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公开(公告)号：CN207303108U
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201721026474.9
申请日：2017-08-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/745 , H01L21/332
摘要： 本实用新型公开了一种功率半导体器件，涉及半导体技术领域，该器件包括：第一导电类型的基板；第一掺杂层，设置在基板内，其为与第一导电类型相反的第二导电类型；第二掺杂层，设置在第一掺杂层内，其为第一导电类型；第三掺杂层，设置在第二掺杂层内，其为第二导电类型；控制电极，通过隔离层设置在基板的第一表面上，且隔离层与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；第一电极，设置在基板的第一表面上，且第一电极与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；以及第二电极，设置在基板的第二表面上。当控制电极接负电时，第三掺杂层形成少子的抽取路径，降低了载流子局部浓度，降低第一掺杂层和基板原有掺杂类型层之间的势垒。
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公开(公告)号：CN205984993U
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201620900426.7
申请日：2016-08-18
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
摘要： 本实用新型提供一种垂直型半导体器件的双面终端结构，所述垂直型半导体器件为双极型晶体管、晶闸管、MOSFET、IGBT、MOSFET派生器件、IGBT派生器件或晶闸管派生器件；所述双面终端结构包括元胞区、终端区、阴极、门极和阳极；所述终端区包括正面终端和背面终端；所述正面终端和背面终端环绕在所述元胞区周围，所述阴极和门极沉积在所述元胞区的正面，所述阳极沉积在所述元胞区的背面。本实用新型提供的垂直型半导体器件的双面终端结构，在传统的正面终端基础上增加了背面终端结构，形成了双面终端结构，在不增加终端面积的前提下，提高了终端的整体耐压能力，提高了终端结构的效率。
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公开(公告)号：CN208796983U
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201821038994.6
申请日：2018-06-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种半导体器件封装结构，该半导体器件封装结构，包括：第一电极片；第二电极片，与所述第一电极片相对设置；半导体器件芯片，设置在所述第一电极片和第二电极片之间；以及导电弹性部件，设置在所述半导体器件芯片与所述第一电极片之间和/或所述半导体器件芯片与所述第二电极片之间。该封装结构通过在半导体器件芯片与电极片之间设置导电弹性部件，通过该导电弹性部件缓冲并释放封装时施加在所述功率半导体器件芯片上的应力，有效保护功率半导体器件芯片不因局部受力过大而损坏，有效提高器件封装的可靠性，获得良好的封装和器件性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207217553U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201720811353.9
申请日：2017-07-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L29/868
摘要： 本实用新型提供了一种二极管，包括依次分布的阳极P区、阴极N-区和阴极N+区；其中，在该N-区中设置有N型控制区，其中该N型控制区的平均掺杂浓度大于该N-区的平均掺杂浓度，该N型控制区的厚度小于该N-区的厚度。二极管容易产生震荡的一个原因是电场的截止位置处缺少相应的载流子，从而造成电流的急剧变化而产生震荡，通过加入N型控制层可以控制电场的分布，从而使得电场截止的位置处仍然具有一定的载流子浓度，不会使电流发生急剧变化而产生震荡，从而解决了现有技术中二极管在反向恢复过程中容易发生snap-off现象的问题，延长了二极管的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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