公开(公告)号：CN118160065A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072026.X

申请日：2022-10-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明为一种接合型半导体晶圆的制造方法，其具有：通过使牺牲层与具有半导体功能层的外延层在起始基板上进行外延生长，制作外延片的工序；利用选择性蚀刻法，以露出所述牺牲层的方式形成元件隔离槽的工序；至少在露出了所述牺牲层的表面形成钝化膜的工序；通过热固化型接合材料将所述外延层与透明的被接合基板接合，从而制作接合基板的工序；对所述接合基板的所述钝化膜进行蚀刻从而将其去除的工序；及将蚀刻液供给至所述接合基板的所述元件隔离槽从而对所述牺牲层进行蚀刻，由此分离所述起始基板与所述外延层的工序。由此，可提供一种在于外延片形成元件隔离槽并通过柔软的接合材料与被接合基板进行接合的接合型半导体晶圆的制造方法中，能够防止接合材料溢出至元件隔离槽进而阻碍牺牲层蚀刻的接合型半导体晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN112005389A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980025461.5

申请日：2019-03-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种发光元件的配光特性的调节方法，其为在发光元件的制造中调节配光特性的方法，其中，所述发光元件的制造如下所述：在起始基板上形成发光层及窗口层兼支撑基板，去除起始基板，在第一半导体层表面上形成第一欧姆电极，至少去除第一半导体层及活性层的一部分，在第二半导体层或窗口层兼支撑基板上形成第二欧姆电极，在窗口层兼支撑基板的光提取面侧形成凹部。在该发光元件的配光特性的调节方法中，预先设定发光元件所需的配光特性，基于该所需的配光特性，进行凹部形成中的凹部形状的调节及窗口层兼支撑基板的表面粗糙化工序中的表面粗糙化区域的调节中的一个以上，从而将所制造的发光元件的配光特性调节为已设定的所需的配光特性。由此提供一种能够将例如配光角度等的配光特性调节为所需的配光特性的发光元件的配光特性的调节方法及发光元件的制造方法。

公开(公告)号：CN110581207A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910454453.4

申请日：2019-05-29

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 一种发光组件，包含：第一区域，具有第二半导体层、活性层、第一半导体层及与第一半导体层相接的第一电极；第二区域，具有第二半导体层、活性层及第一半导体层；第三区域，以包围第二区域的方式使至少第一半导体层及活性层除去且将第一区域与第二区域分离；第二电极，在遍及第二区域的顶部、第二区域的侧面部及第三区域的至少一部分而包覆的同时，在第三区域与第二半导体层及窗层兼支承基板相接，其中第三区域中的第二电极的覆膜面积为300μm2以上。

公开(公告)号：CN107112389A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580069819.6

申请日：2015-12-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  古屋翔吾

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果，并获得所期望的粗糙面形状。

公开(公告)号：CN107078187A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056613.X

申请日：2015-10-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  古屋翔吾

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/306 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明提供一种发光组件以及发光组件的制造方法，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含有第二半导体层、活性层及第一半导体层，其中发光组件具有除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层上的第一奥姆电极、及设置于除去部的窗层兼支持基板上的第二奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的外周部除外的表面以及窗层兼支持基板的表面为经粗糙化，且发光部侧面的Rz为未满2μm。因此使漏电不良或ESD不良的发生受到抑制。

公开(公告)号：CN100407450C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200380100151.4

申请日：2003-10-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/477 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/0095

Abstract: 在基板1的主表面上，层叠形成由该基板1所不含之In系化合物或Zn系化合物作为构成材料之多晶层或非晶态层之前段缓冲层2’，之后，在形成发光区域前，将该前段缓冲层2实施晶化用的热处理而形成缓冲层2。藉此，提供出能制造简便且可提高发光区域品质之Zn系半导体发光元器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN101174665A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710168278.X

申请日：2002-07-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了发光元件，其具有由带隙能为2.2eV以上的宽带隙型氧化物半导体所构成的发光层部；该发光层部具有由p型金属包层、活性层及n型金属包层相互层叠的双异型构造，且前述p型金属包层与前述n型金属包层中的至少一方具有第一结晶层及第二结晶层，前述第一结晶层通过异型接合与前述活性层邻接，对载体显现障壁层的作用；第二结晶层在前述活性层的相反侧与该第一结晶层异型接合，其带隙能较该第一结晶层低。

公开(公告)号：CN100356590C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN02813536.9

申请日：2002-07-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06

Abstract: 在作为活性层或p型金属包层32的MgZnO层中插入与MgaZn1-aO型氧化物不同的显示p型导电性的p型氧化物层32b。据此构成，吸收与补偿电子的作用由MgZnO层中局部地存在的p型氧化物层担负，所以不须添加大量的p型掺杂剂，即可得到品质良好的p型或i型的MgaZn1-aO型氧化物，从而获得高发光效率的紫外线或蓝色发光型发光元件。又，通过使p型金属包层与n型金属包层的至少一方形成第一结晶层与第二结晶层的接合构造，可有效地对活性层注入载体，从而提高发光效率。前述第二结晶层在活性层的相反侧与前述第一结晶层异型接合，其带隙能较该第一结晶层低。

公开(公告)号：CN1835254A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610058844.7

申请日：2002-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00

Abstract: 当采用有机金属汽相生长法生长p型MgxZn1－xO时，在生长期间和/或完成生长以后，在含氧气氛中对MgxZn1－xO进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原子层外延(exitaxy)形成具有x轴取向沿层的厚度方向的MgxZn1－xO缓冲层时，首先生长金属单原子层。再有，采用主要由含有Se或Te的ZnO的半导体材料，来形成ZnO半导体有源层。采用这些技术形成发光元件。

公开(公告)号：CN1478306A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN01819811.2

申请日：2001-11-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  山田雅人

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L33/26 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的发光组件(1)，具有由p型被覆层(2)、活性层(33)以及n型被覆层(34)依这一顺序叠层而得到的发光层部，且p型被覆层(2)由p型MgxZn1－xO(其中，0＜x≤1)层构成。再者，利用MOVPE法形成该层，这样可有效地抑制成膜中氧缺损的发生，得到具有良好特性的p型MgxZn1－xO层。