射显影后的电子束光刻胶图形，使其交联固化；9）显影剥离层光刻胶。本发明利用电子束光刻胶本身的紫外敏感特性，通过紫外线固胶的方式提高LOL剥离层和电子束光刻胶显影速度之比，解决双层胶的工艺兼容性问题，得到陡直的光刻胶侧壁。

公开(公告)号：CN102963861B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210450745.9

申请日：2012-11-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  何军 ,  黄贤 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法，其步骤包括：采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层；在所述结构层上淀积金属层；湿法腐蚀所述牺牲层，通过观测所述金属层中金属的脱落情况确定腐蚀完成时间。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率。

公开(公告)号：CN102980695B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210500895.6

申请日：2012-11-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄贤 ,  张大成 ,  赵丹淇 ,  林琛 ,  何军 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: G01L1/18 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列，另外两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面光刻定义P型重掺杂的引线接触区，进行离子注入和高温热退火；在基片正面光刻定义槽的形状并刻蚀四边形槽；通过P型离子注入轻掺杂进行侧壁上压敏电阻的掺杂，并进行高温热退火；制作引线孔和金属引线；划片。本发明不含应变膜，能够降低传感器的芯片尺寸，显著增加传感器的抗过载能力，提高了工艺的可靠性与器件的成品率。

公开(公告)号：CN102583224B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210060342.3

申请日：2012-03-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵丹淇 ,  张大成 ,  林琛 ,  何军 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后，刻蚀氧化硅保护层形成引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后去除MEMS区域的牺牲层，释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备，采用IC-MEMS交叉工艺，通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力，从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响，工艺简单可靠。

公开(公告)号：CN102967510B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210397912.8

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 何军 ,  张大成 ,  赵丹淇 ,  王玮 ,  杨芳 ,  田大宇 ,  刘鹏 ,  李婷 ,  罗葵

IPC: G01N3/26

Abstract: 本发明涉及一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法和装置，通过探针台探针向具有曲面探针头的片上力学微探针施加负载力；片上力学微探针通过曲面探针头向悬臂梁施加作用力，同时该片上力学微探针进行转动以使该悬臂梁在弯曲过程中受到的作用力始终垂直于该悬臂梁。本发明在对被测悬臂梁施加作用力的过程中不会产生沿悬臂梁方向上的弹力，也不会产生摩擦力；并且由于力学微探针的缓冲作用使得负载力的施加更稳定，测量结果更准确。