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公开(公告)号：CN105803522A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610193137.2
申请日：2016-03-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种连续制备大单晶石墨烯的方法，涉及大单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用铜箔作为催化剂及生长基底，利用两个常压化学气相沉积设备将铜箔退火和石墨烯生长分开进行，通过两端的转动装置，连续获得大尺寸高质量的石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了连续制备大单晶石墨烯样品。
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公开(公告)号：CN105714382A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610098625.5
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸Cu(100)单晶铜箔的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(100)。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(100)价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了Cu(100)单晶铜箔的制备。
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公开(公告)号：CN105603514A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610098623.6
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B1/02 , C30B29/02
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(111)，然后利用常压化学气相沉积法，以Cu(111)单晶为衬底获得超大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(111)价格昂贵的问题，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸单晶石墨烯，解决了石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了铜箔单晶和高质量大尺寸的单晶石墨烯样品的制备。
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公开(公告)号：CN118550095B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411000819.8
申请日：2024-07-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及激光技术领域，提供了一种光路调节装置及其光路调节方法和激光器，光路调节装置包括：入射导光件，用于传输非可见激光；可见光转化层，设置于入射导光件的激光出射端，用于将部分非可见激光转化为可见激光，可见激光和剩余非可见激光共路形成可视调节激光；出射导光件，设置于可见光转化层背离入射导光件的一侧，用于传输所述可视调节激光，并射出可视调节激光进行光路调整。本申请能够将非可见激光部分转化为可见激光，且不影响非可见激光的功率和模式，能够直接通过肉眼观察进行调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118068628A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211475627.3
申请日：2022-11-23
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本公开提供了一种非线性光学晶体结构，包括多个二维材料层，其中，所述多个二维材料层沿垂直于其二维平面的方向堆垛且彼此相邻的所述二维材料层之间通过范德瓦尔斯力接合，每个所述二维材料层为具有中心反演不对称晶体结构的晶体层，且在平行于所述二维平面的方向上具有平行于所述二维平面的预定晶格方向，彼此相邻的所述二维材料层之间具有非零的偏转角，所述偏转角为相邻的所述二维材料层的所述预定晶格方向在同一所述二维平面内的夹角，每个所述二维材料层的厚度大于5nm。本公开的实施例可以容易地实现诸如二阶非线性光的非线性光的高效率输出。
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公开(公告)号：CN117270099A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311262518.8
申请日：2023-09-27
Abstract: 本发明公开一种光纤和包含该光纤的全光调制器及其调制方法。所述光纤为空芯光纤，所述光纤内壁设置有异质结层，所述异质结层由紧邻所述光纤内壁的石墨烯层和设置在所述石墨烯层内侧的氮化硼层组成，所述石墨烯层与所述氮化硼层的厚度比为1：20～60。本发明的包含二维材料异质结的复合反谐振光纤，通过调控外层二维材料的厚度，改变谐振条件，可以增强光与内层二维材料的相互作用，从而可以提高全光纤型全光调制器的调制深度。本发明的异质结与光纤的复合方法具有良好的可扩展性，包含该光纤的器件对基于纳米功能材料的全光器件的设计产生启发，有望扩大纳米材料在光子学中的应用。
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公开(公告)号：CN116641038A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310315945.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种防止金属铜腐蚀的方法、金属铜防腐蚀结构，属于金属防腐技术领域。防止金属铜腐蚀的方法包括在铜基体的表面形成至少2个原子层厚度的石墨烯层。本申请的防止金属铜腐蚀的方法通过在铜基体的表面形成至少2个原子层厚度的石墨烯层，能够减弱腐蚀性物质和铜基体之间的电荷转移，使得铜基体不容易通过表面的石墨烯层发生电化学反应，从而提升铜基体的防腐性能。
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公开(公告)号：CN113122236B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010045511.0
申请日：2020-01-16
Applicant: 北京大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C01G39/06 , C01G41/00 , C01B21/064 , B82Y30/00 , C01B19/04 , C01B19/00 , C01G11/02 , C01G9/08
Abstract: 本发明提供一种增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法，属于光信号增强技术领域。该方法包括：1)制备二维材料，并测定二维材料的二次谐波光谱或四次谐波光谱；2)在二维材料上涂覆量子点薄膜；3)选择量子点的双光子吸收波长与激光器的发光波长共振；实现增强二维材料的偶数阶高次谐波的强度。本发明通过QD涂层方法大大提高了二维材料的非线性光学响应。
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公开(公告)号：CN113540941A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010300611.3
申请日：2020-04-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料光纤饱和吸收体的全光纤锁模激光器及制备方法，所述激光器至少包括：泵浦光源、波分复用器、单模光纤、增益光纤、色散补偿光纤和偏振控制器。本发明中直接生长的二维材光纤饱和吸收体相比二维材料薄膜涂覆或转移的方法，具有优异的饱和秀特性和可重复性，可实现亚皮秒高质量的脉冲输出。且得益于二维材料的多样性，这种方法可以实现不同波长下的锁模激光输出，可广泛应用于全光纤锁模激光器等领域。
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